固體與半導體物理平衡狀態(tài)下的半導體-文庫吧資料
2024-08-18 06:42本頁面
【正文】 ? ? ? ? 熱平衡狀態(tài)下的非簡并半導體的判據(jù)式 vN價帶有效狀態(tài)密度 五 .本征半導體的費米能級和載流子濃度 iE00 pn ?電中性條件 e x p ( ) e x p ( )C F F VCVBBE E E ENNk T k T??? ? ?CVBVCiF NNn2 TK2 EEEE ?????*n*pBVCi mmn4 TK32 EEE ???? 00in n p?? 2 00in n p?00 e x p ( )gCVBEn p N NkT??1 2( ) e x p ( )2gi C VBEn N NkT? ? ?in用 和 表示 和 iE in0n 0p0 e x p ( ) e x p ( )C F i FciBBE E E En N nK T k T??? ? ? ?0 e x p ( ) e x p ( )F V F iViBBE E E EP N nK T k T??? ? ? ?六 .雜質(zhì)半導體的費米能級和載流子濃度 n型： 00np??00pn??p型 : 電子－多子 空穴－少子 電子－少子 空穴－多子 00np? ? ? 11e xp ( ) 12DD DFBfE EEkT? ??（ 1）施主能級上電子的分布函數(shù) A:施主能級上的電子濃度 Dn 未電離的施主濃度 ? ? 11 e xp ( )2DD D D DDFBNn N f EEEkT?? ??B:電離施主濃度 Dn?D D Dn N n? ??1 2 e xp ( )DFDBNEEkT? ??F D BE E k T? ?? 0 DnN? 0Dn? ? 雜質(zhì)基本未電離 D F BE E k T? ?? 0 0n ? DDnN? ? 雜質(zhì)全部電離 DFEE? 023 DnN? 13DDnN? ? 23 13未電離 電離 ? ? 11e xp ( ) 12AA FABfE EEkT? ??（ 2）受主能級上空穴的分布函數(shù) Ap A:未電離的受主濃度 ? ? 11 e xp ( )2AA A A AFABNp N f EEEkT?? ??B:電離受主濃度 Ap?A A Ap N p? ??1 2 e xp ( )AAFBNEEkT? ??2. n型半導體的費米能級和載流子濃度 計算的一般方法： A:由電中性條件 FE 00np或B:聯(lián)立 200 in p n?電 中 性 條 件00np或 FE（ 1）電中性條件 0D0 Pnn ?? ?00( ) 0Dq n P n? ? ? ?e xp( ) e xp( )1 2 e xp( )C F F V DcvDFBBBE E E E NNNEEK T K TKT??? ? ? ????(2) 低溫弱電離區(qū) 電中性條件 ?? D0 nn )2l n()2(2CDBDCF NNTKEEE ???0: lim 2CDFTKEEAE???:BT ? ? ?F從 0K Ta ,T ,E( 0)FdEdT ?: , 0FdEC T Ta dT?? ?:, FD T T a T E? ? ?( 0)FdEdT?: DFE N E越
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