【正文】 硅 , 襯墊氧化層剝除 195 自我對準(zhǔn)接觸窗蝕刻停止層 TiSi2 P型硅 側(cè)壁空間層 n+ n+ n+ BPSG BPSG 光阻 光阻 氧化層 氮化硅 多晶硅匣極 196 氮化硅的快捷方式 n+ n+ BPSG BPSG 光阻 光阻 TiSi2 n+ P型硅 氧化層 側(cè)壁空間層 多晶硅匣極 氮化硅 197 光阻剝除 n+ n+ BPSG BPSG TiSi2 n+ P型硅 氧化層 側(cè)壁空間層 多晶硅匣極 氮化硅 198 Ti/TiN沉積 和 鎢 n+ n+ BPSG BPSG TiSi2 n+ P型硅 氧化層 側(cè)壁空間層 多晶硅匣極 鎢 Ti/TiN 氮化硅 199 化學(xué)機(jī)械研磨 鎢 和 TiN/Ti n+ n+ BPSG BPSG TiSi2 n+ P型硅 氧化層 側(cè)壁空間層 多晶硅匣極 鎢 氮化硅 200 氮化硅的應(yīng)用 N型井區(qū) P型井區(qū) n + STI p + p + USG PSG PSG W FSG n + M1 Cu FSG FSG M2 Cu FSG PD氮化硅 作 IMD密封層的氮化硅 作 PMD阻擋層的氮化硅 W PD氮化硅 作 IMD蝕刻停止層的氮化硅 側(cè)壁空間層 201 氮化硅沉積 ? 硅烷或二氯硅烷作為硅的來源氣體 ? 氨 (NH3)做為氮的來源氣體 ? 氮氣做為凈化的氣體 3 SiH2Cl2 + 4 NH3 ? Si3N4 + 6 HCl + 6 H2 或 3 SiH4 + 4 NH3 ? Si3N4 + 12 H2 202 氮化硅的 LPCVD系統(tǒng)示意圖 加熱器 塔架 MFC MFC 控制閥 調(diào)壓器 制程氮氣 SiH 2 Cl 2 MFC 洗滌室 排氣 燃燒室 晶圓 幫浦 MFC 吹除凈化氮氣 NH 3 制程反應(yīng)室 203 氮化硅沉積制程流程圖 反應(yīng)室溫度 晶圓溫度 N2 氣流量 NH3 流量 DCS流量 反應(yīng)室壓力 裝載晶圓 卸除晶圓 升高塔架 抽真空 溫度穩(wěn)定 抽真空 壓力穩(wěn)定 沉積Si3N4 抽真空 釋入N2 降低塔架 晶圓塔架位置 204 高溫化學(xué)氣相沉積法的未來趨勢 ? 更多的晶圓使用快速加熱化學(xué)氣相沉積法 ? 可以將只成整合在群集工具 205 高溫爐沉積概要 ? 多晶硅和氮化硅是兩種在高溫爐沉積最常用的薄膜 ? 硅烷和二氯硅烷是兩種經(jīng)常做為硅源氣體 . ? 在沉積時多晶硅可以使用磷化氫 , 砷化氫或硼化氫做為摻雜氣體進(jìn)行摻雜 206 快速加熱制程 207 快速加熱制程 (RTP) ? 主要在布植后快速加熱退火 (RTA)制程 ? 快速升溫 , 100到 150 176。C/sec(水平高溫爐升溫速率約 15 176。C/min) ? 減少熱積存和較簡單的制程控制 208 快速加熱制程 (RTP) ? 單晶圓快速加熱化學(xué)氣相沉 積 (RTCVD)反應(yīng)室可以用來沉積多晶硅和氮化硅 ? RTCVD反應(yīng)室可以在群集工具和其他制程反應(yīng)室整合在同一個系統(tǒng)中 ? 薄膜氧化厚度小 ( 40197。)和用對于晶圓對晶圓均勻控制的快速加熱氧化制程差不多 209 快速加熱制程 (RTP)反應(yīng)室示意圖 外端反應(yīng)室 紅外線高溫計 石英反應(yīng)室 晶圓 制程氣體 鎢 —鹵素?zé)艄? 210 加熱燈管數(shù)組 底部燈管 晶圓 頂部燈管 211 快速加熱制程(RTP)反應(yīng)室 照片提供： Applied Materials, Inc 212 退火和摻雜物擴(kuò)散 ? 當(dāng)溫度 1100 176。C， 退火速率較擴(kuò)散為快 ? 布植后的制程需要高溫與溫度急升 ? 單晶圓快速加熱制程工具已經(jīng)開始應(yīng)用 213 退火和摻雜物擴(kuò)散 ? 高溫?fù)诫s物原子的擴(kuò)散 ? 高溫爐由于熱容量較大使得升溫速率較低 (~10 176。C/min) ? 高溫爐退火制程需要花費較常的時間，摻雜物擴(kuò)散無法減低 ? 晶圓兩端的退火情形不均勻 214 退火速率和擴(kuò)散速率 溫度 退火速率 擴(kuò)散速率 215 退火后摻雜物擴(kuò)散 高溫爐 退火 快速加熱退火 匣極 216 RTP比高溫爐的優(yōu)勢 ? 升溫速率較快 (75 到 150 176。C/sec) ? 溫度較高 (可到 1200 176。C) ? 制程較快 ? 摻雜物擴(kuò)散最小化 ? 較佳的熱積存控制能力 ? 較佳的晶圓對晶圓的均勻性 217 RTP制程溫度的改變 時間 溫度 升溫 降溫 退火 裝載晶圓 卸除晶圓 N2 流動 218 熱氮化反應(yīng) ? 氮化鈦物理氣相沉積 (PVD) ? 用氨氣進(jìn)行熱氮化 NH3 + Ti? TiN + 3/2 H2 219 氮化鈦制程 二氧化硅 二氧化硅 鈦 鈦 氮化鈦 220 快速加熱氧化制程 ? 超薄的匣極氧化層 30197。 ? 較佳的晶圓對晶圓的均勻性 ? 較佳的熱積存控制能力 221 RTP /RTO制程示意圖 時間 升溫 1及升溫 2 降溫 RTA 裝載晶圓 卸除晶圓 RTO O2 流量 N2流量 HCl流量 溫度 222 未來的趨勢 ? 快速加熱制程 (RTP) ? 臨場制程監(jiān)測 ? 群集工具 ? 高溫爐制程將繼續(xù)使用在非關(guān)鍵性的加熱制程 223 RTCVD反應(yīng)室 加熱燈管 晶圓 石英窗 反應(yīng)物 反應(yīng)物及副產(chǎn)品 IR高溫計 晶圓冷卻反應(yīng)室壁 燈座 224 RTP溫度和高溫爐 溫度 時間 高溫爐 RTP 室溫 . 225 群集工具示意圖 轉(zhuǎn)換室 RTCVDaSi反應(yīng)室 裝載站 HF蒸氣蝕刻反應(yīng)室 RTO/RTP 反應(yīng)室 冷卻反應(yīng)室 卸除站 226 快速加熱制程的概要 ? 快速 ? 較佳的制程控制 – 熱預(yù)算 – 晶圓對晶圓的均勻性 ? 摻雜物擴(kuò)散最小化 ? 群集工具 , 容易將制程整合 227 加熱制程概要 ? 氧化 , 擴(kuò)散 ,退火 , 和沉積 ? 濕氧化成長速率較高，干氧化氧化層薄膜的質(zhì)量較好，先進(jìn)的工廠主要采用干氧化 ? IC工業(yè)的摻雜制程中，利用二氧化硅做為擴(kuò)散遮蔽層 ? LPCVD多晶硅和前段的氮化硅沉積 ? 退火處理使晶圓恢復(fù)單晶結(jié)構(gòu)和活化摻雜物 ? RTP:較佳的熱控制能力，快速又能減少摻雜物的擴(kuò)散 ? 高溫爐 :高產(chǎn)量和低成本，未來 IC生產(chǎn)工產(chǎn)會繼續(xù)使用進(jìn)行較不重要的加熱制程 ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 , March 19, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 11:55:0111:55:0111:553/19/2023 11:55:01 AM ? 1以我獨沈久，愧君相見頻。 :55:0111:55Mar2319Mar23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 11:55:0111:55:0111:55Sunday, March 19, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 :55:0111:55:01March 19, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 2023年 3月 19日星期日 上午 11時 55分 1秒 11:55: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 。 2023年 3月 上午 11時 55分 :55March 19, 2023 ? 1行動出成果，工作出財富。 2023年 3月 19日星期日 11時 55分 1秒 11:55:0119 March 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 上午 11時 55分 1秒 上午 11時 55分 11:55: ? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 , March 19, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 11:55:0111:55:0111:553/19/2023 11:55:01 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點點小小努力的積累。 :55:0111:55Mar2319Mar23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 11:55:0111:55:0111:55Sunday, March 19, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 :55:0111:55:01March 19, 2023 ? 1意志堅強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 19日星期日 上午 11時 55分 1秒 11:55: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 。 2023年 3月 上午 11時 55分 :55March 19, 2023 ? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 2023年 3月 19日星期日 11時 55分 1秒 11:55:0119 March 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 上午 11時 55分 1秒 上午 11時 55分 11:55: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 , March 19, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 11:55:0111:55:0111:553/19/2023 11:55:01 AM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 :55:0111:55Mar2319Mar23 ? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 11:55:0111:55:0111:55Sunday, March 19, 2023 ? 1知人者智，自知者明。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 :55:0111:55:01March 19, 2023 ? 1意志堅強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 19日星期日 上午 11時 55分 1秒 11:55: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 2023年 3月 上午 11時 55分 :55March 19, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 2023年 3月 19日星期日 11時 55分 1秒 11:55:0119 March 2023 ? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。 上午 11時 55分 1秒 上午 11時 55分 11:55: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看 專家告訴