半導(dǎo)體制造期末復(fù)習(xí)要點(diǎn)(參考版)

【摘要】集成電路制造工藝期末復(fù)習(xí)要點(diǎn)?超凈加工車間等級(jí)劃分、各凈化等級(jí)適用范圍；?超凈加工車間制備方式；?超純水制備方式；薄膜制備?二氧化硅膜用途；?二氧化硅膜的制備方式（氧化法、熱分解法、氫氧合成法）；?采用不同方式制備氧化膜的質(zhì)量區(qū)別；?摻氯氧化的作用；?影響氧化速度的因素（濃度、溫度、分壓、

2025-05-16 20:53

半導(dǎo)體制造工藝簡介(參考版)

【摘要】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡介學(xué)習(xí)目的?（1）了解晶體管工作原理，特別是MOS管的工作原理?（2）了解集成電路制造工藝?（3）了解COMS工藝流程主要內(nèi)容??工藝流程?工藝集成?半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu)：4個(gè)共價(jià)鍵，比較穩(wěn)定，沒有明顯的自由電子。

2025-05-02 04:54

半導(dǎo)體制造流程(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為

2025-02-28 01:36

[精選]半導(dǎo)體制造工藝第2章半導(dǎo)體制造工藝概況(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第2章　半導(dǎo)體制造工藝概況第2章　半導(dǎo)體制造工藝概況　引言　器件的隔離　雙極型集成電路制造工藝　CMOS器件制造工藝　引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序，消耗6~8周的時(shí)間，看似復(fù)雜，而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過程，最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個(gè)工藝之前，介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程

2025-03-03 04:30

半導(dǎo)體制造工藝流程(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段

2025-05-16 20:53

半導(dǎo)體制造裝備概述(參考版)

【摘要】華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系先進(jìn)制造技術(shù)半導(dǎo)體制造裝備華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級(jí),如圖所示,即:0級(jí)封裝———芯

2025-02-28 08:37

[精選]半導(dǎo)體制造工藝(參考版)

【摘要】擴(kuò)散半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)本章重點(diǎn)?摻雜的目的；?摻雜的方法；?恒定源擴(kuò)散；?有限源擴(kuò)散；?摻雜：摻雜技術(shù)是在高溫條件下，將雜質(zhì)原子以一定的可控量摻入到半導(dǎo)體中，以改變半導(dǎo)體硅片的導(dǎo)電類型或表面雜質(zhì)濃度。?形成PN結(jié)、電阻?磷(P)、砷(As)——N型硅?硼(B)

2025-03-02 11:58

[精選]半導(dǎo)體制造工藝教材(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第2章　半導(dǎo)體制造工藝概況第2章　半導(dǎo)體制造工藝概況　引言　器件的隔離　雙極型集成電路制造工藝　CMOS器件制造工藝　引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序，消耗6~8周的時(shí)間，看似復(fù)雜，而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過程，最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個(gè)工藝之前，介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程

2025-03-03 04:28

半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)本征材料：純硅9-10個(gè)N型硅：摻入V族元素--磷P、砷As、銻SbP型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié)：半導(dǎo)體元件制造過程可分為前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（WaferFabrication；簡稱WaferFab）、晶

2025-06-29 12:08

[精選]半導(dǎo)體制造工藝簡介(參考版)

【摘要】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡介學(xué)習(xí)目的v（1）了解晶體管工作原理，特別是MOS管的工作原理v（2）了解集成電路制造工藝v（3）了解COMS工藝流程主要內(nèi)容工藝流程工藝集成v半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu)：4個(gè)共價(jià)鍵，比較穩(wěn)定，沒有明顯的自由電子。v1、半導(dǎo)體能帶v禁帶帶隙介于導(dǎo)體和絕緣體之間v2

2025-03-03 12:21

半導(dǎo)體制造工藝流程(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程N(yùn)型硅：摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb　　P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)　　PN結(jié)：　　半導(dǎo)體元件制造過程可分為　　前段（FrontEnd）制程　　晶圓處理制程（WaferFabrication；簡稱WaferFab）、　　晶圓針測(cè)制程（WaferProbe）；　　後段（BackEnd）　　構(gòu)裝（Packaging）、　　測(cè)

2024-09-02 13:36

[精選]半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)教材(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上，以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或注入摻雜光刻的目的：光

2025-03-03 04:28

[精選]半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)(參考版)

【摘要】電信學(xué)院微電子教研室半導(dǎo)體制造技術(shù)byMichaelQuirkandJulianSerda淀積電信學(xué)院微電子教研室半導(dǎo)體制造技術(shù)byMichaelQuirkandJulianSerda概述薄膜淀積是芯片加工過程中一個(gè)至關(guān)重要的工藝步驟，通過淀積工藝可以在硅片上生長導(dǎo)各種導(dǎo)電薄膜層和絕緣薄膜層。

2025-03-03 04:28

半導(dǎo)體制造全過程演示(參考版)

【摘要】

2024-10-06 18:03

[精選]半導(dǎo)體制造工藝課件(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第4章　氧　　化第4章　氧　　化　引言　二氧化硅膜的性質(zhì)　二氧化硅膜的用途　熱氧化原理　氧化設(shè)備　氧化膜的質(zhì)量控制　氧化工藝模擬　引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中，即使在室溫條件下，其表面也能生長一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密，能防止硅表面繼續(xù)被氧

2025-03-03 04:31

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