【總結(jié)】半導(dǎo)體材料的分類及應(yīng)用 能源、材料與信息被認為是當(dāng)今正在興起的新技術(shù)革命的三大支柱。材料方面,電子材料的進展尤其引人注目。以大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路為核心的電腦的問世極大地推動了現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)各個方面的發(fā)展,一個又一個劃時代意義的半導(dǎo)體生產(chǎn)新工藝、新材料和新儀器不斷涌現(xiàn),并迅速變成生產(chǎn)力和生產(chǎn)工具,極大地推動了集成電路工業(yè)的高速發(fā)展。半導(dǎo)體數(shù)字集成電路、模擬集成電路、存儲器、專用集成電路
2025-08-03 01:41
【總結(jié)】 實驗十七 半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機構(gòu)時發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)。這一效應(yīng)對金屬來說并不顯著,但對半導(dǎo)體非常顯著。利用這一效應(yīng)制成的各種霍爾元件,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動化技術(shù)、檢測技術(shù)及信息處理等方面。霍爾效應(yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過霍爾效應(yīng)實驗?zāi)軠y定半導(dǎo)體材料的
2025-08-03 06:23
【總結(jié)】第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求材料學(xué)院徐桂英半導(dǎo)體材料第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求?半導(dǎo)體材料的實際應(yīng)用是以其作出的器件來實現(xiàn)的。?器件對材料的要求總的說來有兩個方面:?一方面是根據(jù)器件的功能來選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、遷移率、光學(xué)性質(zhì)等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-05-06 12:45
【總結(jié)】化合物半導(dǎo)體材料與器件?輸運:載流子的凈流動過程稱為輸運。?兩種基本輸運體制:漂移運動、擴散運動。?載流子的輸運現(xiàn)象是最終確定半導(dǎo)體器件電流-電壓特性的基礎(chǔ)。?假設(shè):雖然輸運過程中有電子和空穴的凈流動,但是熱平衡狀態(tài)不會受到干擾。?涵義:n、p、EF的關(guān)系沒有變化。(輸運過程中特定位置的載流子濃度不發(fā)生變化)?熱運動的速度遠遠超
2025-05-06 06:14
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體材料(一)信息功能材料第一章半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體的基本特性、結(jié)構(gòu)與類型?半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)?半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)和缺陷?典型半導(dǎo)體材料的應(yīng)用和器件內(nèi)容:重點:?半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)和能帶?典型半導(dǎo)體的應(yīng)用引言導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體導(dǎo)電性劃分結(jié)晶半導(dǎo)體元素半導(dǎo)體非結(jié)晶半導(dǎo)體半導(dǎo)體有機半導(dǎo)體
2025-05-03 18:11
【總結(jié)】理學(xué)院時金安08350022022年4月12日半導(dǎo)體納米材料——實驗進展半導(dǎo)體納米材料表征手段制備方法0102制備方法碳納米管模板法熔鹽法激光燒蝕法(VLS)制備方法模板電化學(xué)法溶液-液體-固體(SLS)法其他方法制備方法-激光燒蝕法(V
2025-02-21 15:11
【總結(jié)】集成電路制造工藝期末復(fù)習(xí)要點?超凈加工車間等級劃分、各凈化等級適用范圍;?超凈加工車間制備方式;?超純水制備方式;薄膜制備?二氧化硅膜用途;?二氧化硅膜的制備方式(氧化法、熱分解法、氫氧合成法);?采用不同方式制備氧化膜的質(zhì)量區(qū)別;?摻氯氧化的作用;?影響氧化速度的因素(濃度、溫度、分壓、
2025-05-12 20:53
【總結(jié)】1第一章迄今大約有60種主要的器件以及100種與主要器件相關(guān)的變異器件。4種基本半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。金屬-半導(dǎo)體接觸(1874):整流接觸,歐姆接觸。金半場效應(yīng)晶體管(MESFET):整流接觸,柵極;歐姆接觸,漏極、源極。微波器件。p-n結(jié):半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)結(jié)構(gòu);p-n-p雙極型晶體管(1947),p-n-p-n結(jié)構(gòu)的可控硅器件。
2025-05-07 12:40
【總結(jié)】半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)課謝靜菁手機:13212794037實驗室:87542693Email:半導(dǎo)體物理第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?晶體結(jié)構(gòu)與共價鍵金剛石型結(jié)構(gòu)閃鋅礦型結(jié)構(gòu)纖鋅礦型結(jié)構(gòu)氯化鈉型結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體物理能級與能帶電子在原子核勢場和其他電子作用下分列在不同
2025-01-13 12:26
【總結(jié)】13元素半導(dǎo)體材料目前發(fā)現(xiàn)的元素半導(dǎo)體材料:Si、Ge、C(金剛石)、Se、α-Sn(灰錫)、P(磷)、Te(碲)、B;硅1824年,別爾澤留斯(BerzeliusJ.J.)——非晶Si;Si在地殼中的豐度為%,僅次于氧。三種同位素:28Si(%)
2025-05-05 03:55
【總結(jié)】節(jié)能新材料之半導(dǎo)體照明介紹-----------------------作者:-----------------------日期:節(jié)能新材料之半導(dǎo)體照明氮化物襯底材料 氮化物襯底材料的研究與開發(fā)增大字體復(fù)位寬帶隙的GaN基半導(dǎo)體在短波長發(fā)光二極管、激光器和紫外探測器,以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應(yīng)用前景;對環(huán)保,
2025-05-14 03:46
2025-08-03 06:09
【總結(jié)】半導(dǎo)體材料的發(fā)展及應(yīng)用讓我們來看兩組半導(dǎo)體的圖片?下面是具體形象的物品所應(yīng)用到的半導(dǎo)體蘋果4代蘋果筆記本石油館激光筆半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ),是信息技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“糧食”。半導(dǎo)體材料應(yīng)用已經(jīng)成為衡量一個國家經(jīng)濟發(fā)展科技進步和國防實力的重要
2025-02-26 01:37
【總結(jié)】掌握熟悉了解第一章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)一、能帶理論1、能帶的形成、結(jié)構(gòu):導(dǎo)帶、價帶、禁帶?當(dāng)原子結(jié)合成晶體時,原子最外層的價電子實際上是被晶體中所有原子所共有,稱為共有化。?共有化導(dǎo)致電子的能量狀態(tài)發(fā)生變化,產(chǎn)生了密集能級組成的準連續(xù)能帶---能級分裂?價帶:絕對0度條件下被電子填充的能量最高的能帶;結(jié)合成共價鍵的電子填充的能帶。?導(dǎo)帶:絕對0度條件下
2025-06-07 23:16
【總結(jié)】11半導(dǎo)體硅材料基礎(chǔ)知識講座李本成2021/06/2522目錄?一、什么是半導(dǎo)體??(Conductor)?(Insulator)?(Semiconductor)?二、半導(dǎo)體材料的分類?????三、半導(dǎo)體硅材料
2025-05-13 17:48