【總結(jié)】集成電路Contentsv集成電路的定義v集成電路的分類v集成電路的工藝微電子技術(shù)課程ppt微電子技術(shù)課程ppt集成電路定義v集成電路(integrated?circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連
2025-01-08 12:24
【總結(jié)】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝表3圖幾種IC工藝速度功耗區(qū)位圖4雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的V
2025-01-06 18:35
【總結(jié)】第一部分考試試題第0章緒論?,分為哪些類型,請(qǐng)同時(shí)寫出它們對(duì)應(yīng)的英文縮寫?,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類?,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類??它對(duì)集成電路工藝有何影響?:集成度、wafersize、diesize、摩爾定律?第1章集成電路的基本制造工藝?,襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響?。????并請(qǐng)?zhí)岢龈倪M(jìn)方法。7.請(qǐng)畫出N
2025-06-19 16:51
【總結(jié)】1集成電路工藝信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)2?參考書:?.Chang,.Sze,“ULSITechnology”?王陽元等,“集成電路工藝原理”?M.Quirk,J.Serda,“半導(dǎo)體制造技術(shù)”?成績計(jì)算:?平時(shí)成績(出勤、作業(yè)、小測驗(yàn))20%+期終考試
2025-01-08 13:07
【總結(jié)】2023/1/281第3章IC制造工藝外延生長掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝?關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性能的影響,讀懂PDK,挖掘工藝潛力。2023/1/282外延生長(Epitaxy)外延生長的目的n半導(dǎo)體工藝流程中的基
2025-01-08 13:39
【總結(jié)】電子科技大學(xué)中山學(xué)院Chap4離子注入?核碰撞和電子碰撞?注入離子在無定形靶中的分布?注入損傷?熱退火電子科技大學(xué)中山學(xué)院離子注入?離子注入是一種將帶電的且具有能量的粒子注入襯底硅的過程,注入能量介于1KeV到1MeV之間,注入深度平均可達(dá)10nm~10um。離子劑量變動(dòng)范圍,從用于閾值電壓調(diào)
2025-01-08 13:40
【總結(jié)】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個(gè)層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級(jí)別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-07-23 00:26
【總結(jié)】2022/2/4JianFang1集成電路工藝和版圖設(shè)計(jì)概述JianFangICDesignCenter,UESTC2022/2/4JianFang2微電子制造工藝2022/2/4JianFang3IC常用術(shù)語園片:硅片芯片(Chip,Die):6?、8?:硅(園)片
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】3半導(dǎo)體電路分析基礎(chǔ)§放大電路及其性能表征放大的概念放大的實(shí)質(zhì)輸出信號(hào)大于輸入信號(hào)即為放大放大電路輸出信號(hào)的能量來源于有源器件上的直流偏置電源,所以放大器實(shí)質(zhì)上是一種能量控制器或能量轉(zhuǎn)換器。放大電路的性能表征放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)ioVVVA????電壓增益
2025-04-30 23:06
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會(huì)因制造過程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【總結(jié)】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-01-06 18:43
【總結(jié)】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴(kuò)散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對(duì)各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-01-06 18:45
【總結(jié)】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展?fàn)顩r?集成電路工藝特點(diǎn)與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年,科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開對(duì)半導(dǎo)體的研究。?1874年,電報(bào)機(jī)、電話和無線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6
2025-01-06 13:18
【總結(jié)】集成電路工藝和版圖設(shè)計(jì)概述JianFangICDesignCenter,UESTCIC常用術(shù)語園片:硅片芯片(Chip,Die):6?、8?:硅(園)片直徑:1?=6??150mm。8??200mm。12??300mm。亞微米1?m的設(shè)計(jì)規(guī)范深亞微米=?m的
2025-02-18 07:41