【文章內(nèi)容簡介】 消失，故必須在數(shù)據(jù)未消失前讀取原數(shù)據(jù)再重寫(refresh)，此為其最大缺點，此外速度較慢也是其缺點。而DRAM的最大好處為，其每一記憶單元(bit)只需一個Transistor(晶體管）+一個Capacitor(電容器)，故最省面積，而有最高的密度。而SRAM則有不需重寫、速度快的優(yōu)點，但是密度低，其每一記憶單元(bit)有兩類:1. 需要六個Transistor(晶體管）2. 2﹒四個Transistor(晶體管）+兩個Load resistor(負載電阻)。由于上述它優(yōu)缺點，DRAM一般皆用在PC(個人計算機)或其它不需高速且記憶容量大的記憶器，而SRAM則用于高速的中大型計算機或其它只需小記憶容量，如：監(jiān)視器(Monitor)、打印機(Printer)等周控制或工業(yè)控制上。G汲極 PSiNSND73) Drain 汲極 通過摻雜，使其電性與底材PSi相反的，我們將其稱為汲極與源極。74) Drive In 驅(qū)入 離子植入(ion implantation)雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無法將雜質(zhì)打入芯片較深(um級)的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴散的性質(zhì)，在相當(dāng)高的溫度去進行，一方面將雜質(zhì)擴散到較深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱的驅(qū)入。此法不再加入半導(dǎo)體雜質(zhì)總量，只將表面的雜質(zhì)往半導(dǎo)體內(nèi)更深入的推進。 在驅(qū)入時，常通入一些氧氣﹒因為硅氧化時，會產(chǎn)生一些缺陷，如空洞(Vacancy)，這些缺陷會有助于雜質(zhì)原子的擴散速度。另外，由于驅(qū)入是藉原子的擴散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出(outdiffusion)，這是需要注意的75) Dry Oxidation 干式氧化在通入的氣體中只有氧氣與載氣，只有氧氣與底材發(fā)生氧化反應(yīng)。我們將這種氧化叫干式氧化。 如我們的GateOX，這種方法生成的SiO2質(zhì)量比較好，但生成速度比較慢。76) Dry pump216。 Dry pump是最基本的真空pump,它是利用螺桿原理來工作的，它主要的特點是可以從大氣壓下直接開始抽氣，所以可以單獨使用。216。 一般真空度要求不高（E3torr以下）如CVD及furnace僅使用dry pump即可216。 特點：Fewer moving parts Higher Reliability Less plexity High speed1. Dry pump用在chamber由大氣壓下直接抽真空，可以維持進出口壓差105倍2. Dry pump有電源（電源使馬達帶動螺桿式轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動）3. 有N2 purge(稀釋防止particle沉積在間隙內(nèi))4. Colling water(防止溫度過高使pump無法運轉(zhuǎn)) 77) Dummy Wafer 擋片 對制程起一定輔助作用的硅片，區(qū)別于產(chǎn)品、控片，一般對其質(zhì)量要求不是很高。1）由于爐管的兩端溫度不穩(wěn)定，氣體的流量不穩(wěn)定，所以我們在Boat的兩端放入不是產(chǎn)品 的硅片，我們將這樣的硅片叫擋片。 2）離子植入若產(chǎn)品不足，則需補上非產(chǎn)品的硅片，即擋片78) Electron/Hole電子/電洞電子是構(gòu)成原子的帶電粒子，帶有一單位的負電荷，環(huán)繞在原子核四周，形成原子。 電洞是晶體中，在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開原有的位置所遺留下來的空缺 因缺少一個電子，無法維持電中性， 可視為帶有一單位的正電荷。79) Electrical Breakdown 電崩潰 當(dāng)NMOS的溝道縮短，溝道接近汲極地區(qū)的載子將倍增，這些因載子倍增所產(chǎn)生的電子，通常吸往汲極，而增加汲極電流的大小，部分電子則足以射入閘氧化層里，而產(chǎn)生的電洞，將流往低材，而產(chǎn)生底材電流；另一部分的電洞則被源極收集，使npn現(xiàn)象加強，熱電子的數(shù)量增加，足使更多的載子倍增，當(dāng)超過閘極氧化層的承受能力時，就擊穿閘氧化層，我們將這種現(xiàn)象叫電崩潰。80) Electromigration電子遷移所謂電子遷移，乃指在電流作用下的金屬。此系電子的動量傳給帶正電的金屬離子所造成的。當(dāng)組件尺寸愈縮小時，相對地電流密度則愈來愈大。當(dāng)此大電流經(jīng)過集成電路中的薄金屬層時，某些地方的金屬離子會堆積起來，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來，堆積金屬會使鄰近的導(dǎo)體短路，而金屬空缺則會引起斷路。材料搬動主要原動力為晶界擴散。以濺鍍法所沉積的Al，經(jīng)過適當(dāng)?shù)腁nneal之后，通常是以多晶（PolyCrystalline）形式存在，當(dāng)導(dǎo)電時，因為電場的影響，Al原子將沿著晶粒界面（GrainBoundary）移動。有些方法可增加鋁膜導(dǎo)體對電遷移的抗力，例如:加入抗電移能力較強的金屬，如Cu81) Ellipsometer橢圓測厚儀 將已知波長的入射光分成線性偏極或圓偏極，照射2003717在待射芯片，利用所得的不同橢圓偏極光的強度訊號，以Fourier分析及 Fresnel方程式，求得待測芯片膜厚與折射率的儀器，稱為橢圓測厚儀。簡單的結(jié)構(gòu)如下圖所示:82) EM（Electron Migration Test）電子遷移可靠度測試當(dāng)電流經(jīng)過金屬導(dǎo)線，使金屬原子獲得能量，沿區(qū)塊邊界(Grain Boundaries)擴散(Diffusion)，使金屬線產(chǎn)生空洞(Void)，甚至斷裂，形成失效。其對可靠度評估可用電流密度線性模型求出：AF＝[J(stress)/J(op)]nexp[Ea/Kb(1/T(top)1/T(stress))]TF＝AFT(stress)83) Energy能量 能量是物理學(xué)的專有名詞。 如下圖，B比A的電壓正l00伏，若在A板上有一電子受B板正電吸引而加速跑到B板，這時電子在B板就比在A板多了100電子伏特的能量。84) 增強型Enhance MOS：|Vg||Vt|時，處于“開（ON）”的狀態(tài)，且當(dāng)|Vg||Vt|時，電晶體則在“關(guān)（OFF）”的狀態(tài)。它的通道必須在閘極處于適當(dāng)?shù)碾妷合聲r才會形成。85) EPI WAFER磊晶芯片 磊晶系在晶體表面成長一層晶體。86) Epitaxy 磊晶 外延附生：一種礦物的結(jié)晶附于另一礦物結(jié)晶表面的生長，這樣兩種礦物的結(jié)晶基層就會有同樣的構(gòu)造來源87) EPROM （ErasableProgrammable ROM）電子可程序只讀存儲器 MASK ROM內(nèi)所存的數(shù)據(jù)是在FAB內(nèi)制造過程中便已設(shè)定好，制造完后便無法改變。就像任天堂游戲卡內(nèi)的MASK ROM，存的是金牌瑪麗，就無法變成雙截龍。而EPROM是在ROM內(nèi)加一特殊結(jié)構(gòu)叫A FAMDS，它可使ROM內(nèi)的數(shù)據(jù)保存。但常紫外光照到它時，它會使ROM內(nèi)的數(shù)據(jù)消失，每一個記憶單位都歸零。然后工程人員再依程序的規(guī)范，用30伏左右的電壓將0101…數(shù)據(jù)灌入每一記憶單位。如此就可灌電壓，照紫光，重復(fù)使用，存入不同的數(shù)據(jù)。 也就是說如果任天堂游戲卡內(nèi)使用的是EPROM，那么您打膩了金牌瑪麗，就把卡匣照紫光，然后灌雙截龍的程序進去?？ㄏ痪妥兂呻p截龍卡，不用去交換店交換了。88) ESD靜電破壞 Electrostatic Damage靜電放電Electrostatic Discharge1. 自然界的物質(zhì)均由原子組成，而原子又由質(zhì)子、中子及電子組成，在平常狀態(tài)下，物質(zhì)呈中性，而在日常活動中，會使物質(zhì)失去電子，或得到電子﹒此即產(chǎn)生一靜電，得到 電子的物質(zhì)為帶負靜電，失去電子即帶正靜電。靜電大小會隨著日常的工作環(huán)境而有所不同，如下表所示。活 動 情 形靜電強度（Volt）1020﹪相對濕度6595﹪相對濕度走過地毯走過塑料地扳在椅子上工作拿起塑料活頁夾袋拿起塑料帶工作椅墊摩擦35,00012,0006,0007,00020,00018,0001,5002501006001,0001,500 表l日常工作所產(chǎn)生的靜電強度表2. 當(dāng)物質(zhì)產(chǎn)生靜電后，隨時會放電，若放到電子組件上，例如IC，則會將組件破壞 而使不能正常工作，此即為靜電破壞或靜電放電。3. 防止靜電破壞方法有二： 172。在組件設(shè)計上加上靜電保護電路。 173。在工作環(huán)境上減少靜電。例如工作桌的接地線，測試員的靜電環(huán)，在運送上使用防靜電膠套及海綿等等。89) ETCH蝕刻 在集成電路的制程中，常常需要將整個電路圖案定義出來，其制造程序通常是先長出或蓋上一層所需要的薄膜，再利用微影技術(shù)在這層薄膜上，以光阻定義出所欲制造的電路圖案，再利用化學(xué)或物理方式將不需要的部份去除，此種去除步驟，便稱為蝕刻(ETCH)。一般蝕刻可分為濕式蝕刻(WET ETCH)，及干式蝕刻 (DRY ETCH) 兩種。所謂濕蝕刻乃是利用化學(xué)品(通常是酸液)與所欲蝕刻的薄膜，起化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生氣體或可溶性，生成物，達到圖案定義的目的。而所謂干蝕刻，則是利用干蝕刻機臺產(chǎn)生電漿將所欲蝕刻的薄膜，反應(yīng)產(chǎn)生氣體，由PUMP抽走達到圖案定表的目的。90) Evaporation 蒸鍍 將我們的蒸鍍源放在坩堝里加熱，當(dāng)溫度升高到接近蒸鍍源的熔點附近。這時，原本處于固態(tài)的蒸鍍源的蒸發(fā)能力將特別強，利用這些被蒸發(fā)出來的蒸鍍源原子，我們在其上方不遠處的芯片表面上，進行薄膜沉積。我們將這種方法叫蒸鍍。限制與缺點216。 合金（Alloy）或化合物的沉積成分不易控制216。 沉積膜的階梯覆蓋能力（Step Coverage）較差216。 薄膜的純度不易控制在先進的VLSI制程中，已被具有較佳成分控制能力及階梯覆蓋能力的濺鍍（Sputtering）法所取代91) Exposure曝光 其意表略同于照相機底片的感光 在基集成電路的制造過程中，定義出精細的光阻圖形為其中重要的步驟，以運用最廣的5X Stepper為例，其方式為以對紫外線敏感的光阻膜作為類似照相機底片，光罩上則有我們所設(shè)計的各種圖形，以特殊波長的光線(GLINE 436NM)照射光罩后，經(jīng)過縮小鏡片(Reduction Lens)光罩上的圖形則呈5倍縮小后，精確地定義在底片上(芯片上的光阻膜) 經(jīng)過顯影后，即可將照到光(正光阻)的光阻顯掉，而得到我們想要的各種精細圖形，以作為蝕刻或離子植入用。 因光阻對于某特定波長的光線特別敏感，故在黃光室中，找將一切照明用光源過濾成黃色，以避免泛白光源中含有對光阻有感光能力的波長成份在，這一點各相關(guān)人員應(yīng)特別注意，否則會發(fā)生光線污染現(xiàn)象，而擾亂精細的光阻圖形。92) Extraction Electrode 萃取電極如右圖，Extraction Electrode是離子植入機中用來將Source的Arc反應(yīng)室中的離子以電壓萃取出來的兩個電極板。由電子抑制極板（Suppression Electrode） 和接地極板（Ground Electrode）兩部分組成。93) Fab 晶圓廠 Fabrication為裝配或制造之意，與Manufacture意思一樣。半導(dǎo)體制造程序，其步驟繁多，且制程復(fù)雜，需要有非常精密的設(shè)備和細心的作業(yè)，才能達到無缺點的品質(zhì)。FAB系Fabrication的縮寫，指的是工廠之意。我們常稱FAB為晶圓區(qū)，例如：進去FAB之前須穿上防塵衣。94) Faraday Cup 法拉第杯是離子植入機中在植入前用來測量離子束電流的裝置。95) Field Oxide 場氧化層 Field直譯的意思是“場”。如運動場，足球場和武道場等的場都叫做Field。它的涵義就是一個有專門用途的區(qū)域。 在IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，有一區(qū)域是隔離電場的地方，通常介于兩個MOS晶體管之間，稱為場區(qū)。場區(qū)之上大部份會長一層厚的氧化層 96) Filament 燈絲在離子植入機的離子源反應(yīng)室里用來產(chǎn)生電子以解離氣體用。通常采用鎢、鉭及鉬等高溫金屬。利用直流電的加熱，使燈絲表面釋放出所謂“熱離化電子”。97) Filtration過濾 用過濾器（FILTER,為一半透明膜折迭而成）將液體或氣體中的雜質(zhì)給過濾掉，此稱為Filtration（過濾）故IC制造業(yè)對潔凈度的要求是非常的嚴，故各種使用的液體或氣體（包括大氣）必須借著過濾以達到潔凈的要求。待過濾的液體及氣體能經(jīng)過過濾器且成功地將雜質(zhì)擋下，必須借著一個pump制造壓差來完成，如何選擇一組恰當(dāng)?shù)倪^濾器及PUMP是首要的課題。98) Fixed Oxide Charge 固定氧化層電荷 位于離SiSiO2接口30197。的氧化層內(nèi)，通常為正電荷。與氧化條件、退火條件及硅表面方向有關(guān)。99) Foundry客戶委托加工 客戶委托加工主要是接受客戶委托，生產(chǎn)客戶自有權(quán)利的產(chǎn)品，也就是客戶提供光罩，由聯(lián)華來生產(chǎn)制造，在將成品出售給客戶，只收取代工費用，這種純粹代工，不涉及銷售的方式在國際間較通常的稱呼就叫硅代工（Silicon Foundry）。100) Four Point Probe四點測針 是量測芯片片阻值(Sh