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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)--第1章--常用半導(dǎo)體器件-資料下載頁

2025-01-05 04:14本頁面
  

【正文】 的區(qū)域,相當(dāng) iB=0的曲線的下方。此時(shí), uBE小于死區(qū)電壓。放大區(qū): iC平行于 uCE軸的區(qū)域,曲線基本平行等距。此時(shí),發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。輸出特性β是常數(shù)嗎?什么是理想晶體管?什么情況下 ?對(duì)應(yīng)于一個(gè) IB就有一條 iC隨 uCE變化的曲線。 為什么 uCE較小時(shí) iC隨 uCE變化很大?為什么進(jìn)入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線?飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)NPN共射輸出特性曲線 的特點(diǎn)描述v 截止區(qū) : 的區(qū)域 :三個(gè)電極上的電流為 0,發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏 ,相當(dāng)于開關(guān)打開 ,在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件的一個(gè)狀態(tài)。 飽和區(qū):直線上升和彎曲的部分, 發(fā)射結(jié)電壓 (硅管 )或(鍺管 ); 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏 ,相當(dāng)于開關(guān)閉合 ,在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件的一個(gè)狀態(tài)。 放大區(qū): 曲線近似水平的區(qū)域,曲線隨 uCE增加略有上翹,基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng),發(fā)射結(jié) 正偏 ,集電結(jié)反偏。集電極電流主要決定于基極電流。四、 BJT在三個(gè)狀態(tài)下的特點(diǎn)v 截止區(qū) : 三極管的三個(gè)電極所在的支路中的電流為 0,任意兩個(gè)極之間的電壓是多少,決定于外電路,滿足電路方程。v 飽和區(qū): NPN的 uBE =, PNP的 uBE =,沒有223。, 三極管的三個(gè)電極所在的支路中的電流決定于外電路,滿足電路方程。v 放大區(qū): NPN的 uBE =, PNP的 uBE =, 有 223。, 三極管的三個(gè)電極所在的支路中的電流決定于外電路,滿足電路方程。v方法一v方法二五、判斷 BJT工作狀態(tài)的解題思路飽和區(qū) :發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏截止區(qū):發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏或: UBE?( Si)|UBE | ?( Ge)放大區(qū) : 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏但是用這種判據(jù)不方便方法一方法二:把三極管從電路中拿走,在此電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下求三極管的發(fā)射結(jié)電壓:若發(fā)射結(jié)反偏或零偏或小于死區(qū)電壓值:則三極管截止 .若發(fā)射結(jié)正偏:則三極管可能處于放大狀態(tài)或處于飽和狀態(tài),需要進(jìn)一步判斷。進(jìn)入步驟 2把三極管放入電路中,電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)回到從前;假設(shè)三極管處于 臨界飽和狀態(tài)(三極管既可以認(rèn)為是處于飽和狀態(tài)也可以認(rèn)為是處于放大狀態(tài),在放大區(qū)和飽和區(qū)的交界區(qū)域,此時(shí)三極管既有飽和時(shí)的特征 UCES =有放大的特征 IC=223。IB) ,求此時(shí)三極管的集電極臨界飽和電流 ICS ,進(jìn)而求出基極臨界飽和電流 IBS 。 ICS是 三極管的集電極可能流過的最大電流(在三極管狀態(tài)改變的前提下, VCC和 RC保持不變)在原始電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,求出三極管的基極支路中實(shí)際流動(dòng)的電流 iB比較 iB和 IBS的大小 :若 iB IBS ,則三極管處于飽和狀態(tài) 。 或者 223。IB ICS若 iB IBS ,則三極管處于放大狀態(tài); 或者 223。IB ICS例題 :判斷下面電路中三極管的狀態(tài)例題 1 Rb=2k ,RC=2K,VCC=12V例題 2 Rb=20k ,RC=2K,VCC=12V, 223。=50例題 3 Rb=200k ,RC=2K,VCC=12V, 223。=50例 1圖 例 3圖例題 1 Rb=2k ,RC=2K,VCC=12V例題 2 Rb=20k ,RC=2K,VCC=12V, 223。=50比較 iB和 IBS的大小: iB IBS ,所以三極管處于飽和狀態(tài) 例題 3 Rb=200k ,RC=2K,VCC=12V, 223。=50比較 iB和 IBS的大?。?iB IBS ,所以三極管處于放大狀態(tài) 如何改變?nèi)龢O管的狀態(tài)v只要改變 iB和 IBS的比較關(guān)系即可v 保持 IBS不變,通過改變 Rb可改變 iB v或 保持 iB 不變,通過改變 RC可改變 IBS六、 BJT的主要參數(shù)BJT的主要參數(shù)(1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)1. 電流放大系數(shù) (2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) ?uCE=const(3) 共基極直流電流放大系數(shù) (4)共基極交流電流放大系數(shù) ? uCB=const 2. 極間反向電流(1) 集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開 路時(shí),集電結(jié)的反向飽和電流。 BJT的主要參數(shù) (2) 集電極發(fā)射極間的反向飽和電流 ICEO ICEO=( 1+ ) ICBO ICEOBJT的主要參數(shù) 即輸出特性曲線 IB=0那條曲線所對(duì)應(yīng)的 Y坐標(biāo)的數(shù)值。 ICEO也稱為集電極發(fā)射極間穿透電流。? 溫度變化對(duì) ICBO的影響? 溫度變化對(duì)輸入特性曲線的影響? 溫度變化對(duì) ? 的影響溫度對(duì)三極管的影響1. 溫度變化對(duì)輸入特性曲線的影響溫度 T ? ? 輸入特性曲線左移90176。C25176。C溫度 T ? 輸入特性曲線右移這條直線只決定于 VCC和 Rb ,與溫度無關(guān)對(duì)于基本共射電路來說,當(dāng)溫度升高時(shí), VBE下降, IB升高 ,比如說 IB=41uA2. 溫度變化對(duì) ICBO的影響溫度 T ? ? 輸出特性曲線上移溫度 T ? 輸入特性曲線下移ICEO=( 1+ 223。 ) ICBOICEO直流負(fù)載線只決定于VCC和 Rc ,與溫度無關(guān)90176。C虛線25176。C,實(shí)線3. 溫度變化對(duì) ? 的影響溫度每升高 1 176。C , ? 要增加 % ?%溫度 T ? ? 輸出特性曲線族間距增大直流負(fù)載線只決定于VCC和 Rb ,與溫度無關(guān)90176。C虛線25176。C,實(shí)線25176。C,實(shí)線IB=40uA90176。C虛線IB=41uA溫度 T ? 輸入特性曲線族間距減小特別注意:當(dāng)溫度升高時(shí),三極管的特性曲線要上升,而對(duì)于基本共射放大電路來說, IB不但不減小,反而上升,使 Q點(diǎn)進(jìn)一步升高??傊? ICBO ? ? ICEO ? T ? ? VBE ? ? IB ? ? IC ? ? ?特別注意:當(dāng)溫度升高時(shí),三極管的特性曲線要上升,而對(duì)于基本共射放大電路來說, IB不但不減小,反而上升,使 Q點(diǎn)進(jìn)一步升高。所以要在直流通路上想辦法,在環(huán)境溫度升高時(shí),電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在電路定律的約束下,強(qiáng)制將 IB電流降低,從而使三極管的 Q點(diǎn)降下來。主要參數(shù)? 直流參數(shù) : 、 、 ICBO、 ICEOce間擊穿電壓最大集電極電流最大集電極耗散功率, PCM= iCuCE安全工作區(qū)? 交流參數(shù): β、 α、 fT(使 β= 1的信號(hào)頻率)? 極限參數(shù) : ICM、 PCM、 U( BR) CEO謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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