半導(dǎo)體材料復(fù)習(xí)word版-資料下載頁(yè)
2025-01-09 18:29本頁(yè)面
【正文】 的介電層－－ SiO2； 多晶 Si 的優(yōu)點(diǎn) ： 多晶硅具有接近單晶硅材料的載流子遷移率和象非晶硅那樣進(jìn)行大面積低成本制備的優(yōu)點(diǎn) ； 重?fù)诫s的多晶硅薄膜作為電容器的極板、浮柵、電極等 ； 輕摻雜的多晶硅薄膜常用于 MOS存儲(chǔ)器的負(fù)載電阻和其他電阻器 ； 多晶硅薄膜由于具有比非晶硅 TFT更高的載流子遷移率、更快的開關(guān)速度、更高的電流驅(qū)動(dòng)能力、可與 CMOS 工 藝兼容等特點(diǎn) ； 非晶 Si 的優(yōu)點(diǎn) ： 非晶硅薄膜是器件和電路加工所用表面鈍化膜材料之一 ； 對(duì)活性半導(dǎo)體表面進(jìn)行鈍化對(duì)提供器件性能、增強(qiáng)器件和電路的穩(wěn)定性、可靠性；提高其封裝成品率等有重要作用 。 第九章 半導(dǎo)體光電子材料 產(chǎn)生激光的條件： 1. 形成粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，使受激輻射占優(yōu)勢(shì) 2. 具有共振腔以實(shí)現(xiàn)光量子放大 3. 外界輸入能量至少要達(dá)到閾值，使激光管的增益至少等于損耗 第十章 其他半導(dǎo)體材料 熱電 優(yōu)值的概念以及如何提高熱電優(yōu)值 第十一 章 半導(dǎo)體材料的制備 區(qū)域熔煉的原理
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