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半導(dǎo)體化學(xué)-文庫吧資料

2024-08-14 17:58本頁面
  

【正文】 解決辦法:能帶工程、退火、表面清洗等 ?一般在形成 PGaN的歐姆接觸前先用有機(jī)溶劑去掉表面的有機(jī)污染,然后用王水或 KOH處理去掉表面的氧化物。 P- GaN表面為什么要處理?怎么處理? N- GaN為什么要處理?表面怎么處理? 鈍化前怎樣清洗? Lattice Power (Jiangxi) Corporation ?PGaN歐姆接觸形成機(jī)制:歐姆接觸,是指金屬與半導(dǎo)體的接觸,而其接觸面的電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身的電阻,使得器件工作時,大部分的電壓降在于活動區(qū) (Active region)而不在接觸面。 最常用的清洗方法:首先用硫酸 /雙氧水混合液去除光刻膠 → SC1 → DHF → SC2 溫度:80度左右,在清洗過程中加超聲或兆聲效果更好。被氧化的金屬離子與 Cl作用生成的可溶性絡(luò)合物亦隨去離子水沖洗而被去除。 表面清洗的一般原則:先有機(jī)物 再無機(jī)物 Lattice Power (Jiangxi) Corporation ? 目前可行的方案 RCA清洗: 1, SC1是 H2O2和 NH4OH的堿性溶液,一般的比例為 NH4OH: H202:H20=1:1:5,通過 H2O2的強(qiáng)氧化和 NH4OH的溶解作用,使有機(jī)物沾污變成水溶性化合物,隨去離子水的沖洗而被排除 。 ⑸ 日本提出無藥液的電介離子水清洗技術(shù)(用電介超純離子水清洗)⑹ 以 HF / O3為基礎(chǔ)的硅片化學(xué)清洗技術(shù)。 ⑵ 美國原 CFM公司推出的 FullFlow systems封閉式溢流型清洗技術(shù)。 b. 另一類是帶正電的金屬離子得到電子后附著(尤如“電鍍”)到硅片表面。 B. 顆粒沾污:運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來去除粒徑 ≥ μm顆粒,利用兆聲波可去除 ≥ μm顆粒。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation ?外延襯底為什么要清洗? 位錯的來源:一個是晶格失配,一個是表面污染。 Ⅲ Ⅴ 族化合物半導(dǎo)體如砷化鎵 、磷化鎵、銻化銦、氮化鎵 等也越來越受到人們的重視,特別是砷化鎵具有硅、鍺所不具備的能在高溫度頻下工作的優(yōu)良特性,它還有更大的禁帶寬度和電子遷移率,適合于制造微波體效應(yīng)器件、發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器,因而它們是一種很
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