【正文】 要金屬。氯基氣體（如 Cl2或 CCl4）能用來刻蝕鎢并改善各向異性特性和選擇比 . ■接觸金屬刻蝕 在 MOS器件制造中，接觸金屬的刻蝕是很關鍵的，因為尺寸的控制會影響到器件的溝道長度。接觸金屬等離子體刻蝕可以采用氟基或氯基氣體。氟基氣體由于在增大的刻蝕速率的情況下所具有的良好尺寸控制特性而被使用。 干法刻蝕 刻蝕之后，圖案成為晶圓最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要了，而要從表面去掉。傳統(tǒng)的方法是用濕法化學工藝將其去除。濕法化學液在前端工藝中是較受歡迎的方法，因為表面和 MOS柵極暴露易于受到等離子體損傷。氧氣等離子體去除光刻膠層的使用正在增加，它主要用于后端工藝中，這是因為敏感器件被絕緣和金屬表層覆蓋住。 有許多不同的化學品被用于去除工藝。其選擇依據晶圓表層（在光刻膠層下）、光刻膠極性等。干法刻蝕和離子注入之后，晶圓表層的光刻膠都需要去掉。高溫硬烘焙，等離子體刻蝕的殘留物和邊側聚合物，以及由離子注入導致的硬殼都會對光刻膠去除工藝帶來挑戰(zhàn)。 光刻膠的去除 光刻膠去除劑被分成綜合去除劑和專用于正光刻膠及負光刻膠的去除劑。它們也根據晶圓表層類型被分成：有金屬的或無金屬的。■ 無金屬表面的濕法去除 硫酸和氧化劑溶液（過氧化氫或過硫酸鹽胺）是最常用的去除無金屬表面光刻膠層的去除劑（無金屬表面是二氧化硅，氮化硅或多晶硅）。這種溶液可去除負光刻膠和正光刻膠?！?有金屬表面的濕法化學去除 ① 有機去除劑 ② 溶液／胺去除劑 光刻膠的去除 ③ 特殊濕法去除劑 一種基于羥胺（ HDA）的去除劑。適用于去掉等離子體刻蝕和未被去除劑去掉的的殘余物。 光刻膠的去除 ■ 干法去膠 將晶圓放置于反應室中并通入氧氣，等離子體場把氧氣激發(fā)到高能狀態(tài)，將光刻膠成分氧化為氣體由真空泵從反應室吸走。等離子體光刻膠去除的主要優(yōu)點是消除了液體槽和對化學品的操作。缺點是對于金屬離子的去除沒有效果。在等離子體場中沒有足夠的能量使金屬離子揮發(fā)。 離子注入導致強烈的光刻膠聚合并使表層硬化。一般地，用干法工藝來去除或減少光刻膠，然后再加以濕法工藝。光刻膠的去除 在基本的光刻工藝中最終步驟是目檢。實際上與顯影目檢是一樣的規(guī)程，只是大多數的拒收是無法挽回的（ 不能進行重新工藝處理 ）。晶圓在白光或紫外光下首先接受表面目檢，以 檢查污點和大的微粒污染 。之后是顯微鏡檢驗或自動檢驗來 檢驗缺陷和圖案變形 。對于特定光刻版級別的 關鍵尺寸的測量 也是最終目檢的一部分。主要針對的是刻蝕過的圖案質量、欠刻蝕和內切這兩個參數。 最終目檢 最初光刻版由涂上感光劑的玻璃板制成。感光劑與照相機膠卷中使用的感光材料相似。這些光刻版容易劃傷，在使用中易損傷而不能分辨 3微米以下圖形?，F代最常使用的光刻版使用玻璃涂敷鉻技術。在玻璃光刻版表面的鉻薄膜上形成一個圖案。光刻版制作材料是硼硅酸鹽玻璃或石英，它們有良好的尺寸穩(wěn)定性和曝光波長的傳輸性能。鉻涂層的厚度在 1000197。的范圍并以濺射工藝沉積在玻璃上。先進的光刻版使用鉻、鉻氧化物、鉻氮化物鍍層。光刻版制作 使用圖案產生器的方法制作光刻版的工藝： 圖案產生器由一個光源和一系列的馬達驅動的快門。帶有光刻膠的鍍鉻光刻版在光源下隨著快門的打開而移動，使光形成的精確圖案照射到光刻膠上產生預期的圖案。光刻版圖案以一種步進重復的工藝被轉移到涂有光刻膠的空白掩膜版來形成一個母版。母版用來在一個接觸復印機上制作多重工作掩膜版。這種設備將母版與涂有光刻膠的空白掩膜版接觸并有一個用于圖案復制的 UV光源。每個曝光步驟完成后（圖案產生，激光，電子束，母版曝光和接觸復印），掩膜版通過顯影，目檢，刻蝕，去光刻膠和目檢而最終把圖案永久地復制到鉻鍍層上。 光刻版制作 使用激光或電子束直接曝光寫入的工藝： 具有非常小幾何形狀并有很窄定位余量的高端產品要求高質量的掩膜版。用于這種工藝中的掩膜版是由激光或電子束直接曝光寫入而制成的。 VLSI和 ULSI級的電路實際上要求無缺陷及尺寸上理想的掩膜版。從各個方面上的關鍵尺寸（ CD）余量為 10％或更好，給掩膜版 4％的錯誤余量。有一些方法用激光 “跳過 ”的技術來消除不期望的鉻點和圖案突起。聚焦離子束（ FIB）是非常理想的修理技術。沒有或部分圖案丟失可用碳沉積的方法來填補。不透明的或不想要的鉻區(qū)域以離子束濺射來去除。 光刻版制作 光刻版制作 n 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023n 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 04:48:0504:48:0504:482/1/2023 4:48:05 AMn 1以我獨沈久，愧君相見頻。 二月 2104:48:0504:48Feb2101Feb21n 1故人江海別，幾度隔山川。 04:48:0504:48:0504:48Monday, February 01, 2023n 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 二月 21二月 2104:48:0504:48:05February 01, 2023n 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 01 二月 20234:48:05 上午 04:48:05二月 21n 1比不了得就不比，得不到的就不要。 。 二月 214:48 上午 二月 2104:48February 01, 2023n 1行動出成果，工作出財富。 2023/2/1 4:48:0504:48:0501 February 2023n 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 4:48:05 上午 4:48 上午 04:48:05二月 21n 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023n 很多事情努力了未必有結果，但是不努力卻什么改變也沒有。 04:48:0504:48:0504:482/1/2023 4:48:05 AMn 1成功就是日復一日那一點點小小努力的積累。 二月 2104:48:0504:48Feb2101Feb21n 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 04:48:0504:48:0504:48Monday, February 01, 2023n 1不知香積寺，數里入云峰。 二月 21二月 2104:48:0504:48:05February 01, 2023n 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 01 二月 20234:48:05 上午 04:48:05二月 21n 1楚塞三湘接，荊門九派通。 。 二月 214:48 上午 二月 2104:48February 01, 2023n 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 2023/2/1 4:48:0504:48:0501 February 2023n 1空山新雨后，天氣晚來秋。 4:48:05 上午 4:48 上午 04:48:05二月 21n 楊柳散和風，青山澹吾慮。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023n 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 04:48:0504:48:0504:482/1/2023 4:48:05 AMn 1越是沒有本領的就越加自命不凡。 二月 2104:48:0504:48Feb2101Feb21n 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 04:48:0504:48:0504:48Monday, February 01, 2023n 1知人者智，自知者明。勝人者有力，自勝者強。 二月 21二月 2104:48:0504:48:05February 01, 2023n 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 01 二月 20234:48:05 上午 04:48:05二月 21n 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 二月 214:48 上午 二月 2104:48February 01, 2023n 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 2023/2/1 4:48:0504:48:0501 February 2023n 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。 4:48:05 上午 4:48 上午 04:48:05二月 21MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看專 家告 訴