半導(dǎo)體技術(shù)期末復(fù)習(xí)(編輯修改稿)
2024-08-31 14:14 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 爐其6大優(yōu)點(diǎn)是什么？P228快速熱處理是在非常短的時(shí)間內(nèi)將單個(gè)硅片加熱至400~1300℃溫度范圍內(nèi)的一種方法；溫度均勻性好雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)最小硅片間的重復(fù)性產(chǎn)量高由于快速加熱產(chǎn)生應(yīng)力，增加了強(qiáng)度有利于絕對(duì)溫度的測(cè)量27. 什么是薄膜？列舉并描述可接受的薄膜的8個(gè)特征。P242 薄膜是指一種在襯底上生長(zhǎng)的薄固體物質(zhì)。如果一種固體物質(zhì)具有三維尺寸，那么薄膜是指某一維（通常是厚度）遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于另外兩維上的尺寸。好的臺(tái)階覆蓋能力填充高的深寬比間隙能力好的厚度均勻性高純度和高密度受控制的化學(xué)劑量高度的結(jié)構(gòu)完整性和低的膜應(yīng)力好的電學(xué)特性對(duì)襯底材料或下層膜好的粘附性28. 列舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段。P244 晶核形成，成束的穩(wěn)定小晶核形成聚集成束，也稱(chēng)為島生長(zhǎng)形成連續(xù)的膜。29. 并描述CVD反應(yīng)中的8個(gè)步驟。P247 氣體傳輸至淀積區(qū)域：反應(yīng)氣體充反應(yīng)腔入口區(qū)域流動(dòng)到硅片表面的淀積區(qū)域；膜先驅(qū)物的形成：氣相反應(yīng)導(dǎo)致膜先驅(qū)物和副產(chǎn)物的形成；膜先驅(qū)物附著在硅片表面：大量膜先驅(qū)物運(yùn)輸?shù)焦杵砻?；膜先?qū)物粘附：膜先驅(qū)物粘附在硅片表面膜先驅(qū)物擴(kuò)散：膜先驅(qū)物向膜生長(zhǎng)區(qū)域的表面擴(kuò)散；表面反應(yīng)：表面化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致膜淀積和副產(chǎn)物的生成；副產(chǎn)物從表面移除：吸附表面反應(yīng)的副產(chǎn)物；副產(chǎn)物從反應(yīng)表面腔移除：反應(yīng)的副產(chǎn)物從淀積區(qū)域隨氣流流動(dòng)到反應(yīng)腔出口并排出。30. 什么是外延？解釋自摻雜和外擴(kuò)散。P267 外延就是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層，新淀積的這層稱(chēng)為外延層。自摻雜：摻雜雜質(zhì)從襯底蒸發(fā)，或者是由于淀積過(guò)程中氯對(duì)硅片表面的腐蝕而自發(fā)進(jìn)行的一種摻雜不均勻的現(xiàn)象。外擴(kuò)散：襯底作為摻雜雜質(zhì)源擴(kuò)散到外延層的一種不規(guī)則摻雜形式，稱(chēng)為外擴(kuò)散。31. 定義分辨率。P312 分辨率：光刻中的一個(gè)重要的性能指標(biāo)，是將硅片上兩個(gè)鄰近的特征圖形區(qū)分開(kāi)來(lái)的能力。32. 解釋負(fù)性和正性光刻的區(qū)別。P314 負(fù)性光刻：是把與掩膜板上相反的圖形復(fù)制到硅片表面，曝光后，光刻膠會(huì)因交聯(lián)而變得不可溶解，并會(huì)硬化，交聯(lián)的光刻膠便不能在溶劑中被洗掉，是的光刻膠上圖形與投影掩膜板上的圖形相反。正性光刻：是把與掩膜板上相同的圖形復(fù)制到硅片上，曝光后的區(qū)域經(jīng)歷一種光化學(xué)反應(yīng)，使得其在顯影液中軟化并可以溶解，形成的光刻膠的圖形與投影掩膜板上的相同。兩者的區(qū)別在于光刻膠的種類(lèi)不同。33. 列出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。P316 氣相成底膜處理：目的是增強(qiáng)硅片和光刻膠之間的粘附性；旋轉(zhuǎn)涂膠：采用旋轉(zhuǎn)的方式使得所涂光刻膠較為均勻；軟烘：目的是去除光刻膠中的溶劑；對(duì)準(zhǔn)和曝光：目的是將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到涂膠的硅片上，且光能激活光刻膠中的光敏成分；曝光后烘培：對(duì)紫外光刻膠在100到110度之間進(jìn)行烘培。緊隨在光刻膠曝光之后；顯影：硅片表面光刻膠中產(chǎn)生圖形的關(guān)鍵步驟，將光刻膠上可溶解區(qū)域被化
范文總結(jié)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1