【總結(jié)】摘要集成電路掩模版圖設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)集成電路制造所必不可少的設(shè)計(jì)環(huán)節(jié),它不僅關(guān)系到集成電路的功能是否正確,而且也會(huì)極大程度地影響集成電路的性能、成本與功能。模擬版圖設(shè)計(jì)對(duì)電路的性能有更高的要求,要求模擬版圖設(shè)計(jì)者使用更多的方法去優(yōu)化電路,減小電路的寄生參數(shù),提高電路的穩(wěn)定性。本論文首先介紹半導(dǎo)體制造技術(shù)、模擬IC版圖設(shè)計(jì)的基本流程,然后通過(guò)bandgap的單元版圖設(shè)計(jì)
2025-06-28 08:26
【總結(jié)】集成電路版圖設(shè)計(jì)基礎(chǔ)basicsofIClayoutdesigninstructor:ZhangQihuie-mail:河南大學(xué)HenanUniversityschoolofphyebasicsoficlayoutdesign2第八章
2025-10-07 05:16
【總結(jié)】1集成電路工藝信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)2?參考書:?.Chang,.Sze,“ULSITechnology”?王陽(yáng)元等,“集成電路工藝原理”?M.Quirk,J.Serda,“半導(dǎo)體制造技術(shù)”?成績(jī)計(jì)算:?平時(shí)成績(jī)(出勤、作業(yè)、小測(cè)驗(yàn))20%+期終考試
2025-01-08 13:07
【總結(jié)】2023/1/281第3章IC制造工藝外延生長(zhǎng)掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝?關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性能的影響,讀懂PDK,挖掘工藝潛力。2023/1/282外延生長(zhǎng)(Epitaxy)外延生長(zhǎng)的目的n半導(dǎo)體工藝流程中的基
2025-01-08 12:24
2025-01-08 13:39
【總結(jié)】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個(gè)層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級(jí)別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-07-23 00:26
【總結(jié)】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/2/1pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/2/1P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiAA’
2025-03-01 04:35
【總結(jié)】《集成電路版圖設(shè)計(jì)》實(shí)踐報(bào)告福州大學(xué)物信學(xué)院《集成電路版圖設(shè)計(jì)》實(shí)驗(yàn)報(bào)告 姓名:席高照學(xué)號(hào):111000833系別:物理與信息工
2025-06-23 22:31
【總結(jié)】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院芯片互連技術(shù)前課回顧?引線鍵合技術(shù)(WB)主要內(nèi)容?載帶自動(dòng)鍵合技術(shù)(TAB)?倒裝芯片鍵合技術(shù)(FCB)引線鍵合技術(shù)概述引線鍵合技術(shù)是將半導(dǎo)體裸芯片(Die)焊區(qū)與微電子封裝的I/O引線或基板上的金屬布線焊區(qū)(Pad)用金屬細(xì)絲連接起來(lái)的工藝
2025-03-20 06:10
【總結(jié)】數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)入門從HDL到版圖于敦山北大微電子學(xué)系課程內(nèi)容(一)?介紹VerilogHDL,內(nèi)容包括:–Verilog應(yīng)用–Verilog語(yǔ)言的構(gòu)成元素–結(jié)構(gòu)級(jí)描述及仿真–行為級(jí)描述及仿真–延時(shí)的特點(diǎn)及說(shuō)明–介紹Verilogtestbench?
2025-02-11 17:13
【總結(jié)】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-01-06 18:43
【總結(jié)】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴(kuò)散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對(duì)各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-01-06 18:45
【總結(jié)】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展?fàn)顩r?集成電路工藝特點(diǎn)與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年,科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開對(duì)半導(dǎo)體的研究。?1874年,電報(bào)機(jī)、電話和無(wú)線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6
2025-01-06 13:18
【總結(jié)】第6章CMOS集成電路制造工藝第6章CMOS集成電路制造工藝?CMOS工藝?CMOS版圖設(shè)計(jì)?封裝技術(shù)3木版年畫?畫稿?刻版?套色印刷4半導(dǎo)體芯片制作過(guò)程5硅片(wafer)的制作6掩模版(mask,reticle)的制作7外延襯底的制作8集成電路加工的基本操作?1、形成薄膜
2025-02-09 20:38
【總結(jié)】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理1第一章集成電路制造工藝流程集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2?隨著集成電路發(fā)展的過(guò)程,其發(fā)展的總趨勢(shì)是革新工藝、提高集成度和速度。?設(shè)計(jì)工作由有生產(chǎn)線集成
2025-01-06 18:34