半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析-wenkub
2022-10-22 21:13:57 本頁(yè)面
【正文】 Q 3Q 4Q 1Q20202Q 3Q50556065707580859095100M O S = 0 . 7 181。 ◎ 非揮發(fā)性記憶體 ：在電源關(guān)閉後，仍保存既有 資料。 製造流程 I. 半導(dǎo)體材料 ◎ 半導(dǎo)體 (SemiConductor)：導(dǎo)電性介於導(dǎo) 體與導(dǎo)體之間 ， 利用人為方式 (電壓 ) 來(lái)控 制電子之傳遞 。 ◎ 半導(dǎo)體的導(dǎo)電 ： 正 (P)形半導(dǎo)體：矽 ┼ 硼 ， 增加電洞 負(fù) (N)形半導(dǎo)體：矽 ┼ 磷或砷 ， 增加電子 ◎ 半導(dǎo)體元件的發(fā)展要素： 產(chǎn)出良率 效能 /價(jià)格比 市場(chǎng)需求 ◎半導(dǎo)體材質(zhì)： 單一元素 (Monolithic) 化合物半導(dǎo)體 (Hybrid) ◎ 矽半導(dǎo)體元件 ◎ 積體電路集積度 SSI：小規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 10個(gè)電晶體 ) MSI：中規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 102個(gè)電晶體 ) LSI：大規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 104個(gè)電晶體 ) VLSI：超大規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 106個(gè)電晶體 ) ULSI：超大規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 108個(gè)電晶體 ) GLSI：巨大規(guī)模積體電路 (一顆 IC含 109個(gè)電晶體 ) 莫爾定律：「晶片的電晶體數(shù)目每 18個(gè)月會(huì)增加兩倍。 DRAM 深溝式與堆疊式製程技術(shù)比較 優(yōu)點(diǎn) 缺點(diǎn) 堆疊式 電容量擴(kuò)充性佳，高階物性易克服 不利系統(tǒng)單晶片(SOC)的開發(fā) 深溝式 單片裸晶數(shù)較堆疊式 增加 10% 高階製程的物性限制高，可能影響良率 VI. 臺(tái)灣 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況 資訊應(yīng)用 IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè) ： 通訊應(yīng)用 消費(fèi)性應(yīng)用 提升良率 (
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