1章-半導(dǎo)體-文庫吧資料
2025-08-10 09:14本頁面
【正文】 ③VthVBR鍺二極管 2AP15的 VI 特性 +i Dv DR正向特性 反向特性 反向擊穿特性 )1( /S ?? TUueIi正向伏安特性曲線：正向電流小（體電阻和引線電阻）。 (2) 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，結(jié)面積大，結(jié)電容大，故結(jié)允許的電流大，最高工作頻率低。 PN 結(jié)面積可大可小，小的工作頻率高，大的結(jié)允許的電流大。用于檢波和變頻等高頻電路。 半導(dǎo)體二極管的型號 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下： 二極管按結(jié)構(gòu)分有 點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型 三大類。 反之，由 P區(qū)擴(kuò)散到 N區(qū)的空穴，在 N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。所以 PN結(jié)兩 側(cè)堆積的 多子的濃度 梯度分布 也不同，這 就相當(dāng)電容的充放電 過程。 2. 擴(kuò)散 電容 Cd 擴(kuò)散電容示意圖 擴(kuò)散電容是由 多子擴(kuò)散 后，在 PN結(jié)的 另一側(cè)面 積累而形成的。剛擴(kuò)散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，到遠(yuǎn)離交界面處，形成一定的 濃度梯度 分布曲線。 當(dāng)外加 反向電壓（漂移） 使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時，耗盡層的厚度 也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲的 電荷量 也隨之變化，猶如電容的充放電（變?nèi)荻O管）。 一是勢壘電容 Cb ， 二是擴(kuò)散電容 Cd 。 雪崩擊穿： 低摻雜 ，耗盡層寬， 高 反向（ 擊穿 ） 電壓 ， 碰撞價電子（ 撞 出），產(chǎn)生電子空穴對，多 次重復(fù)，反向電流增大。 PN結(jié)的電流方程 PN結(jié) V I 特性表達(dá)式 其中 i D / mA1 . 00. 5– 0. 5– 1 . 0 0. 50 1 . 0 ? D /Vi D = – I S––)1()1(/S/S????TUukTqueIieIiIS —— 反向飽和電流 UT—— 溫度的電壓當(dāng)量 且在常溫下（ T=300K） V0 2 ?? qkTU TmV 26? PN結(jié)的伏安特性 PN結(jié) 外加 正向電壓：指數(shù)規(guī)律 反向電壓：直線 當(dāng)?shù)姆聪螂妷涸黾拥揭欢〝?shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結(jié)的 反向擊穿。 i D = – I S–– PN結(jié)加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流； PN結(jié)加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。 此時 PN結(jié)區(qū)的 少子 在 內(nèi)電場的作用下形成的 漂移電流 大于擴(kuò)散電流， 可忽略擴(kuò)散電流， PN結(jié) 呈現(xiàn)高阻性。 限流電阻 結(jié)壓降 2. PN結(jié)加反向電壓時的導(dǎo)電情況 外加的反向電壓有一部分降落在 PN結(jié)區(qū)，方向與 PN結(jié)內(nèi)電場方向相同，加強(qiáng)了 內(nèi)電場（空間電荷區(qū)） 。于是 ,內(nèi)電場對多子擴(kuò)散運(yùn)動的阻礙減弱， 擴(kuò)散電流 加大。 PN結(jié)加正向電壓時： ? 低電阻 ? 大的正向擴(kuò)散電流 i D / mA1 . 00. 5– 0. 5– 1 . 0 0. 50 1 . 0 ? D /VPN 結(jié)的伏安特性 PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通： 耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動加劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流， PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。 在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱 耗盡層 。此時將在 N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程 : 因濃度差 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 ? 內(nèi)電場促使少子漂移 ? 內(nèi)電場阻止多子擴(kuò)散 最后 ,多子的 擴(kuò)散 和少子的 漂移 達(dá)到 動態(tài)平衡 。 P區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高于 N區(qū)。 P：空穴濃度 自由電子濃度 ，空穴導(dǎo)電為主。三價雜質(zhì) 因而也稱為 受主原子 。 5?磷（ P） 多數(shù)載流子 2. P型半導(dǎo)體 三價 雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價鍵時，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個 空穴 。 在 N型半導(dǎo)體中 自由 電子 是多數(shù)載流子 （多子） ，它主要由雜質(zhì)原子提供 ； 空
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