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半導(dǎo)體材料與工藝之晶體生長(zhǎng)原理-資料下載頁(yè)

2025-03-01 12:21本頁(yè)面
  

【正文】 ndrite arms. (b) Small secondary dendrite arm spacings result in smaller, more evenly distributed shrinkage porosity. (c) Short primary arms can help avoid shrinkage. (d) Interdendritic shrinkage in an aluminum alloy is shown (x 80)72( Equiaxed zone)形成原因:p散熱愈來(lái)愈慢,p整個(gè)截面的溫度逐漸變?yōu)榫鶆?。p殘留的液態(tài)金屬中同時(shí)出現(xiàn)晶核而進(jìn)行結(jié)晶。p在鑄錠中心散熱已無(wú)方向性,p鑄錠的中心區(qū)形成了比較粗大的等軸晶粒區(qū)。p等軸晶與柱狀晶相比,因各枝晶彼此嵌入,結(jié)合得比較強(qiáng)固,沒(méi)有柱狀晶那樣的脆弱界面,鑄錠易于進(jìn)行壓力加工,鑄件性能不顯方向性。p樹(shù)枝晶較發(fā)達(dá),分枝較多,顯微縮孔增多,使結(jié)晶后的組織不夠致密,重要工件在進(jìn)行熱加工時(shí)應(yīng)設(shè)法將疏松焊合。p一般高熔點(diǎn)的鋼鐵材料希望得到更多的等軸晶。731. 獲得等軸晶粒組織的因素o使用容量和導(dǎo)熱系數(shù)小的鑄型(如陶瓷型或砂土型)使其緩慢冷卻或均勻散熱。o液體金屬過(guò)熱不大,而且澆注溫度較熔化溫度高出不多。o在冷卻過(guò)程中攪拌鑄型中的液體金屬。o液體金屬中有難熔雜質(zhì)的存在。2. 獲得柱狀晶粒的因素o采用傳熱系數(shù)高,導(dǎo)熱快的鑄型(例如金屬型和水冷卻的鑄型等)。o金屬在熔化溫度以上劇烈的過(guò)熱并使液體的澆鑄溫度增高。o液體金屬在鑄型內(nèi)靜止冷卻(在冷卻時(shí)沒(méi)有攪拌振動(dòng)等因素)。 鑄錠組織的控制74( directional solidificationDS)p渦輪葉片鑄件是用 Ti,Co,Ni基高溫合金采用精密熔模鑄造法制造出來(lái)的。然而,用普通鑄造方法的鑄造的渦輪葉片為等軸晶,容易沿晶界橫向斷裂。采用定向凝固生長(zhǎng)技術(shù)可以獲得更高的蠕變和斷裂抗力。這是因?yàn)樵诙ㄏ蚰讨?,從一端加熱,從另一端進(jìn)行冷卻,產(chǎn)生所有晶界全部沿零件縱向排列的柱狀晶,在橫向上沒(méi)有晶界。p采用 單晶( single crystalSC) 制備技術(shù)可以獲得更好的性能。柱狀晶的凝固開(kāi)始于一個(gè)冷端,由于螺旋狀的連接,只有一個(gè)柱狀晶粒可以生長(zhǎng)成為鑄件。單晶鑄件沒(méi)有晶界,所以其晶面和晶向沿最佳取向定向排列。、單晶生長(zhǎng)和外延生長(zhǎng)75Figure Controlling grain structure in turbine blades: (a) conventional equiaxed grains, (b) directionally solidified columnar grains, and (C) single crystal.渦輪葉片的晶??刂?: (a) 普通等軸晶 (b) 定向凝固的柱狀晶和 (C)單晶762. 單晶生長(zhǎng) :p多晶材料性能并不好。晶界和其它缺陷影響了電學(xué)、光學(xué)性能。例如,為了充分利用摻雜硅的半導(dǎo)體的性能,必須使用高純單晶材料。目前可以制造出直徑為 250mm的大單晶硅。大單晶硅可以切成幾個(gè)毫米后的硅晶片。p布里奇曼 (Bridgman)法和切克勞斯基 (Czochralski)法是制造 Si, GaAs, LiNbO3等單晶材料最為常用的方法。p含有熔融材料的晶體生長(zhǎng)爐必須保持其精密和穩(wěn)定的溫度。通常,將一個(gè)預(yù)先具有某種晶體學(xué)位向的小晶體做為 晶種 ??刂苽鳠嵋允谷廴诘牟牧辖Y(jié)晶成單晶材料。、單晶生長(zhǎng)和外延生長(zhǎng)77Figure (a) Silicon single crystal, (b) silicon wafer, and (c) Bridgman technique. 783. 外延生長(zhǎng)( Epitaxial Growth)p控制沉積多晶材料的織構(gòu)或者晶體學(xué)位向。p利用一個(gè)已知位向的基體。如果基體和薄膜之間的點(diǎn)陣匹配很好,就可以高度定向生長(zhǎng)或者單晶薄膜。這種方法叫外延生長(zhǎng) 。p薄膜和基體材料相同的外延生長(zhǎng)叫 同質(zhì)外延 或 均相外延(Homoepitaxy)。例如在 Si基體上生長(zhǎng)摻雜 P的 Si薄膜材料。p當(dāng)高定向的多晶或單晶薄膜材料在另外一種基體材料上面生長(zhǎng),基體材料可以提供非均勻形核的位置,這種方法叫叫 異質(zhì)外延生長(zhǎng)( Heteroepitaxy) 。p許多化合物半導(dǎo)體裝置可以用液相和氣相外延工藝。外延生長(zhǎng)不一定一定要用凝固。同樣,可以在非晶材料基體上面生長(zhǎng)高定向的許多材料。例如在玻璃上生長(zhǎng) ZnO。、單晶生長(zhǎng)和外延生長(zhǎng)完o 靜夜四無(wú) 鄰 ,荒居舊 業(yè)貧 。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023o 雨中黃葉 樹(shù) ,燈下白 頭 人。 04:46:2604:46:2604:462/1/2023 4:46:26 AMo 1以我獨(dú)沈久,愧君相 見(jiàn)頻 。 二月 2104:46:2604:46Feb2101Feb21o 1故人江海 別 ,幾度隔山川。 04:46:2604:46:2604:46Monday, February 01, 2023o 1乍 見(jiàn) 翻疑夢(mèng),相悲各 問(wèn) 年。 二月 21二月 2104:46:2604:46:26February 01, 2023o 1他 鄉(xiāng) 生白 發(fā) ,舊國(guó) 見(jiàn) 青山。 01 二月 20234:46:26 上午 04:46:26二月 21o 1比不了得就不比,得不到的就不要。 。 二月 214:46 上午 二月 2104:46February 01, 2023o 1行 動(dòng) 出成果,工作出 財(cái) 富。 2023/2/1 4:46:2604:46:2601 February 2023o 1做前,能 夠環(huán)視 四周;做 時(shí) ,你只能或者最好沿著以腳 為 起點(diǎn)的射 線 向前。 4:46:26 上午 4:46 上午 04:46:26二月 21o 沒(méi)有失 敗 ,只有 暫時(shí) 停止成功!。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023o 很多事情努力了未必有 結(jié) 果,但是不努力卻什么改 變 也沒(méi)有。 04:46:2604:46:2604:462/1/2023 4:46:26 AMo 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的 積 累。 二月 2104:46:2604:46Feb2101Feb21o 1世 間 成事,不求其 絕對(duì)圓滿 ,留一份不足,可得無(wú)限完美。 04:46:2604:46:2604:46Monday, February 01, 2023o 1不知香 積 寺,數(shù)里入云峰。 二月 21二月 2104:46:2604:46:26February 01, 2023o 1意志 堅(jiān) 強(qiáng) 的人能把世界放在手中像泥 塊 一 樣 任意揉捏。 01 二月 20234:46:26 上午 04:46:26二月 21o 1楚塞三湘接, 荊門 九派通。 。 二月 214:46 上午 二月 2104:46February 01, 2023o 1少年十五二十 時(shí) ,步行 奪 得胡 馬騎 。 2023/2/1 4:46:2604:46:2601 February 2023o 1空山新雨后,天氣晚來(lái)秋。 4:46:26 上午 4:46 上午 04:46:26二月 21o 楊 柳散和 風(fēng) ,青山澹吾 慮 。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023o 閱讀 一切好 書(shū) 如同和 過(guò) 去最杰出的人 談話 。 04:46:2604:46:2604:462/1/2023 4:46:26 AMo 1越是沒(méi)有本 領(lǐng) 的就越加自命不凡。 二月 2104:46:2604:46Feb2101Feb21o 1越是無(wú)能的人,越喜 歡 挑剔 別 人的 錯(cuò) 兒。 04:46:2604:46:2604:46Monday, February 01, 2023o 1知人者智,自知者明。 勝 人者有力,自 勝 者 強(qiáng) 。 二月 21二月 2104:46:2604:46:26February 01, 2023o 1意志 堅(jiān) 強(qiáng) 的人能把世界放在手中像泥 塊 一 樣 任意揉捏。 01 二月 20234:46:26 上午 04:46:26二月 21o 1最具挑 戰(zhàn) 性的挑 戰(zhàn) 莫 過(guò) 于提升自我。 二月 214:46 上午 二月 2104:46February 01, 2023o 1 業(yè) 余生活要有意 義 ,不要越 軌 。 2023/2/1 4:46:2604:46:2601 February 2023o 1一個(gè)人即使已登上 頂 峰,也仍要自 強(qiáng) 不息。 4:46:26 上午 4:46 上午 04:46:26二月 21MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看專 家告 訴
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