【總結(jié)】半導(dǎo)體製程簡(jiǎn)介部門(mén)ASI/EOL報(bào)告人SaintHuang半導(dǎo)體製造流程晶圓製造封裝晶圓針測(cè)測(cè)試Front-EndBack-End晶粒(Die)成品半導(dǎo)體製程分類(lèi)◆I.晶圓製造◆◆
2025-02-26 01:36
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過(guò)大約450道工序,消耗6~8周的時(shí)間,看似復(fù)雜,而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過(guò)程,最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個(gè)工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過(guò)程
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】半導(dǎo)體激光特性實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康?通過(guò)實(shí)驗(yàn)熟悉半導(dǎo)體激光器的光學(xué)特性?掌握半導(dǎo)體激光器耦合、準(zhǔn)直等光路的調(diào)節(jié)?掌握WGD-6光學(xué)多道分析器的使用半導(dǎo)體激光器的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用?體積小,壽命長(zhǎng)?其工作電壓與集成電路兼容,因而可與之單片集成?可用高達(dá)GHz的頻率直接進(jìn)行電流調(diào)制以獲得高速調(diào)制的激光輸出?光通訊、光學(xué)唱片系統(tǒng)、
2025-05-12 21:06
【總結(jié)】QJ/TBTCL家用電器(惠州)有限公司企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)QJ/TBJ053063-2004
2025-06-19 16:55
【總結(jié)】華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系先進(jìn)制造技術(shù)半導(dǎo)體制造裝備華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級(jí),如圖所示,即:0級(jí)封裝———芯
2025-02-26 08:37
【總結(jié)】擴(kuò)散半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)本章重點(diǎn)?摻雜的目的;?摻雜的方法;?恒定源擴(kuò)散;?有限源擴(kuò)散;?摻雜:摻雜技術(shù)是在高溫條件下,將雜質(zhì)原子以一定的可控量摻入到半導(dǎo)體中,以改變半導(dǎo)體硅片的導(dǎo)電類(lèi)型或表面雜質(zhì)濃度。?形成PN結(jié)、電阻?磷(P)、砷(As)——N型硅?硼(B)
2025-02-28 11:58
【總結(jié)】摘要摘要由于當(dāng)今能源短缺,太陽(yáng)能的無(wú)限可利用價(jià)值使其成為全世界矚目的焦點(diǎn),但一直以來(lái)太陽(yáng)能充電技術(shù)都沒(méi)有突破性進(jìn)展,光伏器件轉(zhuǎn)換效率低,蓄電池價(jià)格昂貴,因此研究光伏充電技術(shù)是非常有意義的。本論文對(duì)太陽(yáng)能充電技術(shù)進(jìn)行了較為深入的研究,以充分保護(hù)蓄電池和最大限度地增大太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率為基本設(shè)計(jì)目標(biāo),采用PIC16F877進(jìn)行智能控制,對(duì)太陽(yáng)能最大功率跟蹤技術(shù)和蓄電池的充電技術(shù)進(jìn)行
2025-06-27 20:18
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)本征材料:純硅9-10個(gè)N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻SbP型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié):半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(WaferFabrication;簡(jiǎn)稱(chēng)WaferFab)、晶
2025-06-26 12:08
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的v(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理v(2)了解集成電路制造工藝v(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容工藝流程工藝集成v半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu):4個(gè)共價(jià)鍵,比較穩(wěn)定,沒(méi)有明顯的自由電子。v1、半導(dǎo)體能帶v禁帶帶隙介于導(dǎo)體和絕緣體之間v2
2025-03-01 12:21
【總結(jié)】制程及原理概述半導(dǎo)體工業(yè)的制造方法是在硅半導(dǎo)體上制造電子元件(產(chǎn)品包括:動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、靜態(tài)記億體、微虛理器…等),而電子元件之完成則由精密復(fù)雜的集成電路(IntegratedCircuit,簡(jiǎn)稱(chēng)IC)所組成;IC之制作過(guò)程是應(yīng)用芯片氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù),所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。隨著電子信息產(chǎn)品朝輕薄短小化的方向發(fā)展,半導(dǎo)體制造方法亦朝著高
2025-06-16 15:39
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程N(yùn)型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng) PN結(jié): 半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為 前段(FrontEnd)制程 晶圓處理制程(WaferFabrication;簡(jiǎn)稱(chēng)WaferFab)、 晶圓針測(cè)制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 構(gòu)裝(Packaging)、 測(cè)
2025-08-22 13:36
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造技術(shù)陳弈星第十七章離子注入本章目標(biāo)1.解釋摻雜在硅片制造過(guò)程中的目的和應(yīng)用.2.討論雜質(zhì)擴(kuò)散的原理和過(guò)程.3.對(duì)離子注入有整體的認(rèn)識(shí),包括優(yōu)缺點(diǎn).4.討論劑量和射程在離子注入中的重要性.5.列舉離子注入機(jī)的5個(gè)主要子系統(tǒng).6.解釋離子注入中
2025-05-15 01:07
【總結(jié)】半導(dǎo)體製程簡(jiǎn)介部門(mén)ASI/EOL報(bào)告人SaintHuang半導(dǎo)體製造流程晶圓製造封裝晶圓針測(cè)測(cè)試Front-EndBack-End晶粒(Die)成品半導(dǎo)體製程分類(lèi)◆I.晶圓製造◆◆◆
2025-08-06 14:07
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或注入摻雜光刻的目的:光