電學(xué)半導(dǎo)體制程及原理(參考版)
2025-06-19 15:39本頁面
【正文】 其中廢酸包括HF、NH4F、H2SOHCl、HNOHAc、HBr等，廢鹼則為NH4OH。：生活垃圾、紙、玻璃、塑膠、木材、保麗龍、橡膠手套、不織布口罩及鞋套、廢溶劑、廢濾料、顯影廢液、微影清洗廢液、泵浦廢油、含氟廢水虛理污泥、廢芯片，其申廢溶劑包括三氯乙烷、異丙烷、丙酮、乙醇、二甲苯、甲苯、乙酸丁酯、甲醇、三氯甲烷、三氟三氯乙烷等。?重金屬廢水：電鍍程序產(chǎn)出，包括底材溶出，鍍液帶出，而溶入水洗水，污染質(zhì)包括pH、Zn、Pb等重金屬。?酸鹼廢水：電鍍前虛理程序產(chǎn)出，含H2SOHCl、NaOH等，污染質(zhì)為pH、COD、SS。綜合其廢水種類可依污染性及廢水來源區(qū)分為研磨廢水、脫脂廢水、酸鹼廢水、氰化物廢水、重金屬廢水等類。IC構(gòu)裝廠主要污染源為電鍍程序產(chǎn)生的廢液及廢棄水洗水。②含氟廢水：含高濃度HF，污染質(zhì)為pH、COD、F_。廢水種類(1)IC制造廠IC制造廠由于產(chǎn)品類型及規(guī)格相當(dāng)多樣化，因此制程單元組合多不相同，因此制程排出之廢水種類及造成污染之化學(xué)物質(zhì)相當(dāng)多且繁雜，而廢水絕大多數(shù)為超純水清洗芯片、去光阻及蝕刻等程序所排出之廢水，若依照廢水成份特性大致上可區(qū)分為酸鹼廢水及含氟廢水兩大類，由于此兩類廢水之污染特性差異甚大，處理時(shí)必須予以妥善分流收集：①酸鹼廢水：含有H2SOHAc、HNOHF、H3PONaOH、NH4F、H2ONH4OH、HCl、二甲苯等成份，污染質(zhì)為pH、COD、SS及微量F至于IC芯片構(gòu)裝制造業(yè)產(chǎn)生之污染物計(jì)有電鍍區(qū)產(chǎn)生之酸鹼廢氣、浸錫區(qū)產(chǎn)生的錫煙氣及清洗過程產(chǎn)生之酸氣、有機(jī)溶劑逸散蒸氣。另外由于此行業(yè)過去使用極多之氟氨碳化物(CFCs，代表所有鹵素合成物，包括氟氯碳及氟氯烷)，這些合成物對(duì)臭氧層之破壞力十倍于氫氯碳化合物(HFCs)，因此現(xiàn)多已改用其他替代之方法，而且將完全不用CFCs類化學(xué)品。主要半導(dǎo)體用氣體的供給型態(tài)由以上敘述可將半導(dǎo)體工業(yè)所用之制程材料歸納為特殊毒性氣體、酸鹼液及有機(jī)溶劑三大類。同一操作單元所使用之化學(xué)物質(zhì)隨工廠之不同而異，而每個(gè)工廠也不一定使用所有化學(xué)物質(zhì)，而本節(jié)中所列乃為工廠目前主要使用之化學(xué)物質(zhì)。另外一般濕式制程中的蝕刻及清洗則使用大量的酸鹼溶液，基本上有氫氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、鹽酸(HCIl及氨(NH3)等，使用時(shí)大都形成混合液(buffer solution)。同時(shí)這些處理都要在瞬間的狀態(tài)下進(jìn)行，所以使用之氣體也采用化學(xué)活性高的元素，例如超LSI基于物理特性考慮，而使用金屬、半金屬及非金屬為氣體化之氫化物，烷基化合物(alkyl)或低級(jí)鹵素化合物(halogen)等。9. 員工生活廢棄物：餐廳及辦公室廢棄物。7. 空氣處理廢料：無塵室空氣過濾廢濾料及毒性氣體吸附塔廢料。5. 泵浦廢油：離子植入機(jī)、PVD、CVD、蝕刻機(jī)等真空泵之劣化油脂。3. 蝕刻廢液：廢酸。2.廢棄物污染源廢棄物之產(chǎn)生源及其物質(zhì)分述如下：1.(6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質(zhì)。(4)清洗廢水：H2SOHNOH2OH3PO4。(2)電鍍廢水：脫脂過程之有機(jī)物及電鍍程序的Cu2+、Ni2+、Zn2+、Pb2+、Ag2+、氰化物、氟化物等。(5)純水設(shè)備再生廢水：NaOH、HCl、H2O2。(3)濕式蝕刻廢水：HF、NH4F、HNOH2OHCl、H2SOHAc、H3POHBr、Al、Si。各股廢水源及其所含的化學(xué)物質(zhì)如下所示：(1)芯片清洗廢水：H2SOH2OHF、NH4OH、HCl。IC芯片構(gòu)裝制程中空氣污染物發(fā)生源廢水污染源廢水污染源分為IC制造廠及構(gòu)裝制造作業(yè)，各有不同，說明如下：1.至于晶圓切割成芯片，再經(jīng)過一連串之構(gòu)裝作業(yè)，可能之空氣污染源包括:電鍍區(qū)產(chǎn)生之酸鹼廢氣、浸錫區(qū)產(chǎn)生之錫煤煙，以及清洗過程產(chǎn)生之酸氣與有機(jī)溶劑蒸氣等三大類。3.2.依污染物特性予以歸類，可將晶圓及集成電路制程空氣污染區(qū)分為下列三處：1.空氣污染源半導(dǎo)體制造不管在硅晶圓、集成電路制造，或是IC芯片構(gòu)裝，其生產(chǎn)制程相當(dāng)繁雜，制程申所使用之化學(xué)物質(zhì)種類亦相當(dāng)多，而這些化學(xué)物質(zhì)或溶劑的使用是為半導(dǎo)體生產(chǎn)之主要空氣污染源，也因此使得半導(dǎo)體制造空氣污染呈現(xiàn)量少但種類繁多的特性。隨著這些技術(shù)之革新，半導(dǎo)體制造時(shí)所使用之酸鹼溶液、有機(jī)溶劑、特殊氣體材料之種類及數(shù)量均在增加之中，而這些制程原料大部份都其有毒性，所以應(yīng)特別注意并加以防范與控制。半導(dǎo)體元件成品剖面圖實(shí)例說明以下則舉一基本實(shí)例并配合圖形說明整個(gè)制程。此制程視產(chǎn)品品質(zhì)決定需要否去筋打彎將整片連線打著完成之半產(chǎn)品自金屬線切開(即去筋)，并將基板兩側(cè)漏出之金屬線打彎成直角。C。塑封為保護(hù)已連線的IC，將IC芯片封入環(huán)氧樹脂封套內(nèi)。 濺射蝕刻制程及平行臺(tái)電漿蝕刻使用之氣體濺射蝕刻制程加，Ne平行臺(tái)電漿蝕刻CCI + CICF + HBC
化學(xué)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1