【總結(jié)】擴(kuò)散半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)本章重點(diǎn)?摻雜的目的;?摻雜的方法;?恒定源擴(kuò)散;?有限源擴(kuò)散;?摻雜:摻雜技術(shù)是在高溫條件下,將雜質(zhì)原子以一定的可控量摻入到半導(dǎo)體中,以改變半導(dǎo)體硅片的導(dǎo)電類(lèi)型或表面雜質(zhì)濃度。?形成PN結(jié)、電阻?磷(P)、砷(As)——N型硅?硼(B)
2025-02-28 11:58
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)2一、襯底材料的類(lèi)型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)3二、對(duì)襯底材料的要求?導(dǎo)電
2025-03-04 15:32
【總結(jié)】半導(dǎo)體光刻工藝技術(shù)基礎(chǔ)芯碩半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司做世界一流產(chǎn)品創(chuàng)世界一流品牌Contents1.半導(dǎo)體技術(shù)2.光刻技術(shù)在IC制造中的作用3.光刻的工藝流程4.光刻膠5.光刻機(jī)6.光源7.技術(shù)改進(jìn)和新技術(shù)一、半導(dǎo)體技術(shù)?半導(dǎo)體定義?半導(dǎo)體發(fā)展歷史
2025-04-29 05:02
【總結(jié)】第三章Oxidation氧化Oxidation氧化n簡(jiǎn)介n氧化膜的應(yīng)用n氧化機(jī)理n氧化工藝n氧化設(shè)備nRTO快速熱氧化簡(jiǎn)介n硅與O2直接反應(yīng)可得;nSiO2性能穩(wěn)定;n氧化工藝在半導(dǎo)體制造中廣泛使用Si+O2→SiO2氧化層簡(jiǎn)介Oxidation氧化層簡(jiǎn)介Silicon氧化膜的應(yīng)用
2025-03-01 04:34
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第七章?離子注入原理(上)有關(guān)擴(kuò)散方面的主要內(nèi)容?費(fèi)克第二定律的運(yùn)用和特殊解?特征擴(kuò)散長(zhǎng)度的物理含義?非本征擴(kuò)散?常用雜質(zhì)的擴(kuò)散特性及與點(diǎn)缺陷的相互作用?常用擴(kuò)散摻雜方法?常用擴(kuò)散摻雜層的質(zhì)量測(cè)量Distribution?according?
2025-03-01 12:18
【總結(jié)】IntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝簡(jiǎn)介艾ICProcessFlowCustomer客戶(hù)ICDesignIC設(shè)計(jì)WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測(cè)試AssemblyTestIC封裝測(cè)試SMTIC組裝ICPackage(IC的封裝形式)Pack
2025-03-01 04:33
【總結(jié)】第八章光刻哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝光刻工藝是半導(dǎo)體工藝過(guò)程中非常重要的一道工序,它是用來(lái)在晶圓表面建立圖形的工藝過(guò)程。這個(gè)工藝過(guò)程的目標(biāo)有兩個(gè)。首先是在晶圓表面建立盡可能接近設(shè)計(jì)規(guī)則中所要求尺寸的圖形;第二個(gè)目標(biāo)是在晶圓表面正確定位圖形。整個(gè)電路圖形必須被正確地定位于晶圓表面,電路圖形上單獨(dú)的每一部分之間的相對(duì)位置也必須是
2025-03-01 04:32
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過(guò)大約450道工序,消耗6~8周的時(shí)間,看似復(fù)雜,而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過(guò)程,最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個(gè)工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過(guò)程
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】雙極型晶體管哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝雙極型晶體管n晶體管的基本結(jié)構(gòu)和分類(lèi)雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n均勻基區(qū)晶體管和緩變基區(qū)晶體管均勻基區(qū)晶
【總結(jié)】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的v(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理v(2)了解集成電路制造工藝v(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容工藝流程工藝集成v半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu):4個(gè)共價(jià)鍵,比較穩(wěn)定,沒(méi)有明顯的自由電子。v1、半導(dǎo)體能帶v禁帶帶隙介于導(dǎo)體和絕緣體之間v2
2025-03-01 12:21
【總結(jié)】表面及表面態(tài)研究方法常用表面分析技術(shù)簡(jiǎn)介?表面分析技術(shù)是建立在超高真空、電子離子光學(xué)、微弱信號(hào)檢測(cè)、計(jì)算機(jī)技術(shù)等基礎(chǔ)上的一門(mén)綜合性技術(shù)。表面分析技術(shù)通過(guò)用一束“粒子”或某種手段作為探針來(lái)探測(cè)樣品表面,這些探針可以是電子、離子、光子、電場(chǎng)和熱,在探針的作用下,從樣品表面發(fā)射或散射粒子或波,它們可以是電子、離子、中性粒子或光子,這些粒子攜帶著表面的
2025-02-21 15:11
【總結(jié)】SemiconductorMaterialsBasicPrincipleofICPlanarProcessing半導(dǎo)體材料和集成電路平面工藝基礎(chǔ)?References:(Materials)3.材料科學(xué)與技術(shù)叢書(shū)—半導(dǎo)體工藝,K.A.杰克遜等主編,(科學(xué)出版社,1999)Process
2025-03-01 04:35
【總結(jié)】硅半導(dǎo)體鈍化封裝玻璃項(xiàng)目商業(yè)計(jì)劃書(shū)【報(bào)告主要內(nèi)容及價(jià)值體現(xiàn)】:商業(yè)計(jì)劃書(shū)是企業(yè)或項(xiàng)目單位為了達(dá)到招商融資和其它發(fā)展目標(biāo)之目的,在經(jīng)過(guò)對(duì)項(xiàng)目調(diào)研、分析以及搜集整理有關(guān)資料的基礎(chǔ)上,根據(jù)一定的格式和內(nèi)容的具體要求,向投資商及其他相關(guān)人員全面展示企業(yè)項(xiàng)目目前狀況及未來(lái)發(fā)展?jié)摿Φ臅?shū)面材料;商業(yè)計(jì)劃書(shū)是包括項(xiàng)目籌融資、戰(zhàn)略規(guī)劃等經(jīng)營(yíng)活動(dòng)的藍(lán)圖與指南,也是企業(yè)的行動(dòng)綱領(lǐng)和執(zhí)行方案
2025-01-19 08:15
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)有效質(zhì)量?本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴?常見(jiàn)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)重點(diǎn):有效質(zhì)量、空穴概念的理解研究方法?單電子近似:假設(shè)每個(gè)電子是在周期性排列且固定不動(dòng)的原子核勢(shì)場(chǎng)及其他電子的平均勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)。該勢(shì)
2025-03-22 06:44
【總結(jié)】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體,根據(jù)對(duì)導(dǎo)電性的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié),在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導(dǎo)體單晶上,
2025-07-25 02:12