[工學(xué)]第1章常用半導(dǎo)體器件修改-閱讀頁
2025-03-09 00:48本頁面
【正文】 II ??BNCNEN III ??IC I CN IE I BN I CBO IB IEP IEN IC (基區(qū)空穴運動因濃度低而忽略 ) EPI2. 三極管的電流分配關(guān)系 EPC B OBBN IIII ???C B OBC B OEPBNBIIIIII??????EPBNCNEPENE IIIIII ?????C B OCNC III ??CBE III ??（由基爾霍夫定律）IC 向，且保持不變所標(biāo)的方向都是實際方、 CBE IIIBCNIIdef???C B OBC B OCIIII????C B OCNC III ??C B OBB III ???1）共射直流電流放大倍數(shù) 3. 晶體管的電流放大系數(shù) 集電區(qū)獲得發(fā)射區(qū)的電子 基區(qū)所消耗的空穴 那么 當(dāng)管子制成后 ， 發(fā)射區(qū)載流子濃度 、 基區(qū)寬度 、 集電結(jié)面積等確定 ， 故電流的比例關(guān)系確定 ， 為常數(shù) 。 C E OBCBOBC )1( IIIII ????? ???穿透電流 穿透電流 物理意義：當(dāng)基極開路（ IB=0）時，在 VCC作 用下集電極與發(fā)射極之間形成的電 流。 一般 ? 1 BEBCiiii???????)1( ??BC ii ??????? 1??晶體三極管電流放大的實質(zhì)： 以 很小 的基極輸入電流去 控制 較大 的集電極輸出電流。一般 ? = ? IE=IB+ IC ???Eiic????Ede fIICN??3）共基直流電流放大系數(shù) 共基交流電流放大系數(shù) I CN IE I BN I CBO IB IC IE I BN IB IC I CBO I CN ECII???? ?且??????????1])1[(ECBBIIIICECIIIII???BC??上式分子分母同除以 IE并考慮 的表達(dá)式 ,得 ????? 1?與 ?之間的關(guān)系 三極管的特性曲線 iB=f(vBE)? vCE=const (2) 當(dāng) vCE≥1V時 vCB= vCE vBE0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收 集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的 vBE下 IB減小，特性曲線右移。 1. 輸入特性曲線 （以共射極放大電路為例） 圖 vCE = 0V vCE ? 1V + b c e 共射極放大電路 VBB VCC vBE iC iB + vCE (3) 輸入特性曲線的三個部分 ① 死區(qū) ③ 線性區(qū) ② 非線性區(qū) iC=f(vCE)? iB=常數(shù) 2. 輸出特性曲線 輸出特性曲線的三個區(qū)域 : 飽和區(qū) 截止區(qū) 放大區(qū) + b c e 共射極放大電路 VBB VCC vBE iC iB + vCE 截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。此時， 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 。此時， 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 BECEonBE uuUu ?? 且 放大區(qū)： BCii????條件： 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 特點： 水平、等間隔 uCE /V iC / mA 50 181。A 30 181。A 10 181。 溫度每升高 1?C， UBE ? (2 ? ) mV。 BEuBiO T2 T1 2). 溫度升高，輸出特性曲線向上移。 輸出特性曲線間距增大。 ? ? 2. 極間反向電流 ICEO 即輸出特性曲線 IB=0那條曲線所對應(yīng)的 Y坐標(biāo)的數(shù)值。 +bceuAIe=0VCCIC B O+bceVCCIC E OuA (1) 集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開 路時，集電結(jié)的反向飽和電流。 (3)晶體管安全工作區(qū) 4. 反向擊穿電壓 ? V(BR)CBO—— 發(fā)射極開路時 的集電結(jié)反 向擊穿電壓。 ? V(BR)CEO—— 基極開路時集電 極和發(fā)射 極間的擊穿電壓。 （ 2） 外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置 。 一組公式 總結(jié)與思考 P39 思考一下 小 結(jié) 第 一 章 一、兩種半導(dǎo)體和兩種載流子 兩種載流 子的運動 電子 — 自由電子 空穴 — 價電子 兩 種 半導(dǎo)體 N 型 (多電子 ) P 型 (多空穴 ) 二、 二極管 1. 特性 — 單向 導(dǎo)電 正向電阻小 (理想為 0)， 反向電阻大 (?)。 放 大 條 件 內(nèi)因：發(fā)射區(qū)載流子濃度高、 基區(qū)薄、集電區(qū)面積大 外因： 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏 3. 電流關(guān)系 IE = IC + IB IC = ? IB + ICEO IE = (1 + ?) IB + ICEO IE = IC + IB IC = ? IB IE = (1 + ? ) IB 4. 特性 iC / mA uCE /V 100 181。A 60 181。A 20 181。A 80 181。A 40 181。A IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 放大區(qū) 飽 和 區(qū) 截止區(qū) 放大區(qū)特點： 1)iB 決定 iC 2)曲線水平表示恒流 3)曲線間隔表示受控 5. 參數(shù) 特性參數(shù) 電流放大倍數(shù) ? ? ? = ? /(1 ? ? ) ? = ? /(1 + ? ) 極間反向電流 ICBO ICEO 極限參數(shù) ICM PCM U(BR)CEO uCE O ICEO iC ICM U(BR)CEO PCM 安 全 工 作 區(qū) = (1 + ?) ICBO 四、晶體管電路的基本問題和分析方法 三種工作狀態(tài) 狀態(tài) 電流關(guān)系 條 件 放大 I C = ? IB 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 飽和 I C ? ? IB 兩個結(jié)正偏 ICS = ? IBS 集電結(jié)零偏 臨界 截止 IB 0, IC = 0 兩個結(jié)反偏 判斷導(dǎo)通還是截止： UBE Uon 則導(dǎo)通 以 NPN為 例： UBE Uon 則截止 判斷飽和還是放大： 1. 電位判別法 NPN 管 UC UB UE 放大 UE UC ? UB 飽和 PNP 管 UC UB UE 放大 UE UC ? U B 飽和 2. 電流判別法 IB IBS 則飽和 IB IBS 則放大 CC E( s a t )CCCSBS RUVII?????VCC Rc ui + uo + Rb VBB C1 C2 重點強(qiáng)調(diào)：三極管工作在線性區(qū)的條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 ? NPN管 EB uuu ??C? PNP管 EB uuu ??C? Si管 Ge管 Vu BE ?Vu BE
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