半導體產業(yè)分析-文庫吧資料
2024-10-19 21:13本頁面
【正文】 = 0 . 2 181。 m M O S 0 . 7 t o = 0 . 4 181。 m0 . 05 0 . 01 0 0 . 01 5 0 . 02 0 0 . 02 5 0 . 03 0 0 . 01Q032Q033Q03WSpW x1000405060708090100PercentM O S 0 . 1 6 181。 DRAM 深溝式與堆疊式製程技術比較 優(yōu)點 缺點 堆疊式 電容量擴充性佳，高階物性易克服 不利系統(tǒng)單晶片(SOC)的開發(fā) 深溝式 單片裸晶數(shù)較堆疊式 增加 10% 高階製程的物性限制高，可能影響良率 VI. 臺灣 半導體產業(yè)概況 資訊應用 IC設計產業(yè) ： 通訊應用 消費性應用 提升良率 (瓶頸 ) IC製造 (代工 )產業(yè) ： 資本支出 (下降 ) IC封裝測試產業(yè) DRAM產業(yè) 臺灣 IC製造業(yè)產能統(tǒng)計 全球代工市場 M O S 0 . 2 181。 ◎ 揮發(fā)性記憶體 ：在電源關閉後，所儲存資料將 消失。 ◎ 半導體的導電 ： 正 (P)形半導體：矽 ┼ 硼 ， 增加電洞 負 (N)形半導體：矽 ┼ 磷或砷 ， 增加電子 ◎ 半導體元件的發(fā)展要素： 產出良率 效能 /價格比 市場需求 ◎半導體材質： 單一元素 (Monolithic) 化合物半導體 (Hybrid) ◎ 矽半導體元件 ◎ 積體電路集積度 SSI：小規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 10個電晶體 ) MSI：中規(guī)模積體電路
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