【摘要】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體,根據(jù)對(duì)導(dǎo)電性的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié),在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導(dǎo)體單晶上,
2025-07-31 02:12
【摘要】半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)與起源(~1900)在二十世紀(jì)的近代科學(xué),特別是量子力學(xué)發(fā)展知道金屬材料擁有良好的導(dǎo)電與導(dǎo)熱特性,而陶瓷材料則否,性質(zhì)出來(lái)之前,人們對(duì)于四周物體的認(rèn)識(shí)仍然屬于較為巨觀的瞭解,那時(shí)已經(jīng)介于這兩者之間的,就是半導(dǎo)體材料。英國(guó)科學(xué)家法拉第(MIChaelFaraday,1791~1867),在電磁學(xué)方面擁有許多貢獻(xiàn),為人所知的,則是他在1833年發(fā)現(xiàn)的其中一種半
2025-04-10 02:20
【摘要】試卷結(jié)構(gòu):一、選擇題(每小題2分,共30分)二、填空題(每空2分,共20分)三、簡(jiǎn)答題(每小題10分,共20分)四、證明題(10分)(第六章)五、計(jì)算題(20分)(第五章)§鍺和硅的晶體結(jié)構(gòu)特征金剛石結(jié)構(gòu)的基本特征(重點(diǎn))§半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶電子共有化運(yùn)動(dòng)概念:原子組成晶體后,由于電子殼層的交疊,電子不再完全局限在某一
2025-06-13 16:48
【摘要】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費(fèi)米能級(jí)較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級(jí)相等。2.半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央,其導(dǎo)帶極小值位于【100】,因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類:點(diǎn)缺陷,如空位間
2025-01-20 18:45
【摘要】半導(dǎo)體物理習(xí)題解答(河北大學(xué)電子信息工程學(xué)院席礪莼)1-1.(P32)設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價(jià)帶極大值附近能量Ev(k)分別為:Ec(k)=+和Ev(k)=-;m0為電子慣性質(zhì)量,k1=1/2a;a=。試求:①禁帶寬度;②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;③價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量;④價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化。[解]①禁帶寬度
2025-01-20 18:50
2025-06-13 17:02
【摘要】SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTORPHYSICS西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體表面和表面能級(jí)Si-SiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理表面能帶彎曲與反型表面復(fù)合第五章半導(dǎo)體表面Schoo
2025-07-24 13:44
【摘要】SemiconductorPhysicsChapter1上海交通大學(xué)成教院電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)半導(dǎo)體物理學(xué)SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsChapter1電話:36033332(H)13482657996(M)上海交通大學(xué)微納科學(xué)技術(shù)
2025-08-07 14:52
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件1雙極型晶體管及相關(guān)器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理PhysicsofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件2本章內(nèi)容?雙極型晶體管的工作原理?雙極型晶體管的靜態(tài)特性
2025-01-19 12:25
【摘要】我的信息最高能帶填滿,再高的各能帶是空的5~7gEeV?2gEev?由于熱激發(fā),滿帶電子躍遷到上面的空帶,兩個(gè)能帶都成了不滿帶,具備導(dǎo)電能力。為什么Si、Ge是半導(dǎo)體而金剛石是絕緣體?Ge的4個(gè)價(jià)電子Si的4個(gè)價(jià)電子金剛石的4個(gè)價(jià)電子134,
2024-08-18 06:42
【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)主講人:代國(guó)章物理樓110室,13786187882Email:?課程代碼:14010022?課程性質(zhì):專業(yè)課程/選修課學(xué)分:?時(shí)間:周二(7,8)、(單周)周三(1,2)?教室:D座103?課程特點(diǎn):內(nèi)容廣、概念多,理論和系統(tǒng)性較強(qiáng)。?課程要求:著重物理概念及物理
2025-01-19 12:27
【摘要】晶體結(jié)構(gòu)晶格§1晶格相關(guān)的基本概念1.晶體:原子周期排列,有周期性的物質(zhì)。2.晶體結(jié)構(gòu):原子排列的具體形式。3.晶格:典型單元重復(fù)排列構(gòu)成晶格。4.晶胞:重復(fù)性的周期單元。5.晶體學(xué)晶胞:反映晶格對(duì)稱性質(zhì)的最小單元。6.晶格常數(shù):晶體學(xué)晶胞各個(gè)邊的實(shí)際長(zhǎng)度。7.簡(jiǎn)單晶格&復(fù)式晶格:原胞中包含一個(gè)原子的為簡(jiǎn)單晶格,兩個(gè)或者兩個(gè)以上
2025-06-13 17:10
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件1光電器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件2本章內(nèi)容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導(dǎo)體激光?光
2025-01-20 10:23
【摘要】 2.兩種金屬A和B通過(guò)金屬C相接觸,若溫度相等,證明其兩端a,b的電勢(shì)差同A,B直接接觸的電勢(shì)差一樣。如果A是Au,B是Ag,C是Cu或Al,則Vab為多少?4.受主濃度NA=1017CM-3的P型鍺,室溫下的功函數(shù)是多少?若不考慮表面態(tài)的影響,它分別同Al,Au,Pt接觸時(shí),形成阻擋層還是反阻擋層?鍺的電子親和
【摘要】目錄第一章、量子力學(xué)初步 3、一維無(wú)限深勢(shì)阱: 3、一維有限深勢(shì)阱: 3、周期勢(shì)(周期有限勢(shì)阱): 3、隧道效應(yīng): 3第二章、晶格振動(dòng) 4、載流子的散射: 4、為什么要研究晶格振動(dòng)? 4、一維雙原子晶格的振動(dòng):分為光學(xué)波(相對(duì),高頻)和聲學(xué)波(整體,低頻) 4、為什么稱為光學(xué)波? 4、為什么稱為聲學(xué)波? 4、三維晶體中的晶格振動(dòng): 4第三章、