半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介-資料下載頁(yè)
2025-04-29 04:54本頁(yè)面
【正文】 化學(xué)氣相淀積 ? CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺(tái)階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡(jiǎn)單等一系列優(yōu)點(diǎn)。利用 CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的sio2 、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬 (鎢、鉬 )等。 ?作用：外延層，二氧化硅膜，多晶硅膜，氮化硅膜 化學(xué)氣相淀積 ? CVD生長(zhǎng)的二氧化硅：用作金屬間的絕緣層，用于離子注入和擴(kuò)散的掩蔽層，也可用于增加熱氧化生長(zhǎng)的場(chǎng)氧化層的厚度 ?熱生長(zhǎng)的二氧化硅：具有最佳的電學(xué)特性?？捎糜诮饘賹又g的絕緣體，又可用作器件上面的鈍化層 主要內(nèi)容 ? ? 工藝流程 ? 工藝集成 工藝集成 ? 1 制作流程 ? 2 無(wú)源器件 ? 3 雙極集成電路制造流程 ? CMOS工藝 1 制作流程 1 制作流程 2 無(wú)源器件 ? 電阻 ?（ 1）淀積：淀積電阻層，然后光刻刻蝕 ?（ 2）擴(kuò)散或離子注入：在硅襯底上熱生長(zhǎng)的氧化層上開出一個(gè)窗口，注入或擴(kuò)散與襯底類型相反的雜質(zhì)。 電阻 電阻 ?電阻值計(jì)算， xj為結(jié)深 ?當(dāng) W=L時(shí)， G=g ? 1/g用 R■ 表示，稱為方塊電阻，單位為歐姆，習(xí)慣上用 Ω/ ■ 表示。 2 無(wú)源器件 ? 電容 ?基本上分為兩種： MOS電容和 PN結(jié)電容 ?（ 1） MOS電容：重?fù)诫s區(qū)域作為極板，氧化物作為介質(zhì) ?單位面積的電容為 ?（ 2） PN結(jié)電容： N+P結(jié)電容，通常加反向偏置電壓 電容 2 無(wú)源器件 ? 電感：薄膜螺旋電感 ?過(guò)程：硅襯底熱生長(zhǎng)或淀積一層厚氧化物；淀積一層金屬，形成電感的一個(gè)端子；再淀積一層介質(zhì)，通過(guò)光刻和刻蝕確定出一個(gè)過(guò)孔；淀積第二層金屬，同時(shí)過(guò)孔被填充；在第二層金屬上光刻并刻蝕出螺旋圖形作為電感的第二個(gè)端子。 電感 3 雙極集成電路制造流程 ?雙極集成電路最主要的應(yīng)用領(lǐng)域是模擬和超高速集成電路。 ?每個(gè)晶體管之間必須在電學(xué)上相互隔離開，以防止器件之間的相互影響。 ?下圖為采用場(chǎng)氧化層隔離技術(shù)制造的 NPN晶體管的截面圖，制作這種結(jié)構(gòu)晶體管的簡(jiǎn)要工藝流程如下所示：
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