【總結(jié)】(1-1)電工學2電子技術(shù)(1-2)概述電子技術(shù):研究電子器件、電子電路和系統(tǒng)及其應用的技術(shù)。電子技術(shù)?模擬電子技術(shù)數(shù)字電子技術(shù)(1-3)模擬信號:在時間上和數(shù)值上具有連續(xù)變化的特點;t數(shù)字信號:在時間上和數(shù)值上是離散的,突變。等矩形波t尖頂波
2025-02-13 10:49
【總結(jié)】它有空穴和電子兩種載流子參與導電,故稱雙極型。分為硅管和鍺管;大、中、小功率管;高頻管和低頻管。半導體三極管(簡稱三極管)就是一種能將直流能量轉(zhuǎn)化為交流能量的器件,這樣的器件也稱為有源器件。第2章半導體三極管及基本放大電路半導體三極管又稱為雙極型三極管(BipolarJunct
2025-01-05 03:57
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)滁州學院計算機與信息工程學院趙亮1導言《模擬電子技術(shù)》是物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、信息科學專業(yè)、通信工程專業(yè)、電子信息工程專業(yè)的一門重要的專業(yè)核心課,具有很強的綜合性、技術(shù)性和實用性。該課程的研究對象是電子元器件及其組成的電路(包括分立、集成電路)。主要研究常用半導體器件、基本放大電路、多級放大電路
2025-01-19 11:45
【總結(jié)】第8章半導體器件雙極型晶體管PN結(jié)及其單向?qū)щ娦约儍舻陌雽w(稱為本征半導體)中含有自由電子(帶負電)和空穴(帶正電)兩種運載電荷的粒子——載流子,自由電子和空穴的數(shù)量相等,整個半導體呈現(xiàn)電中性圖PN結(jié)
2025-09-25 19:16
【總結(jié)】第一章半導體器件半導體的特性半導體二極管雙極型三極管(BJT)場效應三極管半導體的特性1.導體:電阻率?109?·cm物質(zhì)。如橡膠、塑料等。
2025-05-01 06:20
【總結(jié)】寧波工程學院:余輝晴《模擬電子技術(shù)》課件Tel:0574-87081230Email:第1章半導體器件?半導體基礎知識?半導體二極管?半導體三極管?場效應管1.本征半導體的結(jié)構(gòu)半導體基礎知識本征半導體及雜質(zhì)半導體硅和鍺是四價元素,它們分別與周圍的四
2025-02-21 12:39
【總結(jié)】第7章電子元器件基礎晶體二極管晶體三極管其它半導體器件退出半導體基礎知識常用電子元件常用電子元件電阻器電容器退出電感器和變壓器開關(guān)和接插件電阻器用導電材料制成的具有一定電阻值的元件稱為電阻器(Resistor)
2025-05-12 18:58
【總結(jié)】本資料來源1Chapter4常用半導體器件常用半導體器件2Chapter4常用半導體器件主要內(nèi)容?半導體的基本知識與PN結(jié)?半導體二極管及其應用電路?雙極型三極管及其特性參數(shù)?場效應管及其放大電路Chapter4常用半導體器件對于元器件,重點放在特性、參數(shù)、技術(shù)指標和對于元器件,重點放在特性、參數(shù)、技術(shù)指標和正確
2025-02-19 14:35
【總結(jié)】模擬電子電路與技術(shù)基礎西安電子科技大學微電子學院主講教師:張進成教材:模擬電子電路及技術(shù)基礎(第二版),孫肖子主編,西安電子科技大學出版社,2022年1月授課順序:第二篇(半導體器件及集成電路--原理基礎篇):4-10章第一篇(模擬集成電路系統(tǒng)--應用基礎篇):1-3章教師聯(lián)系方式:電子郵件
2025-04-29 05:34
【總結(jié)】半導體基礎知識半導體概念:導電性能介于導體與絕緣體之間的物質(zhì)。特點是:①導電性能受環(huán)境因素影響;②可通過某種工藝改變其導電性能。電子器件采用的半導體材料:主要是硅材料和鍺材料。其次還有砷化鎵和磷化鎵材料。——半導體材料在制造電子器件之前首先要經(jīng)過提純。經(jīng)過提純的半導體稱為本征半導體。半導體的導電性取決于其晶體結(jié)構(gòu)。硅材料和鍺材料的晶體
2025-04-29 13:13
【總結(jié)】半導體器件電子學北工大電控學院北京工業(yè)大學電控學院2023年9月半導體器件電子學北工大電控學院《半導體器件電子學》課程大綱第一章現(xiàn)代半導體材料晶體結(jié)構(gòu)和特性(10學時)§§新型寬帶半
2024-12-30 06:13
【總結(jié)】第4章半導體分立器件概述半導體分立器件種類繁多,通常可分為半導體二極管、晶體三極管、功率整流器件和場效應晶體管等。半導體二極管又可分為普通二極管和特殊二極管兩種。普通二極管包括整流二極管、穩(wěn)壓二極管、恒流二極管、開關(guān)二極管等。特殊二極管包括肖特基勢壘管(SBD)、隧道二極管(TD)、位置顯示管(PIN)、變?nèi)荻O管、
2025-09-26 00:38
【總結(jié)】第1章半導體二極管及應用電路本課程的主要內(nèi)容第1章半導體二極管及應用電路第2章雙極型三極管及其放大電路第3章場效應管及其放大電路第4章放大電路的頻率響應第5章功率放大電路第6章集成運算放大器第7章負反饋放大電路第8章信號的運算、測量及處理電路第9章
2025-03-22 03:50
【總結(jié)】第1章數(shù)字電子技術(shù)基礎學習要點:?二進制、二進制與十進制的相互轉(zhuǎn)換?邏輯代數(shù)的公式與定理、邏輯函數(shù)化簡?基本邏輯門電路的邏輯功能第1章數(shù)字電子技術(shù)基礎數(shù)字電子技術(shù)基礎(緒論)數(shù)制與編碼邏輯代數(shù)基礎邏輯函數(shù)的化簡邏輯函數(shù)的表示方法及其相互轉(zhuǎn)換
2024-12-31 17:47
【總結(jié)】模擬電子電路例題_半導體器件例題:(a)所示。當開關(guān)S分別在“1”和“2”時,問哪一個位置的Ic較大,哪一個位置的集電極與發(fā)射極之間的耐壓較高,為什么?(a)(b) [解]:S置于“1”時,發(fā)射結(jié)被短路,這時的Ic為集電結(jié)反向飽和電流;C、E極間的耐壓為。S置于“2”時,基極
2025-03-25 04:55