【正文】 極管。 兩種類型的三極管 發(fā)射結(jié) (Je) 集電結(jié) (Jc) 基極 ， 用 B或 b表示（ Base） 發(fā)射極 ， 用 E或 e 表示（ Emitter）； 集電極 ， 用 C或 c 表示（ Collector）。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大穩(wěn)定工作電流 IZmax和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin (4)穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) ? ： 2. 穩(wěn)壓二極管主要參數(shù) TU Z ????+RIR+RLIOVOV IIZDZ正常穩(wěn)壓時 VO =VZ 穩(wěn)壓條件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 圖 3. 穩(wěn)壓電路 半導(dǎo)體二極管的型號 國家標準對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下： 附 錄 P28 思考一下 晶體（半導(dǎo)體）三極管 BJT 本節(jié)需掌握、理解的重點 BJT的結(jié)構(gòu) BJT的電流分配 BJT的參數(shù) BJT的特性曲線 三極管的結(jié)構(gòu)及類型 半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時工作在反向電擊穿狀態(tài)。 根據(jù)所加電壓 Vi選擇模型：當(dāng) Vi較大時，用理想模型；當(dāng) Vi接近 VD時，用恒壓模型或折線模型。 鍺： 數(shù)據(jù)需記憶 二極管的主要參數(shù) 1. IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 ) 3. URM — 最高反向工作電壓，為 U(BR) / 2 4. IR — 反向電流 (越小 ,單向?qū)щ娦栽胶?) 5. fM — 最高工作頻率 (超過時單向?qū)щ娦宰儾?) iD uD U (BR) I F URM O 2. U (BR) — 反向擊穿電壓（ 二極管反向電流剛開始隨反向電壓 值增大而急劇增加時對應(yīng)的反向電壓值） iD uD I F o 實際的特性曲線 )1( /SD D ?? TVveIi3. 半導(dǎo)體二極管的非線性伏安特性 一 .非線性元件的認識 1. 線性元件回顧 ? 電阻：元件兩端的電壓是元件通過的電流的線性函數(shù) Rui??? 電容：元件存儲的電荷是元件兩端的電壓的線性函數(shù) Cqu??電感：元件內(nèi)部的磁通是元件通過的電流的線性函數(shù)L i? ? ?電 阻 電 容 電 感 即：歐姆定律 i u R i D / mA1 . 00. 5– 0. 5– 1 . 0 0. 50 1 . 0 ? D /V圖 圖 二極管的等效電路 ? 數(shù)學(xué)模型方法 ? 模型簡化方法－折線化或其他簡化模型 ? 圖解分析方法 ? 小信號線性化方法 微變等效法 其 本質(zhì) 是對非線性元件伏安特性的模型再構(gòu)建 （體現(xiàn)了“模擬”二字） 4. 含非線性元件的電路一般分析方法 設(shè) :有如右圖含二極管的非線性電路，電路分析要解出 iD 和 vD 。 鍺： Uon= 2. 加反向電壓時，反向電流很小 即 Is硅 (nA)Is鍺 (?A) 硅管比鍺管穩(wěn)定 3. 當(dāng)反壓增大 UBR時再增加，反向激增，發(fā)生反向擊穿， UBR稱為反向擊穿電壓。 (1) 點接觸型 結(jié)構(gòu)示意圖 1 (2) 面接觸型 (3) 平面型 (4) 代表符號 特點 1 結(jié)構(gòu)示意圖 2 特點 2 結(jié)構(gòu)示意圖 3 特點 3 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小 用于檢波和變頻等高頻電路 用于低頻大電流整流電路 PN結(jié)面積大 陰極引線陽極引線PNP 型支持襯底用于高頻整流和開關(guān)電路 PN 結(jié)面積可大可小 往往用于集成電路制造藝中 ( d ) 代表符號 N 陰極 陽極 P 代表符號 半導(dǎo)體二極管圖片 1 2 3 . 二極管的伏安特性 二極管的伏安特性曲線可用下式表示 )1( / ?? TD UuD eIi S 0?D/ V0 .2 0 . 4 0 . 6 0 .8? 10? 20? 3 0? 4 05101 520? 10? 20? 3 0? 40iD/? AiD/ mA死區(qū)VthVBR硅二極管 2CP10的 VI 特性 0?D/ V0 .2 0 . 4 0 . 6? 2 0? 4 0? 605101 520? 10? 20? 3 0? 40iD/? AiD/ mA②①③VthVBR鍺二極管 2AP15的 VI 特性 +i Dv DR1. 正向起始部分存在一個死區(qū)或門坎，稱為開啟電壓。 摻雜濃度大的 二極管容易發(fā)生 不可逆擊穿 — 熱擊穿 PN結(jié)的電流或電壓較大，使 PN結(jié)耗散功率超過極限值，使結(jié)溫升高，導(dǎo)致 PN結(jié)過熱而燒毀。 摻雜濃度小的 二極管容易發(fā)生 ? 齊納擊穿 當(dāng)反向電壓較大時，強電場直接從共價鍵中將電子拉出來，形成大量載流子 ,使反向電流激增 。形成連鎖反應(yīng)，象雪崩一樣 ,使反向電流激增。 PN結(jié)的反向擊穿 反向擊穿 PN結(jié)上反向電壓達到某一數(shù)值，反向電流激增。所以 PN結(jié)兩 側(cè)堆積的多子的濃度 梯度分布也不同，這 就相當(dāng)電容的充放電 過程。剛擴散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。 bC u 擴散電容是由多子擴散后，在 PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲的電荷量 也隨之變化，猶如電容的充放電。 式中 Is ? 飽和電流 。 i D / mA1 . 00. 5– 0. 5– 1 . 0 0. 50 1 . 0 ? D /VPN結(jié)正偏的伏安特性 i D / mA1 . 00. 5– 0. 5– 1 . 0 0. 50 1 . 0 ? D /VPN結(jié)反偏的伏安特性 i D = – I S–– PN結(jié)加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流； PN結(jié)加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由于電流很小，故可近似 認為其截止。 PN結(jié)加正向電壓 PN結(jié)加反向電壓 PN結(jié)加正向電壓時導(dǎo)通 PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通： 耗盡層變窄，擴散運動加劇， 由于外電源的作用，形成擴散電 流， PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。 在空間電荷區(qū)， 由于存在接觸電位 Uho， 所以 又 稱 勢壘區(qū)。 多子的擴散運動 ? 由 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) ? 對于 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為 PN結(jié) 。從而形成接觸電位 Uho ? 接觸電位 Vho決定于材料及摻雜濃度 在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過擴散不同的雜質(zhì) ,分別形成 N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體。 I=IN+IP 擴散電流 在半導(dǎo)體中，當(dāng)載流子的濃度頒布不均勻時，載流子也會從濃度高處向低處作擴散運動，從而形成擴散電流，直到載流子濃度達到平衡為止。 2 摻雜后 N 型半導(dǎo)體中的自由電子濃度 : n=5 1016/cm3 雜 質(zhì)對半導(dǎo)體導(dǎo)電性的影響 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)模型