【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:29
【總結(jié)】離子注入技術(shù)(Implant)姓名:張賀學(xué)號:10811202152基本原理和基本結(jié)構(gòu)1綜述3技術(shù)指標(biāo)4應(yīng)用及結(jié)論1綜述?最早應(yīng)用于原子物理和核物理研究?提出于1950’s?1970’s中期引入半導(dǎo)體制造領(lǐng)域2基本原理和基本結(jié)構(gòu)基本原理:離子注入(Implant)
2025-05-13 06:44
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-02-26 01:36
【總結(jié)】第四章:離子注入技術(shù)問題的提出:–短溝道的形成?–GaAs等化合物半導(dǎo)體?(低溫?fù)诫s)–低表面濃度?–淺結(jié)?–縱向均勻分布或可控分布?–大面積均勻摻雜?–高純或多離子摻雜?要求掌握:–基本工藝流程(原理和工藝控制參數(shù))–選擇性摻雜的掩蔽膜(Mask)–質(zhì)量控制和檢測
2025-02-18 08:10
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或
2025-02-28 12:02
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wafe
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段
2025-05-12 20:53
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)?特征擴(kuò)散長度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴(kuò)散入硅
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)習(xí)情景三:薄膜制備子情景4:物理氣相淀積學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體制造工藝第2版?書名:半導(dǎo)體制造工藝第2版?書號:978-7-111-50757-4?作者:張淵?出版社:機(jī)械工業(yè)出版社學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院物理氣相淀積?概念:物
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變!1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑,吸光并
2025-02-28 12:03
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識本征材料:純硅9-10個(gè)N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻SbP型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié):半導(dǎo)體元件制造過程可分為前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、晶
2025-06-26 12:08
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(上)摻雜(doping):將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中,并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀(dopingprofile)。MOSFET:阱、柵、源/漏、溝道等BJT:基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應(yīng)用:BECppn+n-p+p+n+n+B
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程N(yùn)型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng) PN結(jié): 半導(dǎo)體元件制造過程可分為 前段(FrontEnd)制程 晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、 晶圓針測制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 構(gòu)裝(Packaging)、 測
2025-08-22 13:36
【總結(jié)】1Chapter5加熱制程王紅江,Ph.D.2目標(biāo)?列出三種加熱制程?描述集成電路制造的熱制程?描述熱氧化制程?說明快速加熱制程(RTP)的優(yōu)點(diǎn)3主題?簡介?硬設(shè)備?氧化?擴(kuò)散?退火–離子注入后退火–合金熱處理–再
2025-02-28 15:03