【總結(jié)】一.名詞解釋:①.CZ直拉法:是用包括熔爐,拉晶機(jī)械裝置(籽晶夾具,旋轉(zhuǎn)機(jī)械裝置),環(huán)境控制裝置的拉晶機(jī)進(jìn)行結(jié)晶。多晶硅放入坩堝中,熔爐加熱到超過硅的熔點(diǎn),將一個(gè)適當(dāng)晶向的籽晶放置在籽晶夾具中,懸于坩堝之上,將籽晶夾具插入熔融液中,雖然籽晶將會(huì)部分融化,但其未融化的籽晶頂部將會(huì)接觸熔融液的表面、將籽晶慢慢拉起,熔融液在固體液體的表面逐漸冷卻,從而產(chǎn)生很大的晶體即從熔融硅中生長單晶硅的基本
2025-04-17 07:12
【總結(jié)】1.??何謂PIE??PIE的主要工作是什幺????????答:ProcessIntegrationEngineer(工藝整合工程師),主要工作是整合各部門的資源,對(duì)工藝持續(xù)進(jìn)行改善,確保產(chǎn)品的良率(yield)穩(wěn)定良好。2.??200mm,300mmW
2024-08-12 05:48
【總結(jié)】硫及金屬硫化物-類石墨相氮化碳納米復(fù)合材料的制備,表征及其光催化性能的研究第一章緒論自18世紀(jì)60年代的第一次工業(yè)革命到現(xiàn)在以來,科學(xué)技術(shù)迅猛發(fā)展、日新月異。工業(yè)革命(第一次科技革命)以瓦特的蒸汽機(jī)的發(fā)明為標(biāo)志,宣告了人類社會(huì)由原來的火器時(shí)代,進(jìn)入到了蒸汽時(shí)代。第二次科技革命發(fā)生在19世紀(jì)70年代,在這個(gè)時(shí)期,自然科學(xué)取得了飛速的進(jìn)展,由于資本主義制度的逐漸形成和完善,資本主義
2025-06-24 08:22
【總結(jié)】半導(dǎo)體詞匯縮寫表A/DanalogtodigitalAAatomicabsorptionAASatomicabsorptionspectroscopyABCactivity-basedcostingABMactivity-basedmanagementACalternatingcurrent;activatedcarbonA
2025-07-30 00:04
【總結(jié)】1Chapter5加熱制程王紅江,Ph.D.2目標(biāo)?列出三種加熱制程?描述集成電路制造的熱制程?描述熱氧化制程?說明快速加熱制程(RTP)的優(yōu)點(diǎn)3主題?簡介?硬設(shè)備?氧化?擴(kuò)散?退火–離子注入后退火–合金熱處理–再
2025-02-28 15:03
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件原理簡明教程習(xí)題答案傅興華簡述單晶、多晶、非晶體材料結(jié)構(gòu)的基本特點(diǎn).解整塊固體材料中原子或分子的排列呈現(xiàn)嚴(yán)格一致周期性的稱為單晶材料;原子或分子的排列只在小范圍呈現(xiàn)周期性而在大范圍不具備周期性的是多晶材料;原子或分子沒有任何周期性的是非晶體材料.什么是有效質(zhì)量,根據(jù)E(k)平面上的的能帶圖定性判斷硅鍺和砷化鎵導(dǎo)帶電子的遷移率的相對(duì)大小.解有效質(zhì)量
2025-06-23 23:23
【總結(jié)】半導(dǎo)體製程簡介部門ASI/EOL報(bào)告人SaintHuang半導(dǎo)體製造流程晶圓製造封裝晶圓針測(cè)測(cè)試Front-EndBack-End晶粒(Die)成品半導(dǎo)體製程分類◆I.晶圓製造◆◆◆
2024-08-15 14:07
【總結(jié)】 實(shí)驗(yàn)十七 半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時(shí)發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)。這一效應(yīng)對(duì)金屬來說并不顯著,但對(duì)半導(dǎo)體非常顯著。利用這一效應(yīng)制成的各種霍爾元件,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面。霍爾效應(yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)?zāi)軠y(cè)定半導(dǎo)體材料的
2024-08-12 06:23
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變!1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑,吸光并
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)?特征擴(kuò)散長度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴(kuò)散入硅
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-02-26 01:36
【總結(jié)】下載最好的KEC-W和C&C的我&我(20xx.)PEGKEC-公司韓國研究總數(shù)報(bào)告KEC-公司韓國研究總數(shù)報(bào)告決裁贊成者助手設(shè)計(jì)Reportor:朱Zhao六月日期:~總數(shù)標(biāo)明的頁數(shù)S以系統(tǒng)P字新的(包裹,機(jī)器
2025-05-22 20:19
【總結(jié)】四川洪芯微科技有限公司1)Acetone丙酮丙酮是有機(jī)溶劑的一種,分子式為CH3COCH3性質(zhì):無色,具剌激性薄荷臭味的液體用途:在FAB內(nèi)的用途,主要在于黃光室內(nèi)正光阻的清洗、擦拭毒性:對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性,對(duì)皮
2024-08-12 05:50
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序,消耗6~8周的時(shí)間,看似復(fù)雜,而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過程,最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個(gè)工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】半導(dǎo)體制冷實(shí)驗(yàn)五邑大學(xué)物理實(shí)驗(yàn)中心一種新的制冷技術(shù)半導(dǎo)體制冷的優(yōu)點(diǎn)?不用制冷劑,環(huán)保?不用機(jī)械部件,可靠性更高,易于實(shí)現(xiàn)和維護(hù)?冷卻速度和溫度可任意調(diào)節(jié)?冷熱端可互換,制冷與制熱切換簡單?體積和功率可以做得很小帕爾貼效應(yīng)?1834年,法國科學(xué)家帕爾貼在銅絲兩頭各接一根鉍絲,再將兩根鉍絲分別
2025-07-18 13:54