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半導(dǎo)體材料復(fù)習(xí)word版-wenkub.com

2025-01-06 18:29 本頁面
   

【正文】 因而可以通過對其組分的控制來調(diào)節(jié)材料的基本性質(zhì)。 第三章 元素半導(dǎo)體材料 輕摻雜 摻雜濃度為 1017 cm3,雜質(zhì)離子 100%電離 中度摻雜 摻雜濃度為 1017~ 1019 cm3,載流子濃度低于摻雜濃度 重摻雜 摻雜濃度大于 1019 cm3 第四章 化合物半導(dǎo)體材料 高亮度白光 LED的實現(xiàn) : 通過紅、綠、藍三種 LED組合成為白光 ; 基于紫外光 LED,通過三基色粉,組合成為白光 ; 基于藍光 LED,通過黃色熒光粉激發(fā)出黃光,組合成為白光 。 在硅或鍺的晶體中摻入少量的 3 價雜質(zhì)元素,即構(gòu)成 P 型半導(dǎo)體 (或稱空穴型半導(dǎo)體 )。半導(dǎo)體具有和導(dǎo)體及絕緣體不同的能帶結(jié)構(gòu)。如果襯底材料和外延層是同一種材料,稱為同質(zhì)外延 ; 如果襯底材料和外延層不是同一種材料,稱為異質(zhì)外延 4. 摩爾定律 : 1965 年英特爾公司主要創(chuàng)始人摩爾提出了 “隨著芯片上電路的復(fù)雜度提高,元件數(shù)目必將增加,每個元件的成本將每年下
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