半導(dǎo)體材料復(fù)習(xí)word版-文庫吧資料
2025-01-15 18:29本頁面
【正文】 和象非晶硅那樣進(jìn)行大面積低成本制備的優(yōu)點(diǎn) ； 重?fù)诫s的多晶硅薄膜作為電容器的極板、浮柵、電極等 ； 輕摻雜的多晶硅薄膜常用于 MOS存儲器的負(fù)載電阻和其他電阻器 ； 多晶硅薄膜由于具有比非晶硅 TFT更高的載流子遷移率、更快的開關(guān)速度、更高的電流驅(qū)動(dòng)能力、可與 CMOS 工 藝兼容等特點(diǎn) ； 非晶 Si 的優(yōu)點(diǎn) ： 非晶硅薄膜是器件和電路加工所用表面鈍化膜材料之一 ； 對活性半導(dǎo)體表面進(jìn)行鈍化對提供器件性能、增強(qiáng)器件和電路的穩(wěn)定性、可靠性；提高其封裝成品率等有重要作用 。 固溶體基本性質(zhì) ： 半導(dǎo)體的重要參數(shù)，如晶格常數(shù)和帶隙等隨組分變化而發(fā)生連續(xù)變化。 第五章 固溶體半導(dǎo)體材料 凡在固體條件下，一種組分（溶劑）內(nèi) “溶解 ”了其它組分（溶質(zhì)）而形成的單一、均勻的晶態(tài)固體稱為固溶體。 N型雜質(zhì)和 P型雜質(zhì)先相互補(bǔ)償，稱為自補(bǔ)償效應(yīng)。 III族雜質(zhì)在硅中電離時(shí)，能夠釋放空穴而產(chǎn)生導(dǎo)電空穴并形成負(fù)電中心，稱為受主雜質(zhì)。 V族雜質(zhì)在硅中電離時(shí)，能夠釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心，稱為施主雜質(zhì)。 （ 1） 禁帶寬度的不同，又可分為： 窄帶隙半導(dǎo)體材
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