【摘要】半導(dǎo)體照明技術(shù)方志烈教授復(fù)旦大學(xué)SemiconductorLightingTechnology???(1)發(fā)光效率和顯色性的折中?(2)二基色體系?(3)多基色體系?LED?(1)二基色熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED?(2)多基色熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED?(3)
2024-08-14 16:32
【摘要】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動有效質(zhì)量?本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴?常見半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)重點(diǎn):有效質(zhì)量、空穴概念的理解研究方法?單電子近似:假設(shè)每個電子是在周期性排列且固定不動的原子核勢場及其他電子的平均勢場中運(yùn)動。該勢
2025-03-28 06:44
【摘要】半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析組員:93114114林怡欣93114124蔡松展93114251謝瑋璘93114169蔡文杰目錄III半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)V.邏輯ICVI.記憶體VII.臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況半導(dǎo)體的定義所謂的半導(dǎo)體,是指在某些情況下,
2024-10-19 21:13
【摘要】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體,根據(jù)對導(dǎo)電性的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié),在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導(dǎo)體單晶上,
2025-07-31 02:12
【摘要】考試時間:18周周五上午10:00(1月4日第二大節(jié))考試地點(diǎn):望江基C2022022級半導(dǎo)體物理總結(jié)第l章半導(dǎo)體(晶體)中的電子狀態(tài)問題的提出:半導(dǎo)體獨(dú)特的物理性質(zhì)半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)及其運(yùn)動特點(diǎn)二者之間關(guān)系與結(jié)構(gòu)的關(guān)系本章介紹重點(diǎn)半導(dǎo)體單晶材料中的電子狀態(tài)及其運(yùn)動規(guī)律
2025-01-20 10:18
【摘要】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識晶體三極管場效應(yīng)管單結(jié)晶體管和晶閘管半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦运?、PN結(jié)的電容效應(yīng)一、本征半導(dǎo)體根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體-鐵、鋁、銅等金屬元素
2024-08-17 09:14
【摘要】主講人:申鳳娟21半導(dǎo)體器件2基本放大電路及其分析設(shè)計方法6模擬電子技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展3放大電路的頻率響應(yīng)與負(fù)反饋技術(shù)4通用集成運(yùn)放及其應(yīng)用5波形發(fā)生電路7直流穩(wěn)壓電源CONTENTS內(nèi)容大綱C3第一章4第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識
2025-01-27 18:23
【摘要】半導(dǎo)體照明照明領(lǐng)域的又一次革命一、人類照明的歷史火—人類的文明燈—延續(xù)歷史幾千年燈—延續(xù)歷史幾千年二、電光源的歷史1879年愛迪生發(fā)明白熾燈熒光燈將電光源帶入新天地三、半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管照明的革命四、第三代半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料的分代1.以硅Si為代表的
2025-01-10 00:43
【摘要】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長技術(shù)?體單晶生長技術(shù)單晶生長通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導(dǎo)體硅的單晶生長可以獲得電子級(%)的單晶硅?外延生長技術(shù)外延指在單晶襯底上生長一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長問
2024-12-14 07:59
【摘要】我的信息最高能帶填滿,再高的各能帶是空的5~7gEeV?2gEev?由于熱激發(fā),滿帶電子躍遷到上面的空帶,兩個能帶都成了不滿帶,具備導(dǎo)電能力。為什么Si、Ge是半導(dǎo)體而金剛石是絕緣體?Ge的4個價電子Si的4個價電子金剛石的4個價電子134,
2024-08-18 06:42
【摘要】第五章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)二極管的單相導(dǎo)電特性特殊二極管三極管的基本結(jié)構(gòu)和電流放大特性場效應(yīng)管簡介電子技術(shù)是利用半導(dǎo)體器件完成對電信號處理的技術(shù)。它包括模擬電子和數(shù)字電子。處理的電信號為連續(xù)變化的信號時,我們使用的電路為模擬電路。處理的信號為不連續(xù)變化、只有在其高低電
2025-05-12 12:43
【摘要】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢?半導(dǎo)體材料的分類什么是半導(dǎo)體?按照不同的標(biāo)準(zhǔn),有不同的分類方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-20 10:05
【摘要】Chapter2BasicPropertiesofBipolarJunctionTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices第二章雙極結(jié)型晶體管基本特性Chapter
2025-05-05 04:52
【摘要】SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTORPHYSICS西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體表面和表面能級Si-SiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理表面能帶彎曲與反型表面復(fù)合第五章半導(dǎo)體表面Schoo
2025-07-24 13:44
【摘要】SemiconductorPhysicsChapter1上海交通大學(xué)成教院電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)半導(dǎo)體物理學(xué)SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsChapter1電話:36033332(H)13482657996(M)上海交通大學(xué)微納科學(xué)技術(shù)
2024-08-14 14:52