[工程科技]半導(dǎo)體材料(編輯修改稿)
2025-04-18 02:27 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 a S bSchematic diagram of Anodic Oxidation equipment GaSb做陽極，鉑片做陰極， 電解液是酒石酸與乙烯乙 二醇混合后的一種水溶液 ?陽極氧化 39 ?陽極氧化膜的形成機(jī)理 : 電極反應(yīng)：金屬（ M）的陽極氧化，首先是電解水。在電解液中， 通電后在電流作用下發(fā)生水解，同時在陰極放出氫氣。 H2O→H+ +OH 陰極 6H+ 6e→3H2↑ 陽極 6OH 6e→3H2O 3[O] 2M 3[O] →M2O3 陽極氧化膜的生長過程是在膜的增厚和溶解這一矛盾過程中展開的。 通電瞬間，由于氧和 M的親和力特別強(qiáng)，在 M表面迅速生成一層致密 無孔的氧化膜，它具有很高的絕緣電阻，稱之為阻擋層。由于在形 成氧化 M時體積要膨脹，使得阻擋層變得凹凸不平，在膜層較薄的 地方，氧化膜首先被電解液溶解并形成空穴，接著電解液變通過空 穴到達(dá) M基體表面，使電化學(xué)反應(yīng)能夠繼續(xù)進(jìn)行，孔隙越來越深， 阻擋層便逐漸向 M基體方向擴(kuò)展，即得到了多孔狀的氧化膜。 40 半導(dǎo)體材料及器件工藝技術(shù)（五） ? 1 刻蝕技術(shù) ? 化學(xué)刻蝕、 離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕 ? 2 半導(dǎo)體材料及器件的測試 41 Dry Etching ? Dry etching methods ? Glow discharge methods ? Dry physical etching (Sputter etching) ? Plasma assisted etching ? Dry chemical etching (Plasma etching) ? Reactive ion etching (RIE) ? Ion beam methods ? Ion milling ? Reactive ion beam etching ? Chemical assisted ion milling ? Common materials to dry etc
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