半導(dǎo)體技術(shù)期末復(fù)習(xí)-資料下載頁
2025-08-04 14:14本頁面
【正文】 覆蓋在腔體內(nèi)壁或被刻蝕圖形的底部。它的產(chǎn)生有多種原因，例如被刻蝕膜層中的污染物、選擇了不合適的化學(xué)刻蝕劑、腔體中的污染物、膜層中不均勻的雜質(zhì)分布。刻蝕殘留物是IC制造過程中的硅片污染源，并能在去除光刻膠過程中帶來一些問題。為了去除刻蝕殘留物，有時在刻蝕完成后會進(jìn)行過刻蝕。在一些情況下，刻蝕殘留物可以在去除光刻膠的過程中或用濕法化學(xué)腐蝕去掉。42. 什么是刻蝕中的等離子體誘導(dǎo)損傷，以及這些損傷帶來什么問題?P411 包含帶能離子、電子和激發(fā)分子的等離子體可引起對硅片上的敏感器件引起等離子體誘導(dǎo)損傷。一種主要的損傷是非均勻等離子體在晶體管柵電極產(chǎn)生陷阱電荷，引起薄柵氧化硅的擊穿。另一種器件損傷是能量離子對曝露的柵氧化層的轟擊。在刻蝕過程中，這種損傷在刻蝕的時候能在柵電極的邊緣發(fā)生。43. 倒摻雜 P466在阱的同一區(qū)域內(nèi)，先采用高能量、大劑量的雜質(zhì)注入，然后采用低能量、淺結(jié)深和小摻雜劑量的注入。倒摻雜技術(shù)使得源漏極在 襯底深處的摻雜濃度較大，而表面摻雜濃度較小，這樣既保證了溝道打開時有足夠的載流子濃度形成電流，又使溝道關(guān)閉時，源漏間漏電流因?yàn)楸砻孑d流子濃度低而降低。44. 簡述離子注入 P443 離子注入是通過高壓離子轟擊把雜質(zhì)引入硅片的過程，雜質(zhì)通過與硅片發(fā)生原子級的高能碰撞，才能被注入，是一種向硅襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。45. 硅片制造的常用雜質(zhì). P442受主雜質(zhì)：硼、鋁、鎵、銦；施主雜質(zhì)：氮、磷、砷、銻。46. 硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個步驟：預(yù)淀積、推進(jìn)和激活。預(yù)淀積：在預(yù)淀積過程中，硅片被送入高溫擴(kuò)散爐中，雜質(zhì)原子從源區(qū)轉(zhuǎn)移到擴(kuò)散爐內(nèi)。然后雜質(zhì)僅進(jìn)入了硅片中很薄的一層，且其表面濃度是恒定的。預(yù)淀積為整個擴(kuò)散過程建立了濃度梯度。推進(jìn)：這是個高溫過程，用以使淀積的雜質(zhì)穿過硅晶體，在硅片中形成期望的節(jié)深。激活：這時的溫度要稍微升高一點(diǎn)，使雜質(zhì)原子與晶格中的硅原子鍵合。這個過程激活了雜質(zhì)原子，改變了硅的電導(dǎo)率。47. 雜質(zhì)的固溶極限P446 在一定的溫度下，硅能吸收的雜質(zhì)數(shù)量是一定的，稱之為固溶度極限。48. 什么是射程？解釋能量與射程之間的關(guān)系。P450 離子射程指的是離子注入過程中，離子穿入硅片的總距離。注入機(jī)的能量越高，意味著雜質(zhì)原子能穿入硅片越深，射程就越大。49. 描述注入過程中的兩種主要能量損失機(jī)制。P451 注入離子在穿行硅片的過程中與硅原子發(fā)生碰撞，導(dǎo)致能量損失，并最終停止在某一深度。兩個主要能量損失機(jī)制是電子阻礙和核阻礙。電子阻礙是雜質(zhì)原子與靶材料的電子發(fā)生反應(yīng)造成的。核阻礙是由于雜質(zhì)原子與硅原子發(fā)生碰撞，造成硅原子的移位。50. 離子束擴(kuò)散和空間電荷中和 P458 由于電荷之間的相互排斥，所以一束僅包含正電荷的離子束本身是不穩(wěn)定的，容易造成離子束膨脹，即離子束的直徑在行程過程中不斷增大，最終導(dǎo)致注入不均勻。離子束擴(kuò)大可以用二次電子中和正離子的方法緩解，被稱為空間電荷中和。
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