【正文】 籌碼（盡管代價高昂）。但如上所述，幾乎所有尖端設(shè)備，我們自己都不能設(shè)計制造，基本依賴進口。產(chǎn)業(yè)內(nèi)各重要環(huán)節(jié)（基礎(chǔ)行業(yè)、設(shè)計、制造工藝、封裝），尚未掌握足以跨國公司對等合作的關(guān)鍵技術(shù)專利。 葉甜春，2000年。占IC市場總份額66%的CPU和存儲器芯片，我國無力自給。 ，接近國際先進水平（技術(shù)的主導(dǎo)權(quán)目前基本上還在外方手中）。從芯片制造技術(shù)看，和國際先進水平的差距至少是2代。 友旺：在杭州投資一條6寸線，10億人民幣左右，已打樁。 北京訊創(chuàng)：6寸線，投資2億美元。上海宏立：預(yù)計2002年一季度投入試運行，16億美元。2001年11月將在上海試投產(chǎn)。上海中芯：1/3國內(nèi)資金，2/3臺資（第三國注冊）。2001年5月試投產(chǎn)，計劃11月量產(chǎn)。在國家發(fā)展規(guī)劃和產(chǎn)業(yè)政策的鼓舞下，各地政府紛紛出臺微電子產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，其中上海和北京為中心的兩個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集中區(qū)，優(yōu)惠力度較大，投資形勢也最令人鼓舞。 表53 我國近年來集成電路供需情況 （產(chǎn)/銷量：億塊 產(chǎn)/銷值：億人民幣）產(chǎn)量其中內(nèi)銷產(chǎn)值其中內(nèi)銷總銷售量總銷售金額1997（）（117）（356）1998（）12136019991704362000240（1200）資料來源：科技部《中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告1999》P65，以及參考各有關(guān)文獻整理。 陳文華，1998年。由此，進入1990年代以來，我國集成電路進口迅速增長。著名的聯(lián)想集團，計算機國內(nèi)市場占有率是老大，利潤率僅3%。但無論如何，我國現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遠遠落后于國內(nèi)需求的迅速增長則是不爭的事實。 《產(chǎn)業(yè)論壇》1998年第18期。但芯片走私的因素，可能又使自給率12%～15%的估計過分夸大。如此推算，國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)滿足國內(nèi)市場的實際比重在12%～15%。但是，有兩個因素影響了對芯片生產(chǎn)自給率的準確估計。業(yè)內(nèi)普遍估計，今后10年，半導(dǎo)體的國內(nèi)需求仍將以20%的速率遞增，估計2005年，我國集成電路國內(nèi)市場的需求約為300億塊、800億元人民幣；2010年，達到700億塊、2100億元人民幣。2000年，全球半導(dǎo)體銷售額達到1950億美元，我國半導(dǎo)體生產(chǎn)從價值量上看，%（含封裝、設(shè)計產(chǎn)值），從加工數(shù)量看占全世界份額不足1%（美國占32%，日本占23%）。如果加上半導(dǎo)體分立器件，總產(chǎn)值達到260億元。 供需情況和近期發(fā)展形勢20世紀90年代，我國集成電路產(chǎn)業(yè)呈加速發(fā)展趨勢，年均增長率在30%以上。芯片制造設(shè)備，我國只具備部分淺層次設(shè)計制造能力。2000年，我國集成電路封裝業(yè)的銷售收入超過130億元，其中銷售收入超過1億元的14家，全年封裝電路近45億塊，其中年封裝量超過5億塊的5家。集成電路封裝業(yè)在整個產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)含量最低，投入也相對較少（與芯片制造之比一般為10：1）。 國內(nèi)現(xiàn)有封裝企業(yè)規(guī)模都不大，而且所用芯片、框架、模塑料等也主要靠進口，因此大量的集成電路封裝產(chǎn)品也只是簡單加工，技術(shù)上與國際封裝水平相差較遠。同年全國電子信息產(chǎn)業(yè)總銷售額5800億元人民幣，利潤380億，%。目前這些企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營情況良好。表52 中國六大骨干集成電路生產(chǎn)企業(yè)現(xiàn)有芯片生產(chǎn)線月投產(chǎn)能力企業(yè)名稱工藝水平圓片尺寸月投片能力華晶25μ（雙極）4～55610000120006000華越25μ 雙極15000上海貝嶺410000先進23μ 雙極 CMOS56120006000首鋼NEC CMOS68000華虹NEC CMOS820000資料來源：《1999中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告》，P65。目前芯片生產(chǎn)技術(shù)多為6英寸硅片、。該工程使我國芯片制造進入世界主流技術(shù)水平，增強了國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能力的信心。前工序制造：1990年代以來，國家通過投資實施“908”、“909”工程，形成了國家控股的骨干生產(chǎn)企業(yè)。這個系統(tǒng)的開發(fā)成功，使我國繼美國、歐共體、日本之后，第四個成為能夠開發(fā)大型的集成電路設(shè)計軟件系統(tǒng)的國家。目前，我國在通信類集成電路設(shè)計有一定的突破。700萬元件，3層金屬布線，雙層布線?，F(xiàn)主要利用外商提供的EDA工具，運用門陣列、標準單元，全定制等多種方法進行設(shè)計?？備N售額10億元左右。2000年，集成電路設(shè)計業(yè)銷售額超過300萬元的企業(yè)有20多家，其中超過1000萬的約10家。 設(shè)計：集成電路的設(shè)計匯集電路、器件、物理、工藝、算法、系統(tǒng)等不同技術(shù)領(lǐng)域的背景，是最尖端的技術(shù)之一。其中三資企業(yè)的銷售額約占總銷售額的88%（1998年）。我國歷年對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的總投入約260億元人民幣（含126億元外資）。 產(chǎn)業(yè)構(gòu)成、供需情況和整體差距 產(chǎn)業(yè)的構(gòu)成1980年前，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成較完整的包括設(shè)備、原料、制造、工藝等方面的科研和生產(chǎn)體系，主要分布于原電子部（信息產(chǎn)業(yè)部）、中國科學(xué)院和航天部系統(tǒng)。但是，被看好的國產(chǎn)手機生產(chǎn)行業(yè)，2000年國內(nèi)11個廠，只有兩個企業(yè)贏利，原因就在于芯片依靠進口，被人家卡了脖子，芯片和軟件進口成本已接近進口整機成本。中關(guān)村的高科技民營企業(yè)，可以占領(lǐng)大部分計算機市場的份額，但計算機利潤率只有3%，而英特爾連續(xù)多年純利潤率在30%以上。對于技術(shù)含量不同的產(chǎn)業(yè)來說，技術(shù)、資金、管理、市場的門坎是不一樣的，門坎太高，單個企業(yè)無法跨過去。但是，學(xué)術(shù)界很少有人提起1980年代集成電路分散投資、重復(fù)建設(shè)，最后落得兩手空空的歷史（在數(shù)控機床領(lǐng)域中也有相同的案例）。其原因，就是電子產(chǎn)品整機的核心部件——半導(dǎo)體芯片，自己無力滿足。在這10年中，我國電話普及率從4%左右擴張到20%；移動電話從80年代的一片空白到2001年的1億用戶。從“以市場換技術(shù)”，演變到“以市場換資金”，結(jié)果技術(shù)、市場都在外商手里。綜合科技水平，比西方落后1520年甚至更大。由于缺乏有效應(yīng)對措施，政府主持的官產(chǎn)學(xué)研結(jié)合攻關(guān)機制的效能明顯降低。此后一代復(fù)一代的引進，許多企業(yè)掉進“引進陷阱”，無法形成良性循環(huán)，使我們在產(chǎn)業(yè)整體落后國際水平數(shù)代的情況下，仰賴洋人的“恩賜”，亦步亦趨。但是，由于我國財力有限，技術(shù)難度大，受工業(yè)實力和工藝支持的制約，以及力量分散等原因，導(dǎo)致攻關(guān)研制周期長（58年），實用化程度低（多數(shù)只停留在出12臺樣機階段），追不上國際進步的速度，也難以適應(yīng)企業(yè)的迫切要求；另一方面因缺乏統(tǒng)一計劃協(xié)調(diào)機制，使用單位熱衷于引進中低檔專用設(shè)備；引進設(shè)備后也難于作為研究消化對象（不論部門內(nèi)還是部門之間都是如此）?！氨M管對外開放，并不能獲得所需的技術(shù)，外界對我們放松程度時機，取決與我自身的技術(shù)進展程度，沒有自己在設(shè)備方面的工作，引進談判的基礎(chǔ)都沒有”。國外在某一項或幾項單元技術(shù)上獲得創(chuàng)新知識和突破，即產(chǎn)生新一代設(shè)備）。這說明我們在電子高技術(shù)設(shè)備方面是有一定自主開發(fā)能力的。10年中研制出各型光刻機、電子束曝光機、掩膜缺陷自動檢測系統(tǒng)等多種關(guān)鍵設(shè)備。有的廠請外國專家維護服務(wù)，人家一上飛機就開始計算人工費，1小時80美元?！百I不到，買不全，買不起，買不完。沒有自己的設(shè)備技術(shù)能力，雖然引進了設(shè)備，但沒有材料，備品、備件，還要用大量外匯購買?！澳乘M光刻機，不給，沈陽儀器廠第一代、第二代做出來了，就開始給我們”。 “電子部某所要引進256K技術(shù)，外國一直不給我們?！?986年，我國64K DRAM研制成功，美國同年10月對華出口放松3微米技術(shù)?！?985年，清華、電子部某所鑒定投影光刻機，同年美國放寬這類設(shè)備的禁運。1981年，我接近/接觸式光刻機在國內(nèi)通過鑒定，1982年美國即向我出售接近/接觸式光刻機.。我們沒有掌握的技術(shù)，他們不賣，但一旦我國自己研制出來，外國馬上通知，這種產(chǎn)品和技術(shù)可以賣給我們，以搶占市場，把我們的新產(chǎn)品扼殺在襁褓之中。冷戰(zhàn)結(jié)束、巴統(tǒng)取消后，西方仍對向我國半導(dǎo)體技術(shù)的出口實行嚴格限制和封鎖，力圖對我保持23代的技術(shù)優(yōu)勢。長期以來，我們在半導(dǎo)體領(lǐng)域的引進，受到來自西方的嚴格封鎖、限制或遏制。韓、臺、新加坡盡管芯片制造能力（主要是工藝）很強，但也沒有開發(fā)關(guān)鍵設(shè)備的能力，基本依賴進口。掌握了制造設(shè)備的創(chuàng)新能力才算到達了行業(yè)的制高點。 鄒世昌（華虹NEC副董事長）訪談，2001年3月。只要你這條路走通了，民間資金，國外資金就會投向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。 “我們希望，華虹NEC能證明，半導(dǎo)體在大陸上是可以玩的。這樣的機遇以后也不會多。正是“909”的成功，為上海和華東地區(qū)形成新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)群落帶來了大好契機。飯總要一口一口吃。這不能不說是一個遺憾。合作協(xié)議規(guī)定，由日方人員主管5年（任董事長），5年后移交中方?！?09”是在吸取了歷史教訓(xùn)基礎(chǔ)上，由國家集中組織，一次性大規(guī)模投資取得的成果。主要代表產(chǎn)品是64M隨機動態(tài)存儲器。在尚未達產(chǎn)情況下，2000年底，產(chǎn)量達到2萬片，全年銷售額17億，利潤3億。該項目1995年立項，共投資100億人民幣，其主體是一條8英寸，（華虹NEC），其設(shè)備的先進性達到同期國際水平；另外還有若干集成電路設(shè)計公司。直到“909”項目的成功，才使我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界恢復(fù)了一點自信。 “909”的成功，增強了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的自信 20多年來，我國半導(dǎo)體領(lǐng)域從爭相引進、無所建樹到“人財兩空”，以致到后來誰都說“半導(dǎo)體不是好玩的”，“幾十億扔進去聽不到響”，“上頭一聽半導(dǎo)體就頭大”。技術(shù)已經(jīng)前進了幾代。新加坡的CHATER公司也是1990年開始引進生產(chǎn)線，兩年建成，三年投產(chǎn)，到今天已經(jīng)成為國際著名半導(dǎo)體公司。當時的方針是要搞中外合作，由于找合作方困難拖延時日（不敢自己搞設(shè)備），最后還是引進一條二手的6英寸生產(chǎn)線。同時又面臨美國對我出口設(shè)備封鎖，引進過程中被奸商坑騙，蒙受巨大損失（關(guān)鍵設(shè)備被美國海關(guān)無理扣押）。但是，在實際上馬過程中，僅僅立項就用了4年（1994年立項才獲批準），突出暴露了我國決策機制之遲緩，不能適應(yīng)高科技產(chǎn)業(yè)快節(jié)奏發(fā)展的弊病。目的是加強華晶已有型號并擴大1微米集成電路的生產(chǎn)（后又增加了亞微米技術(shù)），并“從此貫徹自力更生為主的方針，將IC之根扎在中國國土”。為改變我國當時只具有53微米線寬集成電路技術(shù)能力的落后狀況，1990年8月，國家決定投資20億人民幣，上馬“908工程”。 “908”項目：從決策到投產(chǎn)用了7年 1978年，無錫742廠（今華晶廠），從日本東芝引進全套彩電用線性集成電路生產(chǎn)線（5微米技術(shù)），1982年起投產(chǎn)，1985年國家驗收通過。1990年起實施“908工程”等等。國家對治理電子工業(yè)的“散”“亂”問題，為振興我國電子工業(yè)，曾采取了一系列重大措施。所以，這33條線絕大多數(shù)沒有發(fā)揮作用。到后來，比起周圍都落后了。結(jié)果，“都是三天打魚、兩天曬網(wǎng)這么弄，虧本了。 馬賓，1996年。但是，由于當時“巴統(tǒng)”的禁運政策，引進設(shè)備基本上都是已經(jīng)淘汰的，有的不配套，達不到設(shè)計能力，只有1/3可以開動。在大量進口汽車、大量引進彩電、冰箱生產(chǎn)線的同時，各科研、制造單位和大專院校，大量引進半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。但是，在巨大的進口潮沖擊下，1980年代后期停止了在通用電路方面的追趕（256K存儲器的研發(fā)計劃被擱置），轉(zhuǎn)而走技術(shù)引進的路子。 分散引進，33條生產(chǎn)線不見成效“文革”結(jié)束后的1980年代初，我國科研隊伍繼承了20世紀60年代的傳統(tǒng)，努力追趕國際水平。由過去重基礎(chǔ)、科研先導(dǎo)模式的“慣性延伸”（1978～1984），引進尾追（1985～1989），逐步演變?yōu)槟壳暗娜Y為主（1990～）的發(fā)展局面。由于封閉的外部環(huán)境，自身工業(yè)基礎(chǔ)薄弱，半導(dǎo)體科研和生產(chǎn)工藝發(fā)展長期停滯，和國際水平的差距迅速拉大。隨后的“文化大革命”耽誤了10年。為今后發(fā)展打下了基礎(chǔ)。國家曾組織三次全國規(guī)模的大規(guī)模集成電路（LSI）大會戰(zhàn)，以邏輯電路、數(shù)字電路為主，主要為計算機配套，開發(fā)出了自己的1012370計算機系列。1965年，我國已自主研制成第一塊硅數(shù)字集成電路，僅比美國日本晚了幾年，而且勢頭不亞于同處于半導(dǎo)體發(fā)展初期的美國。 我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的曲折歷程我國大陸半導(dǎo)體工業(yè)：起大早，趕晚集30多年來，我國微電子科技和工業(yè)的發(fā)展歷程，從大的方面看可分為改革開放前的自主研發(fā)創(chuàng)業(yè)時期（1965～1978），和改革開放后的引進、提高、和和重點建設(shè)時期（1979～）。為了跨過技術(shù)、資金、管理和市場門坎，要求高強度的技術(shù)引進，要求有效動員本國的工業(yè)和科技基礎(chǔ)，縮短技術(shù)引進消化再創(chuàng)新周期，否則將掉進“引進陷阱”而不得自拔。韓、臺的實例說明，后進國家（地區(qū)）被排除在國際性的高科技領(lǐng)域之外或被置于產(chǎn)業(yè)鏈底層的態(tài)勢，并非永恒和“必然規(guī)律”；問題在于是否真的想搞，和怎樣利用有利條件或創(chuàng)造條件，跨過上面所說的“四大門坎”。韓國和臺灣實現(xiàn)微電子技術(shù)跨越的共同有利因素，是獲得高級制造設(shè)備、跟進國際技術(shù)發(fā)展比較容易，而面臨的共同障礙是本地市場相對狹小。臺灣當局通過對關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)的資助和各項優(yōu)惠政策，特別是重視、鼓勵與美國產(chǎn)業(yè)聚集地（尤其是硅谷）的技術(shù)交流和跨洋合作，吸引華裔企業(yè)家和科學(xué)家，前來創(chuàng)建集成電路代工企業(yè)和設(shè)計公司。而獲得高級人力資源是提升本國技術(shù)水平、縮短技術(shù)差距的主要因素。如此，韓國幾個主要的電子企業(yè)用較短的周期掌握了關(guān)鍵的設(shè)計和工藝技術(shù)，開發(fā)出足以國際在市場占有一席之地的產(chǎn)品系列。 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，繼日本的趕超之后，實現(xiàn)成功追趕的的典型范例是韓國和我國臺灣。 韓國臺灣發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的經(jīng)驗半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和其他高科技產(chǎn)業(yè)一樣，后進國家（地區(qū)）在這一領(lǐng)域要實現(xiàn)追趕，面臨資金、技術(shù)、管理和市場這幾大障礙，這是必須跨越的門坎。這就是多年來摩爾定律賴以實現(xiàn)的高強度的“創(chuàng)新競爭”機制。