【總結(jié)】第八章光刻哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝光刻工藝是半導(dǎo)體工藝過程中非常重要的一道工序,它是用來在晶圓表面建立圖形的工藝過程。這個工藝過程的目標(biāo)有兩個。首先是在晶圓表面建立盡可能接近設(shè)計規(guī)則中所要求尺寸的圖形;第二個目標(biāo)是在晶圓表面正確定位圖形。整個電路圖形必須被正確地定位于晶圓表面,電路圖形上單獨(dú)的每一部分之間的相對位置也必須是
2025-03-01 04:32
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-02-26 01:36
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝半導(dǎo)體制造工藝l微電子學(xué):Microelectronicsl微電子學(xué)——微型電子學(xué)l核心——半導(dǎo)體器件l半導(dǎo)體器件設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕
2025-03-01 12:21
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移=光刻+刻蝕1半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理刻蝕速率R(etchrate)單位時間刻蝕的薄膜厚度。對產(chǎn)
2025-03-01 12:23
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段
2025-05-12 20:53
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)?特征擴(kuò)散長度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴(kuò)散入硅
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)習(xí)情景三:薄膜制備子情景4:物理氣相淀積學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體制造工藝第2版?書名:半導(dǎo)體制造工藝第2版?書號:978-7-111-50757-4?作者:張淵?出版社:機(jī)械工業(yè)出版社學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院物理氣相淀積?概念:物
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識本征材料:純硅9-10個N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻SbP型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié):半導(dǎo)體元件制造過程可分為前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、晶
2025-06-26 12:08
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(上)摻雜(doping):將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中,并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀(dopingprofile)。MOSFET:阱、柵、源/漏、溝道等BJT:基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應(yīng)用:BECppn+n-p+p+n+n+B
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程N(yùn)型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng) PN結(jié): 半導(dǎo)體元件制造過程可分為 前段(FrontEnd)制程 晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、 晶圓針測制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 構(gòu)裝(Packaging)、 測
2024-08-31 13:36
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第3章 清洗工藝第3章 清洗工藝 引言 污染物雜質(zhì)的分類 清洗方法概況 常用清洗設(shè)備——超聲波清洗設(shè)備 質(zhì)量控制 引言表3-1 國際半導(dǎo)體技術(shù)指南——清洗技術(shù) 引言表3-1 國際半導(dǎo)體技術(shù)指南——清洗技術(shù) 污染物雜質(zhì)的分類表3-2 各種沾污的來源和相對的影響 污染物雜質(zhì)的分類
2025-03-01 04:29
【總結(jié)】華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系先進(jìn)制造技術(shù)半導(dǎo)體制造裝備華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級,如圖所示,即:0級封裝———芯
2025-02-26 08:37
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移=光刻+刻蝕
2025-03-04 15:10