【總結(jié)】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)晶體生長和外延1晶體生長和外延現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2023,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)晶體生長和外延2晶體生長與外延對(duì)分立器件而言,最重要的半導(dǎo)
2025-01-23 03:14
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設(shè)備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
2025-03-01 04:31
【總結(jié)】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences單擊此處編輯母版文本樣式中科院半導(dǎo)體所照明研發(fā)中心工藝設(shè)備簡(jiǎn)介
2025-05-13 17:48
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:29
【總結(jié)】1、清洗集成電路芯片生產(chǎn)的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半導(dǎo)體生產(chǎn)污染要求非常嚴(yán)格,清洗工藝需要消耗大量的高純水;且為進(jìn)行特殊過濾和純化廣泛使用化學(xué)試劑和有機(jī)溶劑。在硅片的加工工藝中,硅片先按各自的要求放入各種藥液槽進(jìn)行表面化學(xué)處理,再送入清洗槽,將其表面粘附的藥液清洗干凈后進(jìn)入下一道工序。常用的清洗方式是將硅片沉浸在液體槽內(nèi)或使用
2025-06-26 08:02
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或
2025-02-28 12:02
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wafe
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第3章 清洗工藝第3章 清洗工藝 引言 污染物雜質(zhì)的分類 清洗方法概況 常用清洗設(shè)備——超聲波清洗設(shè)備 質(zhì)量控制 引言表3-1 國際半導(dǎo)體技術(shù)指南——清洗技術(shù) 引言表3-1 國際半導(dǎo)體技術(shù)指南——清洗技術(shù) 污染物雜質(zhì)的分類表3-2 各種沾污的來源和相對(duì)的影響 污染物雜質(zhì)的分類
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段
2025-05-12 20:53
【總結(jié)】第一章微電子工藝概述?微電子工藝是指微電子產(chǎn)品的制作方法、原理、技術(shù)。不同產(chǎn)品的制作工藝不同,且繁瑣復(fù)雜,但可以分解為多個(gè)基本相同的小單元,就是單項(xiàng)工藝,不同產(chǎn)品的制作就是將單項(xiàng)工藝按需要排列組合來實(shí)現(xiàn)的。?芯片制造半導(dǎo)體器件制作在硅片表面僅幾微米的薄層上,在一片硅片上可以同時(shí)制作幾十甚至上百個(gè)特定的芯片。?芯片制造涉及五個(gè)大的制造
2025-05-07 12:40
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)?特征擴(kuò)散長度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴(kuò)散入硅
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)習(xí)情景三:薄膜制備子情景4:物理氣相淀積學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體制造工藝第2版?書名:半導(dǎo)體制造工藝第2版?書號(hào):978-7-111-50757-4?作者:張淵?出版社:機(jī)械工業(yè)出版社學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院物理氣相淀積?概念:物
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變!1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑,吸光并
2025-02-28 12:03
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(上)摻雜(doping):將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中,并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀(dopingprofile)。MOSFET:阱、柵、源/漏、溝道等BJT:基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應(yīng)用:BECppn+n-p+p+n+n+B
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件原理與工藝半導(dǎo)體加工工藝原理§概述§半導(dǎo)體襯底§熱氧化§擴(kuò)散§離子注入§光刻§刻蝕
2025-03-01 04:32