半導體工藝基礎之續(xù)表面鈍化(文件)
【正文】 （ a） 對可動離子（如 Na+） 有非常強的阻擋能力。能掩蔽許多雜質(zhì)。 （ g） 對電離輻射不靈敏，是很好的抗輻照的鈍化層。 Si3N4膜的刻蝕 （ 1）濕化學腐蝕法：熱磷酸溶液（ 160~180℃ ）可腐蝕掉Si3N4 膜。 Al2O3的制備工藝 （ 1） CVD法（三氯化鋁水解法） AlCl3 室溫下為固體，必需加熱并恒溫使其升華成氣體，升華溫度 100 ~ 150℃ 。 無孔型陽極氧化的電解液（硼酸、檸檬酸）對金屬和金屬氧化物沒有腐蝕或溶解作用，在陽極氧化時金屬表面生成一層氧化層后就不再被進一步氧化，故能形成一定厚度的氧化層。 聚酰亞氨膜的鈍化工藝 （ 1）將待鈍化的硅芯片（一般是蒸鋁并光刻鋁后的硅片）旋涂一薄層聚酰胺酸溶液； （ 2）在 110℃ 前烘 20~30min， 使溶劑揮發(fā)； （ 3）涂光刻膠、曝光、顯影、腐蝕、去膠獲得光刻圖形； （ 4）在 300℃ 加熱亞胺化 1小時。167。 04:47:0804:47:0804:472/1/2023 4:47:08 AMn 1以我獨沈久，愧君相見頻。 01 二月 20234:47:08 上午 04:47:08二月 21n 1比不了得就不比，得不到的就不要。 4:47:08 上午 4:47 上午 04:47:08二月 21n 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 04:47:0804:47:0804:47Monday, February 01, 2023n 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 二月 214:47 上午 二月 2104:47February 01, 2023n 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 04:47:0804:47:0804:472/1/2023 4:47:08 AMn 1越是沒有本領的就越加自命不凡。 二月 21二月 2104:47:0804:47:08February 01, 2023n 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 4:47:08 上午 4:47 上午 04:47:08二月 21MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看專 家告 訴。 二月 214:47 上午 二月 2104:47February 01, 2023n 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 04:47:0804:47:0804:47Monday, February 01, 2023n 1知人者智，自知者明。 4:47:08 上午 4:47 上午 04:47:08二月 21n 楊柳散和風，青山澹吾慮。 01 二月 20234:47:08 上午 04:47:08二月 21n 1楚塞三湘接，荊門九派通。 04:47:0804:47:0804:472/1/2023 4:47:08 AMn 1成功就是日復一日那一點點小小努力的積累。 二月 214:47 上午 二月 2104:47February 01, 2023n 1行動出成果，工作出財富。 04:47:0804:47:0804:47Monday, February 01, 2023n 1乍見翻疑夢，相悲各問年。結(jié) 束n 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。因其制作工藝過程中的可流動性，可避免用 SiO2作中間介質(zhì)膜時造成臺階處鋁斷裂。因此，與熱生長 SiO2一起使用可以補償 SiO2中的固定正電荷。 （ 3）電解陽極氧化 基本原理 陽極氧化是制造金屬氧化物膜的一種電化學方法，在兩極上發(fā)生的反應如下： 陽極： 陰極： 根據(jù)生成氧化物膜的性質(zhì)可分為多孔型陽極氧化和無孔型陽極氧化。 Si3N4 膜的應用 （ 1）利用 Si3N4 膜對水蒸氣和氧氣有較強的掩蔽能力，進行局部氧化工藝和等平面隔離； （ 2） PECVD生長的 Si3N4 膜作為雙層布線的絕緣介質(zhì)； （ 3）利用 Si3N4 膜能有效地防止 Na+ 沾污，并有良好的絕緣性能、較高的擊穿電壓和高度的化學穩(wěn)定性，以及抗輻照能力，常用于芯片最終的鈍化層。 故一般采用 Si3N4/SiO2 復合結(jié)構(gòu)， Si3N4 厚度一般低于 2023197。除能被 HF酸和熱磷酸緩慢腐蝕外，其他的酸幾乎不能與它發(fā)生作用； （ e） 導熱性好 ， 適宜作多層布線的絕緣層，便于管芯散熱；
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