【總結(jié)】本資料來(lái)源1Chapter4常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件2Chapter4常用半導(dǎo)體器件主要內(nèi)容?半導(dǎo)體的基本知識(shí)與PN結(jié)?半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路?雙極型三極管及其特性參數(shù)?場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路Chapter4常用半導(dǎo)體器件對(duì)于元器件,重點(diǎn)放在特性、參數(shù)、技術(shù)指標(biāo)和對(duì)于元器件,重點(diǎn)放在特性、參數(shù)、技術(shù)指標(biāo)和正確
2025-02-19 14:35
【總結(jié)】第二章半導(dǎo)體物理及器件物理基礎(chǔ)本節(jié)內(nèi)容?半導(dǎo)體材料、基本晶體結(jié)構(gòu)與共價(jià)鍵?能級(jí)與能帶?本征載流子濃度?施主和受主導(dǎo)電性:固態(tài)材料可分為三類(lèi),即絕緣體、半導(dǎo)體及導(dǎo)體。?絕緣體:電導(dǎo)率很低,約介于10-18S/cm~10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;?導(dǎo)體:電導(dǎo)率較高,介于104S
2025-01-13 12:27
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件1半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)2pn結(jié)3BJT4MOSFET5JFET/MESFET簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件微電子學(xué)研究領(lǐng)域?半導(dǎo)體器件物理?集成電路工藝?集成電路設(shè)計(jì)和測(cè)試微電子學(xué)發(fā)展的特點(diǎn)向高集成度、低功耗、高性能高可靠性電路方向發(fā)展與其它學(xué)科互相滲透,形成新的學(xué)科領(lǐng)域:光電集成、MEMS、生物芯片
2025-03-01 12:21
【總結(jié)】第1章常用半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體二極管作業(yè)(一個(gè)二極管的計(jì)算,二極管的直流模型)(一個(gè)二極管的計(jì)算,二極管的直流模型)(二極管的交流模型)(穩(wěn)壓管的計(jì)算)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦晕濉N結(jié)的電容效應(yīng)四、PN結(jié)的電流方程和伏安特性一、本征半導(dǎo)體導(dǎo)
2025-01-05 04:14
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)第第1章章半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管 二極管電路的分析方法 特殊二極管 小 結(jié) 雙極型半導(dǎo)體三極管 場(chǎng)效應(yīng)管模擬電子技術(shù) 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)識(shí) 本征半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體 PN結(jié)模擬電子
2025-02-26 09:52
【總結(jié)】??結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理??絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理??場(chǎng)效應(yīng)管3/8/2023作業(yè)?1-14?1-15?1-163/8/2023?場(chǎng)效應(yīng)管出現(xiàn)的歷史背景?場(chǎng)效應(yīng)管的用途?場(chǎng)效應(yīng)管的學(xué)習(xí)方法?場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)第一節(jié)場(chǎng)效應(yīng)管概述3/8/2023
2025-01-02 09:04
【總結(jié)】1目錄第一章電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展概況................................................................................5電力半導(dǎo)體器件與電力電子技術(shù)...............................................................
2024-08-29 15:02
【總結(jié)】Chapter2BasicPropertiesofBipolarJunctionTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices第二章雙極結(jié)型晶體管基本特性Chapter
2025-04-29 04:52
【總結(jié)】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件1雙極型晶體管及相關(guān)器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理PhysicsofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件2本章內(nèi)容?雙極型晶體管的工作原理?雙極型晶體管的靜態(tài)特性
2025-01-13 12:25
【總結(jié)】模擬電子電路與技術(shù)基礎(chǔ)西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院主講教師:張進(jìn)成教材:模擬電子電路及技術(shù)基礎(chǔ)(第二版),孫肖子主編,西安電子科技大學(xué)出版社,2022年1月授課順序:第二篇(半導(dǎo)體器件及集成電路--原理基礎(chǔ)篇):4-10章第一篇(模擬集成電路系統(tǒng)--應(yīng)用基礎(chǔ)篇):1-3章教師聯(lián)系方式:電子郵件
2025-04-29 05:34
【總結(jié)】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體概念:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。特點(diǎn)是:①導(dǎo)電性能受環(huán)境因素影響;②可通過(guò)某種工藝改變其導(dǎo)電性能。電子器件采用的半導(dǎo)體材料:主要是硅材料和鍺材料。其次還有砷化鎵和磷化鎵材料?!雽?dǎo)體材料在制造電子器件之前首先要經(jīng)過(guò)提純。經(jīng)過(guò)提純的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于其晶體結(jié)構(gòu)。硅材料和鍺材料的晶體
2025-04-29 13:13
【總結(jié)】(1-1)第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)(1-2)導(dǎo)體:自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱(chēng)為導(dǎo)體,金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱(chēng)為絕緣體,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體:另有一類(lèi)物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間,稱(chēng)為半導(dǎo)體,如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性(1-3)
2025-05-11 01:41
【總結(jié)】目錄第一章電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展概況 5電力半導(dǎo)體器件與電力電子技術(shù) 5電力半導(dǎo)體器件的分類(lèi)與發(fā)展 6雙極型電力半導(dǎo)體器件 6MOS結(jié)構(gòu)電力半導(dǎo)體器件 9 12(PIC) 13 13第二章電力整流管 15電力整流二極管的基本結(jié)構(gòu)和類(lèi)型 15 15功率整流管的基本類(lèi)型 15PN結(jié)二極管 16 16P
2025-06-27 01:00
【總結(jié)】蔡竟業(yè)第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)§半導(dǎo)體二極管§晶體三極管§場(chǎng)效應(yīng)管作業(yè):蔡竟業(yè)§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)二、雜
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)一.半導(dǎo)體概要二.載流子模型三.載流子輸運(yùn)四.pn結(jié)的靜電特性五.pn結(jié)二極管:I-V特性六.pn結(jié)二極管:小信號(hào)導(dǎo)納七.pn結(jié)二極管:瞬態(tài)特性八.BJT的基礎(chǔ)知識(shí)9.BJT靜態(tài)特性10.BJT動(dòng)態(tài)響應(yīng)模型11.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)
2025-05-10 12:03