[精選]半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)之續(xù)表面鈍化-資料下載頁(yè)

【摘要】第九章續(xù)表面鈍化西南科技大學(xué)理學(xué)院.15§概述一、鈍化膜及介質(zhì)膜的重要性和作用1、改善半導(dǎo)體器件和集成電路參數(shù)2、增強(qiáng)器件的穩(wěn)定性和可靠性二次鈍化可強(qiáng)化器件的密封性，屏蔽外界雜質(zhì)、離子電荷、水汽等對(duì)器件的有害影響。3、提高器件的封裝成品率鈍化層為劃片、裝架、鍵合等后

2025-03-01 12:23

芯片制造-半導(dǎo)體工藝教程-資料下載頁(yè)

【摘要】芯片制造-半導(dǎo)體工藝教程MicrochipFabrication????????----APracticalGuidetoSemicondutorProcessing???????? 

2025-07-27 13:48

半導(dǎo)體封裝工藝介紹-資料下載頁(yè)

【摘要】IntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝簡(jiǎn)介艾ICProcessFlowCustomer客戶(hù)ICDesignIC設(shè)計(jì)WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測(cè)試Assembly&TestIC封裝測(cè)試SMTIC組裝

2025-04-30 23:06

電學(xué)半導(dǎo)體工藝復(fù)習(xí)精華-資料下載頁(yè)

【摘要】一．名詞解釋?zhuān)孩伲瓹Z直拉法：是用包括熔爐，拉晶機(jī)械裝置（籽晶夾具，旋轉(zhuǎn)機(jī)械裝置），環(huán)境控制裝置的拉晶機(jī)進(jìn)行結(jié)晶。多晶硅放入坩堝中，熔爐加熱到超過(guò)硅的熔點(diǎn)，將一個(gè)適當(dāng)晶向的籽晶放置在籽晶夾具中，懸于坩堝之上，將籽晶夾具插入熔融液中，雖然籽晶將會(huì)部分融化，但其未融化的籽晶頂部將會(huì)接觸熔融液的表面、將籽晶慢慢拉起，熔融液在固體液體的表面逐漸冷卻，從而產(chǎn)生很大的晶體即從熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的基本

2025-04-17 07:12

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_11刻蝕-資料下載頁(yè)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問(wèn)題：?選擇性?方向性：各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程演示圖形轉(zhuǎn)移＝光刻＋刻蝕

2025-03-04 15:10

[精選]半導(dǎo)體制造工藝流程18432670-資料下載頁(yè)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為?前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（Wa

2025-03-01 04:29

半導(dǎo)體流程介紹-資料下載頁(yè)

【摘要】1新進(jìn)人員半導(dǎo)體流程簡(jiǎn)介HRTRNPresentedby2ITEM?L/F導(dǎo)線(xiàn)架封裝?BGA球閘陣列封裝?IC封裝前段流程介紹?IC封裝后段流程介紹3L/F(LEADFRAME)導(dǎo)線(xiàn)架封裝LEADFRAME導(dǎo)線(xiàn)架，又可稱(chēng)為"釘架"，是在IC晶片封裝時(shí)所

2025-01-06 09:23

半導(dǎo)體制造全過(guò)程演示-資料下載頁(yè)

【摘要】

2024-10-04 18:03

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_01晶體的生長(zhǎng)-資料下載頁(yè)

【摘要】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)2一、襯底材料的類(lèi)型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)3二、對(duì)襯底材料的要求?導(dǎo)電

2025-02-28 15:09

[精選]半導(dǎo)體制造工藝之光刻原理課件-資料下載頁(yè)

【摘要】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問(wèn)題1、由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或過(guò)曝光。線(xiàn)條寬度改變！1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波，下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線(xiàn)和i線(xiàn)膠—使用添加劑，吸光并

2025-03-03 14:53

[精選]半導(dǎo)體制造工藝第1章緒論-資料下載頁(yè)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝張淵主編張淵主編半導(dǎo)體制造工藝高職高專(zhuān)“十二五”電子信息類(lèi)專(zhuān)業(yè)規(guī)劃教材第1章　緒　　論第1章　緒　　論　引言　基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu)　半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史　集成電路制造階段　半導(dǎo)體制造企業(yè)　基本的半導(dǎo)體材料　半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品　芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境　引言圖1-1　集成電路組成的抽象結(jié)構(gòu)圖

2025-03-01 12:19

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_03硅的氧化-資料下載頁(yè)

【摘要】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過(guò)程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長(zhǎng)vSi-SiO2界面特性下一頁(yè)通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電

2025-02-28 12:01

半導(dǎo)體制造工藝流程-資料下載頁(yè)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為?前段

2025-05-12 20:53

半導(dǎo)體封裝流程-資料下載頁(yè)

【摘要】LogoIntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝介紹LogoIntroductionofICAssemblyProcess一、概念半導(dǎo)體芯片封裝是指利用膜技術(shù)及細(xì)微加工技術(shù)，將芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘貼固定及連接，引出接線(xiàn)端子并通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌封固

2025-02-26 01:37

[精選]半導(dǎo)體制造工藝之?dāng)U散原理概述-資料下載頁(yè)

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步？結(jié)深？薄層電阻？固溶度？2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)？特征擴(kuò)散長(zhǎng)度？預(yù)淀積＋退火。預(yù)淀積：氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs：表面為正方形的半導(dǎo)體薄層（結(jié)深），在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻，單位為?/?，反映擴(kuò)散入硅

2025-03-03 14:53

半導(dǎo)體工藝過(guò)程(完整版)

半導(dǎo)體工藝過(guò)程(更新版)

半導(dǎo)體工藝過(guò)程(專(zhuān)業(yè)版)

半導(dǎo)體工藝過(guò)程(留存版)