半導(dǎo)體技術(shù)期末復(fù)習(xí)-資料下載頁

【總結(jié)】。P2答：真空管電子學(xué)、無線電通信、機(jī)械制表機(jī)、固體物理2.列出5個(gè)集成時(shí)代，指出每個(gè)時(shí)代的時(shí)間段，并給出每個(gè)時(shí)代每個(gè)芯片上的元件數(shù)。P4小規(guī)模集成電路20世紀(jì)60年代前期2-50個(gè)芯片中規(guī)模集成電路20世紀(jì)60年代到70年代前期20-5000個(gè)芯片大規(guī)模集成電路20世紀(jì)70年代前期到70年代后期5000-100000個(gè)芯片超大規(guī)模集成電路20世紀(jì)70年代

2025-08-04 14:14

[精選]半導(dǎo)體制造工藝課件(ppt98頁)-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝半導(dǎo)體制造工藝l微電子學(xué)：Microelectronicsl微電子學(xué)——微型電子學(xué)l核心——半導(dǎo)體器件l半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測(cè)試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕

2025-03-01 12:21

[精選]半導(dǎo)體制造工藝課件(ppt47頁)-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題：?選擇性?方向性：各向同性/各向異性待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移＝光刻＋刻蝕1半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理刻蝕速率R(etchrate)單位時(shí)間刻蝕的薄膜厚度。對(duì)產(chǎn)

2025-03-01 12:23

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_08擴(kuò)散(下)-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步？結(jié)深？薄層電阻？固溶度？2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)？特征擴(kuò)散長度？預(yù)淀積＋退火。預(yù)淀積：氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs：表面為正方形的半導(dǎo)體薄層（結(jié)深），在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻，單位為?/?，反映擴(kuò)散入硅

2025-03-03 14:53

[精選]半導(dǎo)體制造工藝第2版-資料下載頁

【總結(jié)】學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)習(xí)情景三：薄膜制備子情景4：物理氣相淀積學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體制造工藝第2版?書名：半導(dǎo)體制造工藝第2版?書號(hào)：978-7-111-50757-4?作者：張淵?出版社：機(jī)械工業(yè)出版社學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院物理氣相淀積?概念：物

2025-03-01 04:30

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_05光刻(下)-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變！1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波，下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑，吸光并

2025-02-28 12:03

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_07擴(kuò)散(上)-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(上)摻雜（doping）：將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中，并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀（dopingprofile）。MOSFET：阱、柵、源/漏、溝道等BJT：基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應(yīng)用：BECppn+n-p+p+n+n+B

2025-03-03 14:53

[精選]半導(dǎo)體制造工藝流程(1)-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（Wa

2025-03-01 04:28

半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)要點(diǎn)答案-資料下載頁

【總結(jié)】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費(fèi)米能級(jí)較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級(jí)相等。2.半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央，其導(dǎo)帶極小值位于【100】，因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類：點(diǎn)缺陷，如空位間

2025-01-14 18:45

半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)要點(diǎn)答案-資料下載頁

【總結(jié)】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費(fèi)米能級(jí)較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級(jí)相等。2.半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央，其導(dǎo)帶極小值位于【100】，因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類：點(diǎn)缺陷，如空位間

2025-06-07 17:02

[精選]半導(dǎo)體制造工藝流程(ppt97頁)-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（Wa

2025-03-01 04:28

半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)介-(nxpowerlite)-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)介——芯片是如何制作出來的基本過程?晶園制作–WaferCreation?芯片制作–ChipCreation?后封裝–ChipPackaging第1部分晶園制作多晶生成?PolySiliconCreation1–目前半導(dǎo)體制程所使用的主要原料就是晶園(Wafe

2025-08-05 03:55

半導(dǎo)體外文翻譯--半導(dǎo)體制造過程控制和監(jiān)測(cè)：工廠全框架-資料下載頁

【總結(jié)】中文5439字畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)外文資料翻譯學(xué)院：專業(yè)：過程裝備與控制工程姓名：學(xué)號(hào)：外文出處：Journa

2025-05-11 12:12

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_11刻蝕-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題：?選擇性?方向性：各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移＝光刻＋刻蝕

2025-03-04 15:10

[精選]半導(dǎo)體制造工藝流程18432670-資料下載頁

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（Wa

2025-03-01 04:29

半導(dǎo)體制造期末復(fù)習(xí)要點(diǎn)(已改無錯(cuò)字)

半導(dǎo)體制造期末復(fù)習(xí)要點(diǎn)-資料下載頁

半導(dǎo)體制造期末復(fù)習(xí)要點(diǎn)(參考版)

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