【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-04-30 13:59
【摘要】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長(zhǎng)厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會(huì)被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
【摘要】集成電路工藝原理第三講光刻原理11集成電路工藝原理仇志軍(username&password:vlsi)邯鄲路校區(qū)物理樓435室助教:沈臻魁楊榮邯鄲路校區(qū)計(jì)算中心B204集成電路工藝原理第三講光刻原理12凈
2025-01-15 16:29
【摘要】1集成電路工藝信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)2?參考書(shū):?.Chang,.Sze,“ULSITechnology”?王陽(yáng)元等,“集成電路工藝原理”?M.Quirk,J.Serda,“半導(dǎo)體制造技術(shù)”?成績(jī)計(jì)算:?平時(shí)成績(jī)(出勤、作業(yè)、小測(cè)驗(yàn))20%+期終考試
2025-01-08 13:39
【摘要】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件電路形式電路規(guī)模Si-BipolarD,BJT,
2025-04-29 04:50
【摘要】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2022/5/30韓良1第一章集成電路制造工藝流程集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2022/5/30韓
2025-05-02 18:02
【摘要】第四章集成電路制造工藝?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過(guò)程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過(guò)程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過(guò)程框架From吉利久教授
2025-05-07 07:17
【摘要】可行性研究報(bào)告2013-152/53第一章項(xiàng)目概論一、項(xiàng)目名稱(chēng)及承辦單位1、項(xiàng)目名稱(chēng):集成電路封裝生產(chǎn)項(xiàng)目2、項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì):新建3、項(xiàng)目承辦單位:****投資咨詢(xún)有限公司4、企業(yè)類(lèi)型:有限責(zé)任公司二、項(xiàng)目可行性研究報(bào)告委托編制單位編制單位:****投資咨詢(xún)有限公司三、可行性研究的目的本可行性研究報(bào)告對(duì)
2025-05-11 12:07
2025-01-06 18:43
【摘要】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴(kuò)散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對(duì)各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-01-06 18:45
【摘要】半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路?CMOS工藝技術(shù)是當(dāng)代VLSI工藝的主流工藝技術(shù),它是在PMOS與NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。其特點(diǎn)是將NMOS器件與PMOS器件同時(shí)制作在同一硅襯底上。?CMOS工藝技術(shù)一般可分為三類(lèi),即?P阱CMOS工藝?
2025-07-25 19:09
【摘要】半導(dǎo)體集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2022/5/24pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝2022/5/24P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-
2025-04-26 12:59
【摘要】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展?fàn)顩r?集成電路工藝特點(diǎn)與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年,科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開(kāi)對(duì)半導(dǎo)體的研究。?1874年,電報(bào)機(jī)、電話(huà)和無(wú)線(xiàn)電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6
2025-01-06 13:18
【摘要】第6章CMOS集成電路制造工藝第6章CMOS集成電路制造工藝?CMOS工藝?CMOS版圖設(shè)計(jì)?封裝技術(shù)3木版年畫(huà)?畫(huà)稿?刻版?套色印刷4半導(dǎo)體芯片制作過(guò)程5硅片(wafer)的制作6掩模版(mask,reticle)的制作7外延襯底的制作8集成電路加工的基本操作?1、形成薄膜
2025-02-09 20:38
【摘要】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理1第一章集成電路制造工藝流程集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2?隨著集成電路發(fā)展的過(guò)程,其發(fā)展的總趨勢(shì)是革新工藝、提高集成度和速度。?設(shè)計(jì)工作由有生產(chǎn)線(xiàn)集成
2025-01-06 18:34