【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院第三章厚/薄膜技術(shù)前課回顧、TAB技術(shù)與FCB技術(shù)的概念WB、TAB和FCB芯片互連技術(shù)對比分析?厚膜技術(shù)簡介主要內(nèi)容?厚膜導(dǎo)體材料膜技術(shù)簡介厚膜(ThickFilm)技術(shù)和薄膜技術(shù)(ThinFilm)是電子封裝中的重要工藝技
2025-03-20 06:10
【摘要】國際微電子中心集成電路設(shè)計原理第一章集成電路制造工藝集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計的基礎(chǔ)。2/1/2023韓良1國際微電子中心集成電路設(shè)計原理?隨著集成電路發(fā)展的過程,其發(fā)展的總趨勢是革新工
2025-02-15 05:39
【摘要】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/1/28pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/1/28P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiA
2025-01-06 18:37
【摘要】1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttOXOX2
2025-01-06 18:43
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-01-06 18:46
【摘要】第八章光刻與刻蝕工藝光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層,經(jīng)過光照、顯影,在光刻膠上留下掩模版的圖形。在集成電路制造中,利用光刻膠圖形作為保護膜,對選定區(qū)域進行刻蝕,或進行離子注入,形成器件和電路結(jié)構(gòu)。隨著集成電路的集成度不斷提高,器件的特征尺寸不斷減小,期望進一步縮小光刻圖形的尺寸。
2025-01-08 14:36
【摘要】第二章制造工藝本章分為四部分:紫外線光掩模版光刻膠可進行摻雜,離子注入,擴散等工藝n版圖是集成電路從設(shè)計走向制造的橋梁,它包含了集成電路尺寸、各層拓?fù)涠x等器件相關(guān)的物理信息數(shù)據(jù)。n版圖(Layout)集成電路制造廠家根據(jù)這些數(shù)據(jù)來制造掩膜。掩模版的作用n掩膜上的圖形決定著芯片上器件或連接物理層的尺寸
2025-01-23 10:42
【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-04-30 13:59
【摘要】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護而不會被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
【摘要】集成電路工藝原理相關(guān)試題-----------------------作者:-----------------------日期:一、填空題(30分=1分*30)10題/章晶圓制備1.用來做芯片的高純硅被稱為(半導(dǎo)體級硅),英文簡稱(GSG),有時也被稱為(電子級硅)。2.單晶硅生長常用(
2025-03-26 05:15
【摘要】集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計和光集成電路等課程的前修課程。本課程開課時間暫定在第五學(xué)期。2.參考教材:《半導(dǎo)體器件工藝原理》國防工業(yè)出版社
2025-06-25 19:01
【摘要】關(guān)于集成電路制造工藝介紹-----------------------作者:-----------------------日期:集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計和光集成電路
2025-06-16 04:07
【摘要】集成電路工藝原理第三講光刻原理11集成電路工藝原理仇志軍(username&password:vlsi)邯鄲路校區(qū)物理樓435室助教:沈臻魁楊榮邯鄲路校區(qū)計算中心B204集成電路工藝原理第三講光刻原理12凈
2025-01-15 16:29
【摘要】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件電路形式電路規(guī)模Si-BipolarD,BJT,
2025-04-29 04:50
【摘要】國際微電子中心集成電路設(shè)計原理2022/5/30韓良1第一章集成電路制造工藝流程集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計的基礎(chǔ)。國際微電子中心集成電路設(shè)計原理2022/5/30韓
2025-05-02 18:02