半導(dǎo)體材料和集成電路平面工藝基礎(chǔ)(文件)
【正文】 面結(jié)型二極管： 合金結(jié)二極管、 擴(kuò)散結(jié)二極管 、 生長(zhǎng)結(jié)二極管、異質(zhì)結(jié)二極管、等? 按功能和機(jī)理： 振蕩、放大類： 耿氏二極管、雪崩二極管、變?nèi)荻O管、等 信號(hào)控制類： 混頻二極管、開關(guān)二極管、隧道開關(guān)二極管、 檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、階躍二極管、等 光電類： 發(fā)光二極管 (LED)（半導(dǎo)體激光器）、 光電二極管（探測(cè)器）晶體管：? 雙極型晶體管：（ NPN、 PNP）合金管、合金擴(kuò)散管、臺(tái)面管、外延臺(tái)面管、平面管、外延平面管等? 場(chǎng)效應(yīng)晶體管：（ P溝、 N溝；增強(qiáng)型、耗盡型）MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ MOSFET）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ JFET）、肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ SBFET）集成電路的分類：– 按功能：數(shù)字集成電路、模擬集成電路、微波集成電路、射頻集成電路、其它；– 按工藝：半導(dǎo)體集成電路（雙極型、 MOS型、 BiCMOS）、 薄 /厚膜集成電路、混合集成電路– 按有源器件：雙極型、 MOS型、 BiCMOS、光電集成電路、CCD集成電路、傳感器 /換能器集成電路– 按集成規(guī)模：小規(guī)模（ SSI）、中規(guī)模（ MSI）、大規(guī)模（ LSI）、超大規(guī)模（ VLSI）、甚大規(guī)模（ ULSI）、巨大規(guī)模（ GLSI）基本工藝流程舉例? 幾種二極管的基本結(jié)構(gòu)合金 平面 生長(zhǎng)（異質(zhì)） 臺(tái)面 Schottky? 幾種晶體管的基本結(jié)構(gòu)合金 生長(zhǎng)（異質(zhì)） 平面 1 平面 2 MOS1~10?m300~500?m介質(zhì)膜Al電極SiO2膜外延層埋層襯底隔離、基區(qū)、發(fā)射區(qū)、鎢塞、集電區(qū)1）、簡(jiǎn)單的 Bipolar IC 結(jié)構(gòu)2）、 Si雙極 npn晶體管芯片的工藝流程襯底制備， 外延生長(zhǎng)，一次氧化， 一次光刻，基區(qū)擴(kuò)散， 二次氧化，二次光刻， 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，三次氧化， 三次光刻，1金屬鍍膜， 1反刻金屬膜1背面鍍膜， 1合金化E BCn+pnn+一次光刻（基區(qū)）、二次光刻（發(fā)射區(qū)）、三次光刻（引線孔）、四次光刻（反刻引線）（負(fù)性光刻膠）一次氧化 、一次光刻（基區(qū)光刻）、 硼擴(kuò)散（基區(qū)擴(kuò)散）、 基區(qū)再分布（二次氧化）二次光刻（發(fā)射區(qū)光刻）、 磷擴(kuò)散（發(fā)射區(qū)擴(kuò)散 +三次氧化） 、三次光刻（引線孔光刻）、 金屬鍍膜、 反刻引線。– 硅基材料、光學(xué)晶體、光學(xué)薄膜激光多普勒速度儀（ LiNbO3）? 3）、 DNA芯片 *– 基本思想是通過施加電場(chǎng)等措施，使一些特殊的物質(zhì)能夠反映出某種基因的特性。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 二月 21二月 2104:46:1404:46:14February 01, 2023? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國(guó)見青山。 2023/2/1 4:46:1404:46:1401 February
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