【總結(jié)】電信學(xué)院微電子教研室半導(dǎo)體制造技術(shù)byMichaelQuirkandJulianSerda淀積電信學(xué)院微電子教研室半導(dǎo)體制造技術(shù)byMichaelQuirkandJulianSerda概述薄膜淀積是芯片加工過(guò)程中一個(gè)至關(guān)重要的工藝步驟,通過(guò)淀積工藝可以在硅片上生長(zhǎng)導(dǎo)各種導(dǎo)電薄膜層和絕緣薄膜層。
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設(shè)備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長(zhǎng)一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
2025-03-01 04:31
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:29
【總結(jié)】UMCConfidential,NoDisclosureDataPreparedbyMorrisIntroductiononFabflowandsemiconductorindustryforITrelatedemployeeMorrisL.YehUMCConfidenti
2025-02-26 01:37
【總結(jié)】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的?(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理?(2)了解集成電路制造工藝?(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容??工藝流程?工藝集成?半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu):4個(gè)共價(jià)鍵,比較穩(wěn)定,沒(méi)有明顯的自由電子。
2025-04-29 04:54
【總結(jié)】下載最好的KEC-W和C&C的我&我(20xx.)PEGKEC-公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告KEC-公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告決裁贊成者助手設(shè)計(jì)Reportor:朱Zhao六月日期:~總數(shù)標(biāo)明的頁(yè)數(shù)S以系統(tǒng)P字新的(包裹,機(jī)器
2025-05-22 20:19
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或
2025-02-28 12:02
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)?特征擴(kuò)散長(zhǎng)度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴(kuò)散入硅
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)習(xí)情景三:薄膜制備子情景4:物理氣相淀積學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體制造工藝第2版?書(shū)名:半導(dǎo)體制造工藝第2版?書(shū)號(hào):978-7-111-50757-4?作者:張淵?出版社:機(jī)械工業(yè)出版社學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院物理氣相淀積?概念:物
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問(wèn)題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過(guò)曝光。線條寬度改變!1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑,吸光并
2025-02-28 12:03
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(上)摻雜(doping):將一定數(shù)量和一定種類(lèi)的雜質(zhì)摻入硅中,并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀(dopingprofile)。MOSFET:阱、柵、源/漏、溝道等BJT:基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應(yīng)用:BECppn+n-p+p+n+n+B
【總結(jié)】集成電路制造工藝期末復(fù)習(xí)要點(diǎn)?超凈加工車(chē)間等級(jí)劃分、各凈化等級(jí)適用范圍;?超凈加工車(chē)間制備方式;?超純水制備方式;薄膜制備?二氧化硅膜用途;?二氧化硅膜的制備方式(氧化法、熱分解法、氫氧合成法);?采用不同方式制備氧化膜的質(zhì)量區(qū)別;?摻氯氧化的作用;?影響氧化速度的因素(濃度、溫度、分壓、
2025-05-12 20:53
【總結(jié)】一、晶圓處理制程?? 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過(guò)程,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道,而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴,動(dòng)輒數(shù)千萬(wàn)一臺(tái),其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵量(Particle)均需控制的無(wú)塵室(Clean-Ro
2025-04-07 20:43
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問(wèn)題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程演示圖形轉(zhuǎn)移=光刻+刻蝕
2025-03-04 15:10