【總結】半導體制造工藝基礎第七章?離子注入原理(上)有關擴散方面的主要內(nèi)容?費克第二定律的運用和特殊解?特征擴散長度的物理含義?非本征擴散?常用雜質(zhì)的擴散特性及與點缺陷的相互作用?常用擴散摻雜方法?常用擴散摻雜層的質(zhì)量測量Distribution?according?
2025-03-01 12:18
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP------+++++半導體元件制造過程可分為
2025-02-26 01:36
【總結】通信與電子工程學院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結構和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-02-28 12:01
【總結】半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。用照相復印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或
2025-02-28 12:02
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wafe
2025-03-01 04:30
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP------+++++半導體元件制造過程可分為?前段
2025-05-12 20:53
【總結】半導體制造工藝基礎第六章擴散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點?特征擴散長度?預淀積+退火。預淀積:氣固相預淀積擴散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導體薄層(結深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴散入硅
2025-03-03 14:53
【總結】學習情景三常州信息職業(yè)技術學院學習情景三:薄膜制備子情景4:物理氣相淀積學習情景三常州信息職業(yè)技術學院半導體制造工藝第2版?書名:半導體制造工藝第2版?書號:978-7-111-50757-4?作者:張淵?出版社:機械工業(yè)出版社學習情景三常州信息職業(yè)技術學院物理氣相淀積?概念:物
【總結】半導體制備工藝基礎第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變!1半導體制備工藝基礎第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑,吸光并
2025-02-28 12:03
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識本征材料:純硅9-10個N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻SbP型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結:半導體元件制造過程可分為前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、晶
2025-06-26 12:08
【總結】半導體制造工藝基礎第六章擴散原理(上)摻雜(doping):將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中,并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀(dopingprofile)。MOSFET:阱、柵、源/漏、溝道等BJT:基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應用:BECppn+n-p+p+n+n+B
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:28
【總結】半導體制造工藝流程N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng) PN結: 半導體元件制造過程可分為 前段(FrontEnd)制程 晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、 晶圓針測制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 構裝(Packaging)、 測
2025-08-22 13:36
【總結】半導體制造工藝第3章 清洗工藝第3章 清洗工藝 引言 污染物雜質(zhì)的分類 清洗方法概況 常用清洗設備——超聲波清洗設備 質(zhì)量控制 引言表3-1 國際半導體技術指南——清洗技術 引言表3-1 國際半導體技術指南——清洗技術 污染物雜質(zhì)的分類表3-2 各種沾污的來源和相對的影響 污染物雜質(zhì)的分類
【總結】半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理兩大關鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移=光刻+刻蝕
2025-03-04 15:10