【摘要】半導(dǎo)體材料—硅摘要半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。本文就半導(dǎo)體硅材料作了簡(jiǎn)單介紹。引言能源、信息、材料是人類社會(huì)的三大支柱。半導(dǎo)體硅材料則是電子信息產(chǎn)業(yè)(尤其是集成電路產(chǎn)業(yè))和新能源、綠色能源硅光伏產(chǎn)業(yè)的主體功能材料,硅材料的使用量至今仍然占全球半導(dǎo)體材料的9
2024-08-18 03:43
【摘要】第一章緒論1.半導(dǎo)體材料的五大特性:整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、負(fù)電阻溫度效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)和霍爾效應(yīng)所謂光電導(dǎo)效應(yīng),是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān),在它兩端加一個(gè)正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過(guò)來(lái),它就不導(dǎo)通,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)。2.能帶結(jié)構(gòu)3.外延生長(zhǎng):在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄膜稱為外延生長(zhǎng)。如果襯底材料和外延層是同一種
2025-01-21 01:43
【摘要】第4章對(duì)半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求材料學(xué)院徐桂英半導(dǎo)體材料第4章對(duì)半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求?半導(dǎo)體材料的實(shí)際應(yīng)用是以其作出的器件來(lái)實(shí)現(xiàn)的。?器件對(duì)材料的要求總的說(shuō)來(lái)有兩個(gè)方面:?一方面是根據(jù)器件的功能來(lái)選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、遷移率、光學(xué)性質(zhì)等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-05-12 12:45
【摘要】化合物半導(dǎo)體材料與器件?輸運(yùn):載流子的凈流動(dòng)過(guò)程稱為輸運(yùn)。?兩種基本輸運(yùn)體制:漂移運(yùn)動(dòng)、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。?載流子的輸運(yùn)現(xiàn)象是最終確定半導(dǎo)體器件電流-電壓特性的基礎(chǔ)。?假設(shè):雖然輸運(yùn)過(guò)程中有電子和空穴的凈流動(dòng),但是熱平衡狀態(tài)不會(huì)受到干擾。?涵義:n、p、EF的關(guān)系沒(méi)有變化。(輸運(yùn)過(guò)程中特定位置的載流子濃度不發(fā)生變化)?熱運(yùn)動(dòng)的速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超
2025-05-12 06:14
【摘要】第一章半導(dǎo)體材料(一)信息功能材料第一章半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體的基本特性、結(jié)構(gòu)與類型?半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)?半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)和缺陷?典型半導(dǎo)體材料的應(yīng)用和器件內(nèi)容:重點(diǎn):?半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)和能帶?典型半導(dǎo)體的應(yīng)用引言導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體導(dǎo)電性劃分結(jié)晶半導(dǎo)體元素半導(dǎo)體非結(jié)晶半導(dǎo)體半導(dǎo)體有機(jī)半導(dǎo)體
2025-05-09 18:11
【摘要】理學(xué)院時(shí)金安08350022022年4月12日半導(dǎo)體納米材料——實(shí)驗(yàn)進(jìn)展半導(dǎo)體納米材料表征手段制備方法0102制備方法碳納米管模板法熔鹽法激光燒蝕法(VLS)制備方法模板電化學(xué)法溶液-液體-固體(SLS)法其他方法制備方法-激光燒蝕法(V
2025-02-27 15:11
【摘要】13元素半導(dǎo)體材料目前發(fā)現(xiàn)的元素半導(dǎo)體材料:Si、Ge、C(金剛石)、Se、α-Sn(灰錫)、P(磷)、Te(碲)、B;硅1824年,別爾澤留斯(BerzeliusJ.J.)——非晶Si;Si在地殼中的豐度為%,僅次于氧。三種同位素:28Si(%)
2025-05-11 03:55
【摘要】半導(dǎo)體材料的拋光摘要磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片必要方式,然而磨削和研磨會(huì)導(dǎo)致單晶硅晶片的表面完整性變差。因此拋光和平面化對(duì)生產(chǎn)微電子原件來(lái)說(shuō)是十分重要的。這次講座將會(huì)介紹到寄出的拋光過(guò)程以及不同的過(guò)程模型。另外也會(huì)對(duì)硅、砷化鎵等不同的半導(dǎo)體襯底材料進(jìn)行討論。關(guān)鍵字:化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)三軸拋光機(jī)床半導(dǎo)體拋光1簡(jiǎn)介,但拋光和平展化任然是制備微電子原
2025-07-31 13:57
【摘要】11半導(dǎo)體硅材料基礎(chǔ)知識(shí)講座李本成2021/06/2522目錄?一、什么是半導(dǎo)體??(Conductor)?(Insulator)?(Semiconductor)?二、半導(dǎo)體材料的分類?????三、半導(dǎo)體硅材料
2025-05-21 17:48
【摘要】溶膠-凝膠技術(shù)Sol-Geltechnique一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點(diǎn)二、溶膠-凝膠法采用的原料三、溶膠-凝膠過(guò)程的主要反應(yīng)四、溶膠-凝膠法制備薄膜及涂層材料一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點(diǎn)溶膠-凝膠法基本名詞術(shù)語(yǔ)(precursor):所用的起始原料。(metal
2024-08-28 20:59
【摘要】第一章緒論1.半導(dǎo)體材料的五大特性:整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、負(fù)電阻溫度效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)和霍爾效應(yīng)所謂光電導(dǎo)效應(yīng),是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān),在它兩端加一個(gè)正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過(guò)來(lái),它就不導(dǎo)通,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)。2.能帶結(jié)構(gòu)3.外延生長(zhǎng):在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄
2025-01-15 18:29
【摘要】半導(dǎo)體化學(xué)Doctor湯LatticePower(Jiangxi)Corporation1什么是半導(dǎo)體化學(xué)?研究半導(dǎo)體材料的制備、分析以及半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)工藝中的特殊化學(xué)問(wèn)題的化學(xué)分支學(xué)科。LatticePower(Jiangxi)Corporation半導(dǎo)體材料?元素半導(dǎo)體,如硅(Si)、鍺
2024-08-14 17:58
【摘要】半導(dǎo)體材料的發(fā)展及應(yīng)用讓我們來(lái)看兩組半導(dǎo)體的圖片?下面是具體形象的物品所應(yīng)用到的半導(dǎo)體蘋(píng)果4代蘋(píng)果筆記本石油館激光筆半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ),是信息技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“糧食”。半導(dǎo)體材料應(yīng)用已經(jīng)成為衡量一個(gè)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展科技進(jìn)步和國(guó)防實(shí)力的重要
2025-03-02 01:37
【摘要】半導(dǎo)體照明技術(shù)方志烈教授復(fù)旦大學(xué)SemiconductorLightingTechnology???(1)發(fā)光效率和顯色性的折中?(2)二基色體系?(3)多基色體系?LED?(1)二基色熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED?(2)多基色熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED?(3)
2024-08-14 16:32
【摘要】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)有效質(zhì)量?本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴?常見(jiàn)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)重點(diǎn):有效質(zhì)量、空穴概念的理解研究方法?單電子近似:假設(shè)每個(gè)電子是在周期性排列且固定不動(dòng)的原子核勢(shì)場(chǎng)及其他電子的平均勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)。該勢(shì)
2025-03-28 06:44