半導(dǎo)體材料的定義與物理基礎(chǔ)(文件)
【正文】 0?C時(shí)，效率僅為 12％。在直接帶隙材料，如 GaAs，只要 10ns的復(fù)合壽命就已足夠長(zhǎng)了。 81光強(qiáng) ?將太陽(yáng)光聚焦于太陽(yáng)電池，可使一個(gè)小小的太陽(yáng)電池產(chǎn)生出大量的電能。這種不均勻摻雜的剖面分布，在電池基區(qū)中通常是做不到的；而在擴(kuò)散區(qū)中是很自然的83表面復(fù)合速率?低的表面復(fù)合速率有助于提高 ISC，并由于 I0的減小而使VOC改善 。為了使 ISC最大，金屬柵占有的面積應(yīng)最小。對(duì)于垂直地投射到電池上的單波長(zhǎng)的光，用一種厚為 1/4波長(zhǎng)、折射率等于 （ n為 Si的折射率）的涂層能使反射率降為零?制絨 86謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。裸 Si表面的反射率約為 40%。 84串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻?串聯(lián)電阻： PN結(jié)收集的電流必須經(jīng)過(guò)表面薄層再流入最靠近的金屬導(dǎo)線，這就是一條存在電阻的路線，顯然通過(guò) 金屬線的密布可以 使串聯(lián)電阻減小。因而輸出功率的增加將大大超過(guò) X倍，而且聚光的結(jié)果也使轉(zhuǎn)換效率提高 。?達(dá)到長(zhǎng)壽命的關(guān)鍵 是在材料制備和電池的生產(chǎn)過(guò)程中，要 避免形成復(fù)合中心 。80少子壽命? 少子壽命越長(zhǎng)越好， 這主要是因?yàn)檫@樣做 ISC大。之間。盡管此方程以與多數(shù)太陽(yáng)能電池的實(shí)擴(kuò)散長(zhǎng)度。命。測(cè)量太陽(yáng)能電池是通常使用標(biāo)準(zhǔn)的入射光的光譜。電池輸出的短路電流光子的數(shù)量（即入射光的強(qiáng)度）。要消除太陽(yáng)能電池對(duì)表面積的依賴，通常需太陽(yáng)能電池的表面積。? 換句話說(shuō)，當(dāng)無(wú)法判別能帶躍遷類型時(shí)， 一般通過(guò)分別對(duì) (α hv)2對(duì) ?光經(jīng)過(guò)一定介質(zhì)后的出射光強(qiáng)為： I=I0eax?I0表示入射光強(qiáng)， x表示光束垂直通過(guò)介質(zhì)層的厚度， a為一正常數(shù)，稱為介質(zhì)對(duì)該單色光的吸收系數(shù)。59 p型半導(dǎo)體Wm Wp FpFm P型半導(dǎo)體電子相對(duì) 較多電子由 P型半導(dǎo)體流向金屬內(nèi)建電場(chǎng)方向由 P型半導(dǎo)體指向金屬P型半導(dǎo)體一側(cè)形成空穴高電導(dǎo)區(qū)域，形成反阻擋層有利于空穴從體內(nèi)流向表面Wm Wp FpFm 金屬電子相對(duì)較多電子由金屬流向 P型半導(dǎo)體內(nèi)建電場(chǎng)方向由金屬指向 P型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體一側(cè)形成空穴勢(shì)壘區(qū)，形成阻擋層，不利于空穴從體內(nèi)流向表面對(duì)于 n型半導(dǎo)體，正好和 p型半導(dǎo)體相反，當(dāng) Wm Wp的時(shí)候， n型半導(dǎo)體一側(cè)形成電子阻擋區(qū)，不利于電子由表面流向體內(nèi)反之，當(dāng) Wm Wp的時(shí)候， n型半導(dǎo)體一側(cè)形成電子反阻擋區(qū)，有利于電子由表面流向體內(nèi)60N型半導(dǎo)體 P型半導(dǎo)體WmWs 阻擋層 反阻擋層WmWs 反阻擋層 阻擋層61歐姆接觸? 定義：不產(chǎn)生明顯的附加阻抗，不會(huì)使半導(dǎo)體內(nèi)部的載流子濃度發(fā)生明顯的改變。PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性P區(qū)的電位低于 N區(qū)的電位，稱為加 反向電壓 ，簡(jiǎn)稱反偏 ；內(nèi)外少量少子的抽出54由此可以得出結(jié)論： PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加 正向電壓 ，簡(jiǎn)稱 正偏 ；內(nèi)外少數(shù)載流子的注入53PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?. PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況 外電場(chǎng)與 PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相同，增強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)。接觸電位 V?決定于材料及摻雜濃度硅： V?=鍺： V?=52PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?. PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況 外電場(chǎng)方向與 PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)的建立，使 PN結(jié)中產(chǎn)生電位差。動(dòng)態(tài)平衡 擴(kuò)散電流 =漂移電流， PN結(jié)內(nèi)總電流 =0。取消光照 43非平衡載流子的復(fù)合?直接復(fù)合：電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間 直接躍遷 而引起的非平衡載流子的復(fù)合過(guò)程?間接復(fù)合：非平衡載流子通過(guò) 復(fù)合中心（禁帶能級(jí)）的復(fù)合?輻射復(fù)合：非平衡載流子復(fù)合時(shí)， 多余能量以發(fā)射光子的形式存在，又稱發(fā)光復(fù)合 (LED，激光）?非輻射復(fù)合：非平衡載流子復(fù)合時(shí)， 電子將能量傳遞給晶格 ，產(chǎn)生熱能， 對(duì)外發(fā)射聲子 的過(guò)程?俄歇復(fù)合：非平衡載流子從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷，發(fā)生電子 空穴復(fù)合，把 多余的能量傳給另一個(gè)載流子 ，使得其 躍遷到能量更高的能級(jí) 上去，當(dāng)它重新回到低能級(jí)時(shí)， 多余的能量以聲子 的形式放出?表面復(fù)合： 在半導(dǎo)體表面發(fā)生的復(fù)合過(guò)程（ 表面處的雜質(zhì)和復(fù)合中心）44非平衡載流子隨時(shí)間的變化規(guī)律 但 ?np=1010cm3?104cm3.1 n型： ?nn0， p型： ?pp0 ●注入的非平衡載流子濃度大于平衡時(shí)的少子濃 度，小于平衡時(shí)的多子濃度，稱為 小注入 。p0=ni2，非平衡時(shí) n用波長(zhǎng)比較短的光 照射到半導(dǎo)體 光照?n?pnopo光照產(chǎn)生非平衡載流子372．電注入3．非平衡載流子濃度的表示法 Ef： Fermi能級(jí)。（過(guò)渡金屬價(jià)態(tài)不穩(wěn)定）?一般情況下含量極少，而且能級(jí)較深，它們對(duì)半導(dǎo)體中
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