【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第七章?離子注入原理(上)有關(guān)擴(kuò)散方面的主要內(nèi)容?費(fèi)克第二定律的運(yùn)用和特殊解?特征擴(kuò)散長度的物理含義?非本征擴(kuò)散?常用雜質(zhì)的擴(kuò)散特性及與點(diǎn)缺陷的相互作用?常用擴(kuò)散摻雜方法?常用擴(kuò)散摻雜層的質(zhì)量測量Distribution?according?
2025-03-01 12:18
【總結(jié)】離子注入工藝及設(shè)備研究畢業(yè)設(shè)計(jì)論文離子注入工藝及設(shè)備研究系電子信息工程系專業(yè)微電子技術(shù)姓名班級微電103學(xué)號1001113110指導(dǎo)教師職稱講師指導(dǎo)教師
2025-08-09 13:22
【總結(jié)】1集成電路工藝信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)2?參考書:?.Chang,.Sze,“ULSITechnology”?王陽元等,“集成電路工藝原理”?M.Quirk,J.Serda,“半導(dǎo)體制造技術(shù)”?成績計(jì)算:?平時(shí)成績(出勤、作業(yè)、小測驗(yàn))20%+期終考試
2025-01-08 13:07
【總結(jié)】2023/1/281第3章IC制造工藝外延生長掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝?關(guān)心每一步工藝對器件性能的影響,讀懂PDK,挖掘工藝潛力。2023/1/282外延生長(Epitaxy)外延生長的目的n半導(dǎo)體工藝流程中的基
2025-01-08 12:24
2025-01-08 13:39
【總結(jié)】第八章:離子注入摻雜技術(shù)之二引言?離子注入的概念:離子注入是在高真空的復(fù)雜系統(tǒng)中,產(chǎn)生電離雜質(zhì)并形成高能量的離子束,入射到硅片靶中進(jìn)行摻雜的過程。束流、束斑?高能離子轟擊(氬離子為例)1.離子反射(能量很?。?.離子吸附(10eV)3.濺射(~5keV)
2025-05-04 08:07
【總結(jié)】離子注入技術(shù)摘要 離子注入技術(shù)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)對半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的最主要方法。本文從對該技術(shù)的基本原理、基本儀器結(jié)構(gòu)以及一些具體工藝等角度做了較為詳細(xì)的介紹,同時(shí)介紹了該技術(shù)的一些新的應(yīng)用領(lǐng)域。關(guān)鍵字 離子注入技術(shù) 半導(dǎo)體摻雜1緒論離子注入技術(shù)提出于上世紀(jì)五十年代,剛提出時(shí)是應(yīng)用在原子物理和核物理究領(lǐng)域。后來,隨著工藝的成熟,在1970年左右,這種技術(shù)被引進(jìn)半導(dǎo)體
2025-07-14 01:37
【總結(jié)】1Chapter?8離子注入2目標(biāo)?至少列出三種最常使用的摻雜物?辨認(rèn)出至少三種摻雜區(qū)域?描述離子注入的優(yōu)點(diǎn)?描述離子注入機(jī)的主要部分?解釋通道效應(yīng)?離子種類和離子能量的關(guān)系?解釋后注入退火?辨認(rèn)安全上的危害3離子注入?簡介?安全性?硬件?制程?概要4材料設(shè)計(jì)光罩I
2025-03-01 12:22
【總結(jié)】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-07-23 00:26
【總結(jié)】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/2/1pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/2/1P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiAA’
2025-03-01 04:35
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【總結(jié)】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-01-06 18:43
【總結(jié)】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴(kuò)散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-01-06 18:45
【總結(jié)】SemiconductorMaterialsBasicPrincipleofICPlanarProcessing半導(dǎo)體材料和集成電路平面工藝基礎(chǔ)?References:(Materials)3.材料科學(xué)與技術(shù)叢書—半導(dǎo)體工藝,K.A.杰克遜等主編,(科學(xué)出版社,1999)Process
【總結(jié)】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展?fàn)顩r?集成電路工藝特點(diǎn)與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年,科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開對半導(dǎo)體的研究。?1874年,電報(bào)機(jī)、電話和無線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6
2025-01-06 13:18