【摘要】第九章續(xù)表面鈍化西南科技大學(xué)理學(xué)院.15§概述一、鈍化膜及介質(zhì)膜的重要性和作用1、改善半導(dǎo)體器件和集成電路參數(shù)2、增強器件的穩(wěn)定性和可靠性二次鈍化可強化器件的密封性,屏蔽外界雜質(zhì)、離子電荷、水汽等對器件的有害影響。3、提高器件的封裝成品率鈍化層為劃片、裝架、鍵合等后
2025-03-01 12:23
【摘要】芯片制造-半導(dǎo)體工藝教程MicrochipFabrication????????----APracticalGuidetoSemicondutorProcessing????????
2025-07-27 13:48
【摘要】IntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝簡介艾ICProcessFlowCustomer客戶ICDesignIC設(shè)計WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測試Assembly&TestIC封裝測試SMTIC組裝
2025-04-30 23:06
【摘要】一.名詞解釋:①.CZ直拉法:是用包括熔爐,拉晶機械裝置(籽晶夾具,旋轉(zhuǎn)機械裝置),環(huán)境控制裝置的拉晶機進行結(jié)晶。多晶硅放入坩堝中,熔爐加熱到超過硅的熔點,將一個適當(dāng)晶向的籽晶放置在籽晶夾具中,懸于坩堝之上,將籽晶夾具插入熔融液中,雖然籽晶將會部分融化,但其未融化的籽晶頂部將會接觸熔融液的表面、將籽晶慢慢拉起,熔融液在固體液體的表面逐漸冷卻,從而產(chǎn)生很大的晶體即從熔融硅中生長單晶硅的基本
2025-04-17 07:12
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移=光刻+刻蝕
2025-03-04 15:10
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:29
【摘要】1新進人員半導(dǎo)體流程簡介HRTRNPresentedby2ITEM?L/F導(dǎo)線架封裝?BGA球閘陣列封裝?IC封裝前段流程介紹?IC封裝后段流程介紹3L/F(LEADFRAME)導(dǎo)線架封裝LEADFRAME導(dǎo)線架,又可稱為"釘架",是在IC晶片封裝時所
2025-01-06 09:23
【摘要】
2025-09-25 18:03
【摘要】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長2一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長3二、對襯底材料的要求?導(dǎo)電
2025-02-28 15:09
【摘要】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變!1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑,吸光并
2025-03-03 14:53
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝張淵主編張淵主編半導(dǎo)體制造工藝高職高?!笆濉彪娮有畔㈩悓I(yè)規(guī)劃教材第1章 緒 論第1章 緒 論 引言 基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 集成電路制造階段 半導(dǎo)體制造企業(yè) 基本的半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境 引言圖1-1 集成電路組成的抽象結(jié)構(gòu)圖
2025-03-01 12:19
【摘要】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-02-28 12:01
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段
2025-05-12 20:53
【摘要】LogoIntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝介紹LogoIntroductionofICAssemblyProcess一、概念半導(dǎo)體芯片封裝是指利用膜技術(shù)及細微加工技術(shù),將芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘貼固定及連接,引出接線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固
2025-02-26 01:37
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點?特征擴散長度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴散入硅