半導(dǎo)體材料的分類及應(yīng)用-資料下載頁
2025-08-03 01:41本頁面
【正文】 其?? 電子云有相當(dāng)程度的重疊, 形成( 一堆)導(dǎo)帶, 通過化學(xué)或電化學(xué)摻雜, 載流子能容易地進(jìn)入能帶( 或從能帶中抽出) , 使電導(dǎo)率發(fā)生巨大變化。從長遠(yuǎn)看, 導(dǎo)電聚合物具有價(jià)格低, 重量輕, 易加工, 可撓曲等特點(diǎn), 可能還有某些新的功能, 引起人們的重視。目前報(bào)導(dǎo)的研究工作有: 場效應(yīng)晶體管( 有源層使用! 六噻吩) 。 發(fā)交二極管( 以M EH—PPV 為有源層的黃綠光LED。 以矛對苯撐為源層的蘭光LED) 。 太陽電池( 用聚v乙炔、聚N—Z 烯咔唑和各種聚噻吩的衍生物) 。近年來C60的發(fā)現(xiàn)引起轟動(dòng)。這是由60 個(gè)碳原子構(gòu)成的原子團(tuán)簇, 由C60構(gòu)成的C60團(tuán)簇固體是除石墨、金剛石、無定形碳天然形態(tài)之外的由人工制成的碳的新構(gòu)型。其基元是20 面體的“球”。fcc 結(jié)構(gòu)團(tuán)簇固體的能隙約1. 5eV。摻雜C60團(tuán)簇固體可得到轉(zhuǎn)變溫度達(dá)18至28K 的超導(dǎo)體。5 非晶態(tài)半導(dǎo)體長程無序短程有序的物質(zhì)叫非晶態(tài)物質(zhì)。同一種材料, 處于晶態(tài)或非晶態(tài), 其特性可有極大的不同。非晶態(tài)半導(dǎo)體保存了存在能隙這一最基本的性質(zhì)。! Si膜可控?fù)诫s的實(shí)現(xiàn)和硫系非晶半導(dǎo)體開關(guān)及貯存特性的發(fā)現(xiàn), 開辟了非晶半導(dǎo)體材料走向?qū)嵱没耐緩?。非晶半?dǎo)體制備工藝簡單, 容易實(shí)現(xiàn)大面積化, 可以在任意形狀的襯底上成膜以及光吸收系數(shù)大等優(yōu)點(diǎn), 得到了充分的利用。目前利用非晶半導(dǎo)體的光學(xué)和電學(xué)特性制造新器件的研究十分活躍。例如: ! Si∶H 太陽電池, 已占世界太陽電池產(chǎn)量的31. 8%, 單晶電池在AM1. 5 時(shí)的效率大于12%。 ! Si∶H 場效應(yīng)管與集成電路, 作為大面積液晶顯示屏的驅(qū)動(dòng)電路。 ! Si∶H電荷藕合器件。 攝像靶。 圖像傳感器。 辨色器以及!!SiC∶H 平板型電致發(fā)光器件。 ! Si∶H 復(fù)印鼓等。6 微結(jié)構(gòu)材料超晶格量子阱理論的提出, 使材料科學(xué)進(jìn)入了新紀(jì)元, 人們可以根據(jù)需要, 改變化合物的組成, 設(shè)計(jì)出自然界根本不可能存在的新材料( 所謂“能帶工程”) ,或者改變材料的維度( 從三維變成二維、一維甚至0維, 所謂量子面、量子線或量子點(diǎn)材料) , 賦予某種材料以新的性質(zhì)。先進(jìn)的加工技術(shù)( MBE 、MOCVD、離子注入以及精細(xì)光刻) 使得微結(jié)構(gòu)材料得以實(shí)現(xiàn)。HEMT 、HBT 以及光通信中許多器件就是結(jié)合了微結(jié)構(gòu)材料制成的。近年來關(guān)于Si1 xGex 材料的研究倍受重視。SiGe 混晶電子遷移率是Si 的兩倍, SiGe IC 的速度可與GaAs IC 匹敵, 然而它可與現(xiàn)有Si 工藝技術(shù)兼容,材料也比GaAs 便宜得多, 因此SiGe IC 的速度、頻率及價(jià)格上均具極大優(yōu)勢。SiGe / Si 多量子阱以SiGe 作勢阱, Si 作勢壘, 據(jù)認(rèn)為發(fā)生在勢阱區(qū)的輻射復(fù)合躍遷可毋需聲子參與, 結(jié)合前述特點(diǎn), 有人認(rèn)為SiGe 是光集成的理想材料。多孔硅的研究也很活躍, 多孔硅中由孔所包圍的硅柱等效為一維量子線, 由于量子約束效應(yīng), 其子帶間的能量差可以遠(yuǎn)大于硅能隙, 因而對應(yīng)的發(fā)光波長可移到可見光范圍, 外量子效應(yīng)可 1%, 可同AlGaAs 異質(zhì)結(jié)的發(fā)光效應(yīng)相比較。有人認(rèn)為, 多孔硅研究的進(jìn)一步深化, 可能導(dǎo)致全硅的光電子電路的實(shí)現(xiàn)。
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