半導(dǎo)體器件原理與工藝31-資料下載頁(yè)
2025-03-01 04:32本頁(yè)面
【正文】 常見(jiàn)材料的腐蝕167。 SiO2 的腐蝕216。 6:1 = HF216。 Thermal silicon dioxide , 1200 197。/minSiO2 + 6HF H2+ SiF6 + 2H2ONH4F? NH3 + HF167。 Si3N4的腐蝕216。 20 : 1 BHF at RT 10 197。/min216。 H3PO4 , 140~200 ℃ ~100A/min216。 3: 10 mixture of 49 % HF(in H2O) and 70 % HNO3 at 70 ℃RSiO2/RSi100:1半導(dǎo)體器件原理與工藝 常見(jiàn)材料的腐蝕167。 Aluminum216。H3PO4 + CH3COOH + HNO3 + H2O216。(~30oC)216。磷酸 H3PO4— 起主要的腐蝕作用216。硝酸 HNO3— 改善臺(tái)階性能216。醋酸 — 降低腐蝕液表面張力216。水 — 調(diào)節(jié)腐蝕液濃度半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅各向同性腐蝕167。 濕法腐蝕中的關(guān)鍵因素：216。 氧化劑 （例如 H2O2, HNO3)216。 能溶解氧化表面的酸 （ HF）216。 輸送反應(yīng)物的媒介 （ H2O， CH3COOH）半導(dǎo)體器件原理與工藝 氧化還原反應(yīng)167。 腐蝕是一種電化學(xué)過(guò)程167。 氧化是電子失去的過(guò)程，167。 還原則是電子增加的過(guò)程；167。 氧化還原反應(yīng)：兩種反應(yīng)的競(jìng)爭(zhēng)半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 1167。 HF+HNO3+CH3COOH167。 各向同性腐蝕167。 總體反應(yīng)：216。Si+HNO3+6HF?H2SiF6+HNO2+H2O+H2216。腐蝕過(guò)程是硅的氧化然后被 HF溶解的過(guò)程216。硅表面點(diǎn)隨即變成氧化或還原點(diǎn)；類(lèi)似于電化學(xué)電池半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 2167。 硅在陽(yáng)極附近失去電子轉(zhuǎn)為強(qiáng)氧化態(tài)： * Si0+h2+?Si2+167。 在陰極的 NO2不斷減少以產(chǎn)生空穴：216。2NO2?2NO2 +2h+167。 硅和 OH反應(yīng)生成 SiO2:216。Si2++2(OH) ?Si(OH)2 +2SiO2+H2167。 SiO2被 HF溶解形成 H2SiF6：216。SiO2+6HF?H2SiF6+2HO2半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 3167。 硝酸的作用216。 在水中正常溶解： HNO3??HNO3 +H+216。 自催化以形成亞硝酸和空穴 HNO2+HNO3?N2O4+H2O N2O4+HNO2??2NO2+2h+ 2NO2+2h+??2HNO2216。 腐蝕劑必須到表面才能和硅反應(yīng)或腐蝕216。 運(yùn)動(dòng)到表面的方式將影響到選擇比 , 過(guò)刻 , 和均勻性167。 NO2是硅的有效氧化劑半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 4167。 醋酸的作用216。常用水代替 CH3COOH216。醋酸的電絕緣常數(shù)比水低 ? CH3COOH H2O 81 ? 減少了硝酸的溶解，提高了氧化能力半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 5半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 6半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 7167。 區(qū) 1： 高 HF濃度區(qū)，腐蝕曲線平行于硝酸濃度刻度，腐蝕受硝酸控制。留下少部分氧化物167。 區(qū) 2： 高硝酸濃度區(qū)，腐蝕曲線平行于氫氟酸濃度刻度，腐蝕受氫氟酸控制。167。 區(qū) 3： 腐蝕受水的影響不大，當(dāng) HF:HNO3=1:1時(shí)，腐蝕速率下降很快
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