【總結(jié)】半導(dǎo)體制造技術(shù)陳弈星第十七章離子注入本章目標(biāo)1.解釋摻雜在硅片制造過程中的目的和應(yīng)用.2.討論雜質(zhì)擴散的原理和過程.3.對離子注入有整體的認(rèn)識,包括優(yōu)缺點.4.討論劑量和射程在離子注入中的重要性.5.列舉離子注入機的5個主要子系統(tǒng).6.解釋離子注入中
2025-05-15 01:07
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:29
【總結(jié)】下載最好的KEC-W和C&C的我&我(20xx.)PEGKEC-公司韓國研究總數(shù)報告KEC-公司韓國研究總數(shù)報告決裁贊成者助手設(shè)計Reportor:朱Zhao六月日期:~總數(shù)標(biāo)明的頁數(shù)S以系統(tǒng)P字新的(包裹,機器
2025-05-22 20:19
【總結(jié)】半導(dǎo)體制冷實驗五邑大學(xué)物理實驗中心一種新的制冷技術(shù)半導(dǎo)體制冷的優(yōu)點?不用制冷劑,環(huán)保?不用機械部件,可靠性更高,易于實現(xiàn)和維護?冷卻速度和溫度可任意調(diào)節(jié)?冷熱端可互換,制冷與制熱切換簡單?體積和功率可以做得很小帕爾貼效應(yīng)?1834年,法國科學(xué)家帕爾貼在銅絲兩頭各接一根鉍絲,再將兩根鉍絲分別
2025-07-18 13:54
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或
2025-02-28 12:02
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wafe
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】。P2答:真空管電子學(xué)、無線電通信、機械制表機、固體物理2.列出5個集成時代,指出每個時代的時間段,并給出每個時代每個芯片上的元件數(shù)。P4小規(guī)模集成電路20世紀(jì)60年代前期2-50個芯片中規(guī)模集成電路20世紀(jì)60年代到70年代前期20-5000個芯片大規(guī)模集成電路20世紀(jì)70年代前期到70年代后期5000-100000個芯片超大規(guī)模集成電路20世紀(jì)70年代
2025-08-04 14:14
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝半導(dǎo)體制造工藝l微電子學(xué):Microelectronicsl微電子學(xué)——微型電子學(xué)l核心——半導(dǎo)體器件l半導(dǎo)體器件設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕
2025-03-01 12:21
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移=光刻+刻蝕1半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理刻蝕速率R(etchrate)單位時間刻蝕的薄膜厚度。對產(chǎn)
2025-03-01 12:23
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點?特征擴散長度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴散入硅
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)習(xí)情景三:薄膜制備子情景4:物理氣相淀積學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體制造工藝第2版?書名:半導(dǎo)體制造工藝第2版?書號:978-7-111-50757-4?作者:張淵?出版社:機械工業(yè)出版社學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院物理氣相淀積?概念:物
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變!1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑,吸光并
2025-02-28 12:03
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴散原理(上)摻雜(doping):將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中,并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀(dopingprofile)。MOSFET:阱、柵、源/漏、溝道等BJT:基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應(yīng)用:BECppn+n-p+p+n+n+B
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費米能級較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達到熱平衡后兩者的費米能級相等。2.半導(dǎo)體硅的價帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央,其導(dǎo)帶極小值位于【100】,因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類:點缺陷,如空位間
2025-01-14 18:45