【摘要】 CMOS集成電路制造工藝從電路設(shè)計到芯片完成離不開集成電路的制備工藝,本章主要介紹硅襯底上的CMOS集成電路制造的工藝過程。有些CMOS集成電路涉及到高壓MOS器件(例如平板顯示驅(qū)動芯片、智能功率CMOS集成電路等),因此高低壓電路的兼容性就顯得十分重要,在本章最后將重點說明高低壓兼容的CMOS工藝流程?!』镜闹苽涔に囘^程CMOS集成電路的制備工藝是一個非常復(fù)雜而
2025-06-29 07:07
【摘要】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜,通過光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。金屬線被夾在兩個絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性
2025-04-30 18:17
【摘要】畢業(yè)設(shè)計(論文)專業(yè)班次姓名指導(dǎo)老師成都信息工程學(xué)院二零零九年六月成都信息工程學(xué)院光電學(xué)院畢業(yè)論文設(shè)計設(shè)計2集成電路封裝工藝
2025-10-23 13:42
【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院集成電路芯片封裝技術(shù)1、集成電路芯片封裝與微電子封裝課程引入與主要內(nèi)容2、芯片封裝技術(shù)涉及領(lǐng)域及功能3、封裝技術(shù)層次與分類微電子封裝技術(shù)=集成電路芯片封裝技術(shù)封裝技術(shù)的概念微電子封裝:ABridgefromICtoSystemBoardIC微電子封裝的概念狹義:芯
2025-02-21 13:48
【摘要】集成電路制造技術(shù)微電子工程系何玉定?早在1830年,科學(xué)家已于實驗室展開對半導(dǎo)體的研究。?1874年,電報機(jī)、電話和無線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言基本器件的兩個發(fā)展階段?分立元件階段(1905~1959)–真空電子管、半導(dǎo)體晶體管
2025-01-08 12:22
【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院第二章封裝工藝流程前課回顧??IC發(fā)展+電子整機(jī)發(fā)展+市場驅(qū)動=微電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)?封裝工藝流程概述主要內(nèi)容?芯片切割?芯片貼裝?芯片互連?成型技術(shù)?去飛邊毛刺?上焊錫?切筋成型與打碼封裝工藝流程概述
2025-03-20 06:10
【摘要】Layout主要工作注意事項l畫之前的準(zhǔn)備工作l與電路設(shè)計者的溝通lLayout的金屬線尤其是電源線、地線l保護(hù)環(huán)l襯底噪聲l管子的匹配精度一、layout之前的準(zhǔn)備工作1、先估算芯片面積先分別計算各個電路模塊的面積,然后再加上模塊之間走線以及端口引出等的面積,即得到芯片總的面積。2、Top-Down設(shè)計流程先根據(jù)電路規(guī)模對
2025-06-05 18:59
【摘要】SemiconductorMaterialsBasicPrincipleofICPlanarProcessing半導(dǎo)體材料和集成電路平面工藝基礎(chǔ)?References:(Materials)3.材料科學(xué)與技術(shù)叢書—半導(dǎo)體工藝,K.A.杰克遜等主編,(科學(xué)出版社,1999)Process
2025-03-01 04:35
【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院焊料合金?無鉛焊料主要內(nèi)容?有鉛焊料?焊料合金成分及作用電子產(chǎn)品焊接對焊料的要求1)熔化溫度相對較低,保證元件不受熱沖擊而損壞。2)熔融焊料須在被焊金屬表面有良好流動性,有利于焊料均勻分布,并為潤濕奠定基礎(chǔ)。3)凝固時間要短,有利于焊點成型,便于操作。4)焊接后,焊點
2025-01-22 01:41
【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院第三章厚/薄膜技術(shù)前課回顧、TAB技術(shù)與FCB技術(shù)的概念WB、TAB和FCB芯片互連技術(shù)對比分析?厚膜技術(shù)簡介主要內(nèi)容?厚膜導(dǎo)體材料膜技術(shù)簡介厚膜(ThickFilm)技術(shù)和薄膜技術(shù)(ThinFilm)是電子封裝中的重要工藝技
【摘要】國際微電子中心集成電路設(shè)計原理第一章集成電路制造工藝集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計的基礎(chǔ)。2/1/2023韓良1國際微電子中心集成電路設(shè)計原理?隨著集成電路發(fā)展的過程,其發(fā)展的總趨勢是革新工
2025-02-15 05:39
【摘要】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/1/28pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/1/28P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiA
2025-01-06 18:37
【摘要】1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttOXOX2
2025-01-06 18:43
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-01-06 18:46
【摘要】第八章光刻與刻蝕工藝光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層,經(jīng)過光照、顯影,在光刻膠上留下掩模版的圖形。在集成電路制造中,利用光刻膠圖形作為保護(hù)膜,對選定區(qū)域進(jìn)行刻蝕,或進(jìn)行離子注入,形成器件和電路結(jié)構(gòu)。隨著集成電路的集成度不斷提高,器件的特征尺寸不斷減小,期望進(jìn)一步縮小光刻圖形的尺寸。
2025-01-08 14:36