半導體產(chǎn)業(yè)分析-wenkub
2022-10-22 21:13:57 本頁面
【正文】 Q 3Q 4Q 1Q20202Q 3Q50556065707580859095100M O S = 0 . 7 181。 ◎ 非揮發(fā)性記憶體 ：在電源關閉後，仍保存既有 資料。 製造流程 I. 半導體材料 ◎ 半導體 (SemiConductor)：導電性介於導 體與導體之間 ， 利用人為方式 (電壓 ) 來控 制電子之傳遞 。 ◎ 半導體的導電 ： 正 (P)形半導體：矽 ┼ 硼 ， 增加電洞 負 (N)形半導體：矽 ┼ 磷或砷 ， 增加電子 ◎ 半導體元件的發(fā)展要素： 產(chǎn)出良率 效能 /價格比 市場需求 ◎半導體材質(zhì)： 單一元素 (Monolithic) 化合物半導體 (Hybrid) ◎ 矽半導體元件 ◎ 積體電路集積度 SSI：小規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 10個電晶體 ) MSI：中規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 102個電晶體 ) LSI：大規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 104個電晶體 ) VLSI：超大規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 106個電晶體 ) ULSI：超大規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 108個電晶體 ) GLSI：巨大規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 109個電晶體 ) 莫爾定律：「晶片的電晶體數(shù)目每 18個月會增加兩倍。 DRAM 深溝式與堆疊式製程技術比較 優(yōu)點 缺點 堆疊式 電容量擴充性佳，高階物性易克服 不利系統(tǒng)單晶片(SOC)的開發(fā) 深溝式 單片裸晶數(shù)較堆疊式 增加 10% 高階製程的物性限制高，可能影響良率 VI. 臺灣 半導體產(chǎn)業(yè)概況 資訊應用 IC設計產(chǎn)業(yè) ： 通訊應用 消費性應用 提升良率 (
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