青島科技大學半導體總復習(編輯修改稿)
2025-07-04 23:16 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 空穴擴散區(qū)、電子擴散區(qū)四、空間電荷區(qū)的復合電流和產(chǎn)生電流圖2－11，分三個階段低偏壓：空間電荷區(qū)的復合電流占優(yōu)勢偏壓升高： 擴散電流占優(yōu)勢更高偏壓： 串聯(lián)電阻的影響出現(xiàn)了五、隧道電流了解隧道電流的概念及產(chǎn)生條件。江崎二極管的電流電壓特性（圖213）六、IV特性的溫度依賴關(guān)系圖2－14和2－15：在相同電壓下，電流隨溫度升高。七、耗盡層電容（勢壘電容、結(jié)電容）和擴散電容概念、形成原因擴散電容在低頻正向偏壓下特別重要。八、PN結(jié)二極管的頻率特性二極管等效電路圖219二極管直流電導或擴散電導擴散電容九、電荷存儲和反向瞬變PN結(jié)的開關(guān)作用。反向瞬變和電荷存儲的概念根據(jù)2－21的載流子分布，解釋2－20所示的電流、電壓特性（分三個階段）。十、PN結(jié)擊穿雪崩擊穿的產(chǎn)生原理：碰撞電離、倍增效應。齊納擊穿：由隧道效應產(chǎn)生參考題l 請畫出PN結(jié)形成前后的能帶圖，并用能帶理論解釋PN結(jié)形成過程。l 畫出正向偏壓和反向偏壓的PN結(jié)能帶圖，并解釋不同之處。l 寫出PN結(jié)邊界條件公式，并解釋什么是正向注入和反向抽??？l 畫出正向偏置和反向偏置下的PN結(jié)兩邊少數(shù)載流子分布。l 圖210，考慮空間電荷區(qū)正偏復合電流和串聯(lián)電阻的影響的實際I－V曲線l 耗盡層電容和擴散電容是如何形成的？l 分三個階段解釋反向瞬變。l 名詞解釋：勢壘區(qū)，擴散近似，耗盡近似，擴散長度，反向瞬變，雪崩擊穿（碰撞電離，倍增效應）第三章 雙極結(jié)型晶體管一、雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)NPN和PNP型晶體管的結(jié)構(gòu)及電路符號?！半p極型”的解釋。圖3－2：硅平面外延NPN晶體管的版圖和截面圖。圖33：硅平面外延NPN晶體管的凈摻雜濃度分布二、基本工作原理四種工作模式對應的偏壓情況圖35 NPN晶體管共基極放大電路圖及對應能帶圖圖36：放大工作條件下的工作電流分量：會畫，解釋各個電流的形成原理。幾個電流增益概念：發(fā)射極注射效率、基區(qū)運輸因子、共基極電流增益、共發(fā)射極電流增益。三、正向有源工作模式下的電流傳輸放大條件下，基極電流
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