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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)--第1章--常用半導(dǎo)體器件(參考版)

2025-01-07 04:14本頁(yè)面
  

【正文】 主要參數(shù)? 直流參數(shù) : 、 、 ICBO、 ICEOce間擊穿電壓最大集電極電流最大集電極耗散功率, PCM= iCuCE安全工作區(qū)? 交流參數(shù): β、 α、 fT(使 β= 1的信號(hào)頻率)? 極限參數(shù) : ICM、 PCM、 U( BR) CEO謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。總之: ICBO ? ? ICEO ? T ? ? VBE ? ? IB ? ? IC ? ? ?特別注意:當(dāng)溫度升高時(shí),三極管的特性曲線要上升,而對(duì)于基本共射放大電路來(lái)說(shuō), IB不但不減小,反而上升,使 Q點(diǎn)進(jìn)一步升高。C,實(shí)線IB=40uA90176。C虛線25176。C,實(shí)線3. 溫度變化對(duì) ? 的影響溫度每升高 1 176。 ) ICBOICEO直流負(fù)載線只決定于VCC和 Rc ,與溫度無(wú)關(guān)90176。C25176。 ICEO也稱為集電極發(fā)射極間穿透電流。=50比較 iB和 IBS的大?。?iB IBS ,所以三極管處于放大狀態(tài) 如何改變?nèi)龢O管的狀態(tài)v只要改變 iB和 IBS的比較關(guān)系即可v 保持 IBS不變,通過(guò)改變 Rb可改變 iB v或 保持 iB 不變,通過(guò)改變 RC可改變 IBS六、 BJT的主要參數(shù)BJT的主要參數(shù)(1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)1. 電流放大系數(shù) (2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) ?uCE=const(3) 共基極直流電流放大系數(shù) (4)共基極交流電流放大系數(shù) ? uCB=const 2. 極間反向電流(1) 集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開(kāi) 路時(shí),集電結(jié)的反向飽和電流。=50例 1圖 例 3圖例題 1 Rb=2k ,RC=2K,VCC=12V例題 2 Rb=20k ,RC=2K,VCC=12V, 223。IB ICS例題 :判斷下面電路中三極管的狀態(tài)例題 1 Rb=2k ,RC=2K,VCC=12V例題 2 Rb=20k ,RC=2K,VCC=12V, 223。 或者 223。IB) ,求此時(shí)三極管的集電極臨界飽和電流 ICS ,進(jìn)而求出基極臨界飽和電流 IBS 。v方法一v方法二五、判斷 BJT工作狀態(tài)的解題思路飽和區(qū) :發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏截止區(qū):發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏或: UBE?( Si)|UBE | ?( Ge)放大區(qū) : 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏但是用這種判據(jù)不方便方法一方法二:把三極管從電路中拿走,在此電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下求三極管的發(fā)射結(jié)電壓:若發(fā)射結(jié)反偏或零偏或小于死區(qū)電壓值:則三極管截止 .若發(fā)射結(jié)正偏:則三極管可能處于放大狀態(tài)或處于飽和狀態(tài),需要進(jìn)一步判斷。v 放大區(qū): NPN的 uBE =, PNP的 uBE =, 有 223。v 飽和區(qū): NPN的 uBE =, PNP的 uBE =,沒(méi)有223。集電極電流主要決定于基極電流。 飽和區(qū):直線上升和彎曲的部分, 發(fā)射結(jié)電壓 (硅管 )或(鍺管 ); 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏 ,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合 ,在數(shù)字電路中作為開(kāi)關(guān)元件的一個(gè)狀態(tài)。輸出特性β是常數(shù)嗎?什么是理想晶體管?什么情況下 ?對(duì)應(yīng)于一個(gè) IB就有一條 iC隨 uCE變化的曲線。放大區(qū): iC平行于 uCE軸的區(qū)域,曲線基本平行等距。iC=f(uCE)? iB=const NPN共射 輸出特性曲線截止區(qū): iC接近零的區(qū)域,相當(dāng) iB=0的曲線的下方。為什么像 PN結(jié)的伏安特性?為什么 UCE增大到一定值曲線右移就不明顯了?輸入特性飽和區(qū): iC明顯受 uCE控制的區(qū)域,該區(qū)域內(nèi),一般 uCE< (硅管 )。(飽和區(qū)) NPN共射輸入特性曲線NPN共射輸入特性曲線 的特點(diǎn)描述v ( 1) 當(dāng) uCE=0V時(shí),相當(dāng)于正向偏置的兩個(gè)二極管并聯(lián),所以與 PN結(jié)的正向特性相似v ( 2) uCE≥1V的特性曲線比 uCE=0V的右移。特性曲線的分類輸入特性曲線輸出特性曲線共射接法特性曲線共基接法特性曲線共集接法特性曲線NPN管特性曲線PNP管特性曲線我們只研究 NPN共射 特性曲線(輸入、輸出)規(guī)定電壓和電流的參考方向如圖所示:注意電壓變量、電流變量的寫法:小寫的字母,大寫的下標(biāo) iB=f(uBE)? uCE=constiC=f(uCE)? iB=const iB=f(uBE)? uCE=const(2) 當(dāng) uCE≥1V時(shí), uCB= uCE uBE0,集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài),開(kāi)始收集電子,基區(qū)復(fù)合減少,同樣的 uBE下 iB減小,特性曲線右移。( 2) 外部條件: 發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。 ICBO通常 IC ICBOIE=IB+ IC(1)共基極直流電流放大系數(shù)(2)共射極直流電流放大系數(shù) 綜上所述,三極管的放大作用,主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過(guò)基區(qū)傳輸,然后到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。 ICBO 以上看出,三極管內(nèi)有兩種載流子 (自由電子和空穴 )參與導(dǎo)電,故稱為雙極型三極管或 BJT (Bipolar Junction Transistor)。三極管具有電流放大作用時(shí)在三極管內(nèi)部載流子的傳輸過(guò)程 (以 NPN管為例介紹)( 1)發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入自由電子 (對(duì) NPN管子為自由電子,對(duì)PNP管子為空穴)發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射區(qū)多子向基區(qū)擴(kuò)散,形成發(fā)射極電子電流 InE基區(qū)多子向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散 ,小,可忽略漂移運(yùn)動(dòng)很弱,可忽略發(fā)射極電流 IE= InE ( 2)自由電子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合 (對(duì) NPN管子為自由電子,對(duì) PNP管子為空穴)在基區(qū)內(nèi)自由電子繼續(xù)向集電結(jié)方向擴(kuò)散? 一部分與基區(qū)空穴復(fù)合,形成基極復(fù)合電流 IB39。兩個(gè) PN結(jié) ,每個(gè)有正偏和反偏兩種狀態(tài) ,組合起來(lái) ,共有 4種狀態(tài) :發(fā)射結(jié)正偏 ,集電結(jié)反偏 :放大區(qū), 在模擬放大電路中使用發(fā)射結(jié)正偏 ,集電結(jié)正偏 :飽和區(qū)發(fā)射結(jié)反偏 ,集電結(jié)反偏 :截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏 ,集電結(jié)正偏 : 倒置狀態(tài) ,基本上沒(méi)有什么用處在數(shù)字電路中使用二、放大狀態(tài)下 BJT的電流分配與控制關(guān)系要使三極管具有電流放大作用所必須提供的條件:外部條件:外加直流電壓源保證 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。 兩種類型的三極管發(fā)射結(jié) (Je) 集電結(jié) (Jc) 基極 , 用 B或 b表示( Base) 發(fā)射極 , 用 E或 e 表示( Emitter);集電極 , 用 C或 c 表示( Collector)。由于兩個(gè) PN結(jié)之間的相互影響,使 BJT表現(xiàn)出不同于單個(gè) PN結(jié)的特性而具有電流放大作用,從而使 PN結(jié)的應(yīng)用發(fā)生了質(zhì)的飛躍。D應(yīng)在反壓狀態(tài)工作 發(fā)光二極管是 將電能轉(zhuǎn)換成光能的特殊半導(dǎo)體器件
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